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市場調査レポート
商品コード
1644768
世界のRF&マイクロ波パワートランジスタ-市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測(2025年~2030年)Global RF & Microwave Power Transistors - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2025 - 2030) |
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適宜更新あり
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世界のRF&マイクロ波パワートランジスタ-市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測(2025年~2030年) |
出版日: 2025年01月05日
発行: Mordor Intelligence
ページ情報: 英文 100 Pages
納期: 2~3営業日
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RF&マイクロ波パワートランジスタの世界市場は、予測期間中にCAGR 6.75%を記録すると予測されています。
5G用RF&マイクロ波パワートランジスタの世界市場の主要促進要因には、需要の増加、研究開発投資の増加、新技術の急速な承認などがあります。RF&マイクロ波パワートランジスタは、航空宇宙や軍用で大電力信号の増幅やスイッチングを行っています。レーダーシステム、通信システム、電子戦システム、ミサイル誘導システムはすべて、送信機または受信機としてこれを採用しています。RF&マイクロ波パワートランジスタは、これらのシステムにおいて、サイズと重量を削減しながら効率を向上させます。
通信では、RF&マイクロ波パワートランジスタは、マイクロ波トランスミッションのパワーを増幅またはスイッチングするために使用されます。また、信号の方向を制御したり、増幅器や発振器として使用することもできます。また、回路の異なる領域間で信号を方向付けるスイッチングデバイスとしても使用できます。RF&マイクロ波パワートランジスタは、マイクロ波システム設計において重要なコンポーネントです。
近年の情報通信の高速化・大容量化に伴い、情報通信セグメントや電力セグメントで使用される大電力半導体モジュールの出力や、単位面積あたりに搭載される半導体チップの数が増加しており、過熱が重要な課題となっています。そこで、高い熱伝導率と低熱膨張特性を実現するために、金属とダイヤモンドの複合材料が注目されています。
グッドシステムは、56G無線通信用高周波(RF)パワートランジスタや電気自動車用高出力絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の放熱材料として、熱伝導率800W/mK級、熱膨張率8ppmという世界最高の放熱特性を実現しました。
さらに、COVID-19パンデミックはパワートランジスタ市場に大きな影響を与えました。世界の景気減速と労働力不足により、半導体や電子機器の製造設備は停止状態に陥った。COVID-19は、工場稼働率の大幅かつ持続的な低下、出張禁止、生産拠点閉鎖をもたらし、その結果、パワートランスミッション産業の成長が鈍化しました。
Ericssonが述べているように、5Gは史上最も広く普及したモバイル通信技術となり、2027年までに世界人口の約75%をカバーすると予想されています。
5G対応デバイス市場は、データ処理要件の高まりと消費量の増加により、今後数年間で急成長すると分析されています。5G対応デバイスの需要増に対応するため、5G対応スマートフォン向け半導体メーカーは5Gチップの需要増に見舞われます。半導体チップの増加は半導体産業の発展に寄与し、パワートランジスタの需要を押し上げます。
5Gと6Gのインフラでは、RF GaN-on-Siliconが大きな可能性を秘めています。初期の世代のRFパワーアンプは、長期的に使用されてきたRFパワー技術である横方向拡散型金属酸化膜半導体(LDMOS)(PA)が主流でした。GaNは、LDMOSよりも改善されたRF特性とはるかに高い出力電力をこれらのRF PAに提供することができます。さらに、シリコンまたは炭化ケイ素(SiC)ウエハー上で製造することができます。
2021年12月、Microchip Technology Inc.は、窒化ガリウム(GaN)高周波(RF)パワーデバイスのポートフォリオにMMICとディスクリートトランジスタを追加し、最大20ギガヘルツ(GHz)の周波数に対応しました。同デバイスは、高い電力付加効率(PAE)と高い直線性を兼ね備えており、5G、電子戦、衛星通信、商用と防衛レーダーシステム、検査装置など、幅広い用途で新たなレベルの性能を実現します。
アジア太平洋は、Toshiba CorporationやMitsubishi Electric Corporationなどの大企業の存在により、世界のパワートランジスタ市場で最も急成長している地域です。中国、日本、台湾、韓国は、半導体製造産業を支配する数少ない国のひとつであり、市場に影響を与えています。この地域は、スマートフォンや5G技術の市場も大きく、製造支出も増加しています。
様々な電子機器の中国への移転が続いているため、日本、韓国、中国の半導体消費は、この地域の他の国々と比べて急速に増加しています。さらに、アジアには世界上位5の民生用電子機器部門があり、予測期間中にこの地域全体で半導体が採用される大きな見込みがあります。
10の政府機関が2021年7月に発表した3カ年計画によると、中国は2023年末までに5億6,000万人の5Gモバイル顧客を有し、大規模産業企業における高速ワイヤレス技術の普及率は35%になる計画です。様々な産業で5Gを利用することは、経済社会のデジタル化、ネットワーク化、インテリジェント化を推進する上で重要であるとしています。
台湾の半導体市場も政府の支援により成長しています。2021年4月、国家開発基金は、2021~2025年の間に台湾企業が半導体産業の成長のために1,070億米ドルの投資を計画していると発表しました。政府はまた、資金援助や人材採用プログラムによって、新しい半導体技術の開発を支援しています。
RF&マイクロ波パワートランジスタ市場は、Onsemi Corporation、Renesas Electronics Corporation、Infineon Technologies AG、Texas Instruments Inc.、NXP Semiconductors N.V.、STMicroelectronics N.V.、Mitsubishi Electric Corporation、Linear Integrated Systems Inc.、Toshiba Corporationのような大手企業の存在により、競争の激しい市場となっています。
2022年5月-STMicroelectronicsとMACOM Technology Solutions Holdings Inc.は、高周波GaN-on-Si(RF GaN-on-Si)プロトタイプの製造に成功したと発表しました。STとMACOMは、今回の成果を受けて、今後も協力関係を継続し、関係を強化していきます。
2021年7月-STMicroelectronicsは、RF LDMOSパワートランジスタのSTPOWERファミリを拡大し、多数の製品を追加しました。3つの製品シリーズのトランジスタは、さまざまな産業用と商業用アプリケーションのRFパワーアンプ(PA)向けに開発されました。同社のRF LDMOSデバイスは、短い伝導チャネル長と高い耐圧を兼ね備えており、高効率と低熱抵抗を実現すると同時に、高RF電力に耐えるように設計されています。
The Global RF & Microwave Power Transistors Market is expected to register a CAGR of 6.75% during the forecast period.
