HBM製造装置：市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2026年～2031年）

Mordor Intelligenceによると、HBM製造装置の市場規模は、2025年の12億8,000万米ドルから2026年には16億7,000万米ドルへと拡大し、2031年までに49億8,000万米ドルに達すると予想されており、2026年から2031年にかけてCAGR24.40％で成長すると見込まれています。

本レポートは、装置タイプ（TSVエッチング装置など）、ボンディング技術（熱圧縮ボンディング、ハイブリッドボンディングなど）、HBM世代（HBM2E、HBM3、HBM3Eなど）、積層方法（ダイ・トゥ・ウエハー、ウエハー・トゥ・ウエハー、ダイ・トゥ・ダイ）、エンドユーザー（メモリメーカー、ファウンダリ、OSAT）、および地域ごとに分類されています。市場予測は金額（米ドル）ベースで提示されています。

世界のHBM製造装置市場の動向と洞察

AIメモリの積層密度がTSVおよびハイブリッドボンディング装置の需要を牽引

HBM製造装置市場は現在、従来のDRAMの置き換えサイクルよりも、AIアクセラレータの導入とより密接に結びついています。AIモデルの複雑化に伴い、メモリスタックはより高密度なTSVアレイ、より狭いボンディングピッチ、そしてより高度な平坦化工程へと向かっており、これによりウエハー1枚あたりの装置使用量が上昇しています。アプライド・マテリアルズ社は、超微細ピッチノードにおけるTSVアレイ全体のメッキばらつきに対処するため、適応型パターン調整機能を備えた電気化学めっき装置「Nokota Vmax 2」を発表しました。これが重要なのは、以前の微細化段階では許容範囲内だった欠陥が、現在ではマルチダイ・スタック全体の歩留まりを低下させる可能性があるためです。そのため、HBM製造装置市場では、コンピューティングのロードマップに沿った需要が見られます。NVIDIAのRubinプラットフォーム仕様（HBM4スタック8層、合計帯域幅22テラバイト/秒）が、すでにサプライヤーの計画に影響を与えているからです。こうした要因が相まって、予測期間を通じて装置需要は明確かつ持続的なものとなっています。

HBM4および低ピッチ相互接続への移行

HBM4は、2,048ビットのインターフェースへの移行と、スタックあたりの帯域幅を毎秒2テラバイト以上に引き上げることで、HBM製造装置市場の技術的ハードルをさらに高めています。これらの変更に対応するには、厚さ約30マイクロメートルの個々のDRAMダイを処理しつつ、スタック全体で100ナノメートル未満の公差内で位置合わせを維持できる装置が必要となります。Besi社は2026年第1四半期の説明において、主要なメモリメーカー3社すべてが、同一の顧客要件に基づきハイブリッドボンディング装置を評価しており、ハイブリッドボンディングされたスタックの商用展開は2027年を目標としていると述べました。また、HBM4のベースダイが従来のメモリ製造フローに完全に留まるのではなく、TSMCの先進ロジックノードで製造されるようになったことで、台湾における需要も拡大しています。これにより、ボンディング、CMP、計測、TSVの各工程が、メモリとファウンダリの両方の認定基準を満たす必要が生じたため、装置構成も変化しています。したがって、HBM製造装置市場は、スタック数の増加だけでなく、ロジック集積度の高いベースダイをサポートするために必要な、より広範なプロセス統合によっても再構築されつつあります。

極めて高い設備投資強度と長い認定サイクル

HBM製造装置市場における大きな制約は、次世代ボンディングシステムの高コストと、それらの装置が生産歩留まりを支えられるようになるまでに必要な長い認定サイクルです。このコスト構造により、デバイスの需要が旺盛な場合でも、装置の選定は顧客のファブ内での長い検証期間と整合させなければならないため、調達が遅れてしまいます。また、この負担は不均一です。なぜなら、確立されたプロセス提携関係を持つ大手メモリメーカーは、パッケージング分野に新規参入した企業やOSAT（受託組立業者）よりも迅速に動けるからです。場合によっては、新規参入企業が生産ラインを稼働可能な状態にするまでに、18ヶ月を超える認定期間を要することもあります。したがって、設備投資の抑制や認定リスクによって顧客層が狭まるため、HBM製造装置市場の成長は、最終需要のみから予想されるよりも緩やかになっています。