The major drivers of the Global RF/Microwave Power Transistor for 5G market include rising demand, increased investment in research & development, and rapid approval of new technologies. The RF microwave power transistor amplifies or switches high-power signals in aerospace and the military. Radar systems, communication systems, electronic warfare systems, and missile guidance systems all employ it as a transmitter or receiver. The RF microwave power transistor increases efficiency while reducing size and weight in these systems.
In communication, the RF Microwave Power Transistor is used to amplify or switch the power of microwave transmission. It can also be used to control the signal's direction and as an amplifier or oscillator. It can also be used as a switching device to direct signals between different areas of a circuit. The RF Microwave Power Transistor is an important component in microwave system design.
Due to the recent increase in information speed and capacity, the output of high-power semiconductor modules used in information communication and power fields as well as the number of semiconductor chips mounted per unit area, are increasing, and overheating has emerged as an important issue. In order to produce high thermal conductivity and low thermal expansion characteristics, metal-diamond composite materials are attracting attention.
The Good System has managed to produce the world's best heat dissipation attributes, with 800W/mK-class thermal conductivity and 8PPM thermal expansion coefficient, as a heat dissipation material for radiofrequency (RF) power transistors for 56G wireless communication and high-power insulated-gate bipolar transistors (IGBT) for electric vehicles.
Further, the covid-19 pandemic significantly impacted the market for power transistors. Due to the slowdown and lack of workforce availability around the world, semiconductor and electronic manufacturing facilities came to a standstill. COVID-19 resulted in a major and sustained dip in factory utilization, travel prohibitions, and production site closures, resulting in a slowdown in the power transmission industry's growth.
As stated by Ericsson, 5G is anticipated to be the most widely deployed mobile communication technology in history, covering roughly 75% of the global population by 2027.
The 5G enabled devices market is analyzed to grow rapidly in the coming years, owing to rising data processing requirements and increased consumption. To accommodate the growing demand for 5G enabled devices, semiconductor manufacturers for 5G enabled smartphones will experience increased demand for 5G chips. The rise in semiconductor chips will help to advance the semiconductor industry, boosting demand for power transistors.
For 5G and 6G infrastructure, RF GaN-on-Silicon has significant potential. Early-generation RF power amplifiers were dominated by the long-term incumbent RF power technology, laterally-diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) (PAs). GaN can provide improved RF characteristics and much higher output power for these RF PAs than LDMOS. Additionally, it can be made on silicon or silicon-carbide (SiC) wafers.
In December 2021, Microchip Technology Inc. added additional MMICs and discrete transistors to its Gallium Nitride (GaN) Radio Frequency (RF) power device portfolio, spanning frequencies up to 20 gigahertz (GHz). The devices combine high power-added efficiency (PAE) and high linearity to achieve new levels of performance in a wide range of applications, including 5G, electronic warfare, satellite communications, commercial and defense radar systems, and test equipment.
Asia-Pacific is the fastest-growing area in the global power transistors market due to the presence of large businesses such as Toshiba Corporation and Mitsubishi Electric Corporation. China, Japan, Taiwan, and South Korea are among a few countries that dominate the semiconductor manufacturing industry, thereby impacting the market. The region also has a significant market for smartphones and 5G technologies and an increase in manufacturing expenditures.
Due to the continued transfer of various electronic equipment to China, semiconductor consumption in Japan, South Korea, and China is fast increasing in comparison to other nations in the area. Furthermore, Asia is home to the world's top five consumer electronics sectors, presenting huge prospects for semiconductor adoption across the region in the forecast period.
According to a three-year plan released in July 2021 by ten government entities, China planned to have 560 million 5G mobile customers by the end of 2023 and a 35 percent penetration rate of the fast wireless technology among large industrial firms. It stated that the use of 5G in various industries is significant in driving the digital, networked, and intelligent transformation of the economy and society.
The semiconductor market in Taiwan is also growing due to support from the government. In April 2021, the National development fund announced that between 2021 and 2025, companies of Taiwan planned USD 107 billion investment for the semiconductor industry's growth. The government is also assisting in developing new semiconductor technologies with funding support as well as talent recruitment programs.
The RF and Microwave Power Transistors Market is a highly competitive market due to the presence of significant players such as Onsemi Corporation, Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., STMicroelectronics N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Linear Integrated Systems Inc. and Toshiba Corporation.
May 2022 - STMicroelectronics and MACOM Technology Solutions Holdings Inc. announced that radio-frequency Gallium-Nitride-on-Si (RF GaN-on-Si) prototypes had been successfully produced. ST and MACOM will continue to collaborate and strengthen the relationship as a result of this accomplishment.
July 2021 - STMicroelectronics expanded the STPOWER family of RF LDMOS Power Transistors with a number of additional products. Three product series of transistors have been developed for RF power amplifiers (PAs) in a variety of industrial and commercial applications. The company's RF LDMOS devices combine a short conduction-channel length with a high breakdown voltage, offering high efficiency and low thermal resistance while being packed to withstand high RF power.