セグメント分析

2025年、ウエハー／ダイボンディング装置はHBM製造装置市場シェアの33.81％を占め、現行の生産ラインにおいて最大の装置カテゴリーとなりました。その優位性は、SKハイニックス、サムスン、マイクロンにおけるHBM3Eの量産に起因しており、これらの企業では、ダイスタッキングの中核となる装置として、依然として熱圧縮ボンダーが使用されています。この地位は、長い認定サイクルによっても支えられています。なぜなら、完全に承認されたボンディング装置は、一度大量生産ラインに導入されると、置き換えが困難になるからです。TSVエッチング装置およびCMP装置は、エッチングがビア構造を形成し、CMPが後のボンディング工程に向けた表面処理を行うため、重要な関連プロセス分野としてこれに続いています。HBM製造装置市場では、こうした密接に連携した工程において、スループットと再現性の両方をサポートできるベンダーが引き続き優位に立っています。

一時ボンディングおよびデボンディング装置は、DRAMダイの薄型化やスタック設計の高層化への移行を反映し、2026年から2031年にかけてCAGR25.38％で最も急速に成長すると予測されています。EV Group社は、同社のIR Layer Release技術により、シリコンのナノメートルレベルの精度でのレーザーデボンディングが可能となり、先進的な一時ボンディング工程においてガラス基板が不要になると述べています。これは、スタック数が増加し、ウエハーの薄型化が進むにつれて、30マイクロメートル未満のダイの取り扱いがより困難になるため、重要な意味を持ちます。SUSS MicroTec社は、一時ボンディングおよびデボンディング分野で強固な地位を維持しており、これは現在のHBMの量産拡大と将来のウエハーレベルスタッキングプログラムの両方において重要な役割を果たしています。顧客が複雑なパッケージング工程全体での統合時間を短縮しようとする中、これらの装置群間の相互運用性はますます重要になっています。そのため、HBM製造装置業界では、新たなプロセスの摩擦を生じさせることなく既存のラインに組み込めるサプライヤーを高く評価するようになっています。したがって、HBM製造装置市場は、装置台数の増加だけでなく、互換性のある多段階プラットフォームへの需要の高まりによっても拡大しています。

2025年には、HBM製造装置市場の72.46％を熱圧縮ボンディングが占めており、これはHBM3E生産においてほぼ普遍的に採用されていることを反映しています。既知の熱および圧力制御プロファイルを用いて、9～55マイクロメートルのピッチでの積層DRAMアセンブリに対応できるため、依然として生産の標準となっています。これは、HBM製造装置市場において、単一の顧客への依存が依然として主要なボンディングサプライヤーの経済性を左右し得ることを示しています。また、一時的なウエハーボンディングおよびデボンディングも、熱圧縮ラインと並行して成長しています。これは、研削、TSV露光、メタライゼーションの各工程において、より安全な取り扱いを実現するためです。

ハイブリッドボンディングは、2026年から2031年にかけてCAGR25.89％で成長すると予測されており、スタック高が現在の熱圧縮技術の限界を超えるにつれて、最も急速に成長するボンディング技術となる見込みです。SUSS MicroTec社は、ウエハー間ボンディング、一括ダイ・ウエハー間ボンディング、および順次ダイ・ウエハー間ボンディングを網羅する統合システムとして、XBC300 Gen2 D2Wプラットフォームを発表しました。このプラットフォームは、±100ナノメートルの位置合わせ精度を実現しています。サムスンはSEMESを通じて社内でハイブリッドボンディングを開発している一方、Besiはすでに主要なメモリメーカー3社すべてに評価用ユニットを出荷しています。この移行は重要な意味を持ちます。なぜなら、ゼロギャップの銅対銅ボンディングは、バンプベースの相互接続よりも単位面積あたりの帯域幅密度を高めることができるからです。ただし、ハイブリッドボンディングのコストはダイあたりでフリップチップボンディングの2～3倍であり、歩留まりの向上を通じてコストを削減する必要があるため、導入は依然として段階的に進むことになります。したがって、HBM製造装置業界は、従来型と次世代のボンディングラインが共存する時期に入っています。この共存により、現在の量産に対応しつつ、将来の認定獲得も確保できるベンダーにとって、HBM製造装置市場は引き続き魅力的なものとなっています。

地域別分析

アジア太平洋地域は、2025年のHBM製造装置市場規模の82.14％を占めており、2031年までCAGR25.28％で成長すると予測されています。韓国は、最大のHBM生産拠点を有するとともに、パッケージングおよびファブリケーション分野における主要な新規投資も進めていることから、この地域における中心的な地位を維持しています。台湾は、TSMCの先進的なファウンダリサービスにより、HBMベースダイの生産がロジック集積度の高い製造ラインへと移行していることから、その重要性をますます高めています。日本もまた、SCREEN、DISCO、ULVAC、東京エレクトロンといった国内の装置サプライヤーを通じて、また広島におけるマイクロン社のHBM事業拡大を通じて、二重の役割を果たしています。HBM製造装置市場がアジア太平洋地域に集中し続けているのは、同地域がメモリ生産、サプライヤーの密集度、そして確立された認定インフラを兼ね備えているためです。中国は依然として独自の国内エコシステムの構築を進めていますが、先端パッケージング装置に対する輸出規制により、世界最高水準の装置へのアクセスは引き続き制限されています。そのため、主要な地域需要拠点における既存サプライヤーへの直接的な課題というよりは、現地での装置開発という並行した道筋が生まれています。

現在のHBM製造装置市場において、北米のシェアは依然としてアジア太平洋地域に比べてはるかに小さいもの、米国の半導体インセンティブが新規生産能力の拡大を後押ししていることから、その長期的な役割は強化されつつあります。マイクロン社がニューヨーク州オノンダガ郡に大規模な製造拠点を建設する計画に加え、ボイジーでの拡張も進んでいることから、米国はボンディング、TSV、および先進パッケージング装置における、より重要な将来の需要拠点へと変貌しつつあります。欧州は、メモリ生産による貢献度は低いもの、サプライヤーの強み、特にオーストリアのEV GroupやドイツのSUSS MicroTecを通じて大きな役割を果たしています。EV Groupはウエハーボンディングおよび層間転写において依然として中心的な存在であり、一方、SUSS MicroTecはHBM製造装置市場の次の段階に対応したハイブリッドボンディング技術の開発を進めています。オランダのBesiも、主要なメモリメーカー3社すべてが同社のハイブリッドボンディング装置を評価していることから、戦略的に重要な位置を占めています。

南米、中東・アフリカは、現在のHBM製造装置市場の需要においてごくわずかなシェアを占めるに過ぎません。いずれの地域も、HBM製造や先進パッケージングの主要な導入実績がないため、装置への投資は小規模なテストや電子機器組立のニーズに限定されています。湾岸地域の一部における政府の半導体プログラムや、ブラジルの電子機器奨励制度は、長期的なパッケージング活動を後押しする可能性がありますが、HBMに特化した実質的な調達は、現在の予測期間内では見込まれません。しかし、HBM製造装置市場は地理的に集中しており、主な競合や投資の動きは依然としてアジア太平洋地域を中心に、北米や欧州の特定のプロジェクトに限定されています。

その他の特典：

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストによるサポート

よくあるご質問

• HBM製造装置の市場規模はどのように予測されていますか？
  • 2025年の12億8,000万米ドルから2026年には16億7,000万米ドルへと拡大し、2031年までに49億8,000万米ドルに達すると予想されています。CAGRは24.40%です。
• HBM製造装置市場の主要な装置タイプは何ですか？
  • ウエハー／ダイボンディング装置、TSVエッチング装置、CMP装置、一時的な接着・剥離装置、計測・検査機器です。
• HBM製造装置市場の主要なボンディング技術は何ですか？
  • 熱圧縮ボンディング、ハイブリッドボンディング、ウエハーの仮ボンディングおよびデボンディングです。
• HBM製造装置市場の主要なエンドユーザーは誰ですか？
  • メモリメーカー、ファウンダリ、OSATです。
• HBM製造装置市場の地域別シェアはどのようになっていますか？
  • アジア太平洋地域が2025年のHBM製造装置市場規模の82.14%を占めています。
• HBM製造装置市場における主要企業はどこですか？
  • Applied Materials, Inc.、Lam Research Corporation、Tokyo Electron Limited、EV Group Holding GmbH、ASMPT Limited、BE Semiconductor Industries N.V.、Hanmi Semiconductor Co., Ltd.、SCREEN Holdings Co., Ltd.、KLA Corporation、Onto Innovation Inc.、SUSS MicroTec SE、Shibaura Mechatronics Corporation、DISCO Corporation、Kulicke and Soffa Industries, Inc.、Canon Inc.、ULVAC, Inc.、Ebara Corporation、Hitachi High-Tech Corporation、Plasma-Therm LLC、Oxford Instruments plc、Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. Chinaです。

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提条件と市場の定義
• 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場情勢

• 市場概要
• 市場促進要因
  • AIメモリの積層密度の向上が、TSVおよびハイブリッドボンディング装置の需要を牽引しています
  • HBM4およびピッチの小さい相互接続への移行
  • メモリメーカーによる先進パッケージングの生産能力増強
  • 超平滑な表面および欠陥のない界面に対する需要の高まり
  • 先端半導体製造装置のサプライチェーンの現地化
  • TSVエッチング、ボンディング、CMPプラットフォームにわたるプロセス統合
• 市場抑制要因
  • 極めて高い設備投資比率と長期にわたる認定サイクル
  • 高アスペクト比TSVおよびハイブリッドボンディング工程における歩留まり感応度
  • 主要メモリ拠点以外での導入台数が限られている
  • メモリメーカーおよびOSAT間におけるツールインターフェースの分断
• 業界のサプライチェーン分析
• 規制情勢
• 技術展望
• ポーターのファイブフォース分析
• マクロ経済要因が市場に与える影響

第5章 市場規模と成長予測

• 装置タイプ別
  • TSVエッチング装置
  • ウエハー／ダイボンディング装置
  • CMP装置
  • 一時的な接着・剥離装置
  • 計測・検査機器
• ボンディング技術別
  • 熱圧縮接合
  • ハイブリッドボンディング
  • ウエハーの仮ボンディングおよびデボンディング
• HBM世代別
  • HBM2
  • HBM2E
  • HBM3
  • HBM3E
  • HBM4
• 積層方法別
  • ダイ・トゥ・ウエハー
  • ウエハー間
  • ダイ・トゥ・ダイ
• エンドユーザー別
  • メモリメーカー
  • ファウンダリ
  • OSAT
• 地域別
  • 北米
    • 米国
    • その他の北米諸国
  • 欧州
    • ドイツ
    • オランダ
    • その他の欧州諸国
  • アジア太平洋
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • 台湾
    • その他のアジア太平洋諸国
  • 南米
  • 中東・アフリカ

第6章 競合情勢

• 市場集中度
• 戦略的動向
• Market Positing Analysis
• 企業プロファイル
  • Applied Materials, Inc.
  • Lam Research Corporation
  • Tokyo Electron Limited
  • EV Group Holding GmbH
  • ASMPT Limited
  • BE Semiconductor Industries N.V.
  • Hanmi Semiconductor Co., Ltd.
  • SCREEN Holdings Co., Ltd.
  • KLA Corporation
  • Onto Innovation Inc.
  • SUSS MicroTec SE
  • Shibaura Mechatronics Corporation
  • DISCO Corporation
  • Kulicke and Soffa Industries, Inc.
  • Canon Inc.
  • ULVAC, Inc.
  • Ebara Corporation
  • Hitachi High-Tech Corporation
  • Plasma-Therm LLC
  • Oxford Instruments plc
  • Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

第7章 市場機会と将来の展望