GaN基板の世界市場：基板タイプ別、ウェハーサイズ別、ドーピングタイプ別、デバイスタイプ別、用途別、最終用途別、地域別 - 2032年までの予測
GaN Substrate Market by Substrate Type (GaN-on-Sapphire, GaN-on-Silicon, GaN-on-SiC, GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond), Wafer Size (2-inch, 4-inch, 6-inch, 8-inch), Device Type (Discrete, ICs), Doping Type, Application, End Use - Global Forecast to 2032
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- 英文 297 Pages
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- 商品コード
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概要
世界のGaN基板の市場規模は、2026年の6億2,000万米ドルから2032年までに12億5,000万米ドルへと拡大し、予測期間中のCAGRは12.5％になると見込まれています。
高性能パワーエレクトロニクスやRF用途におけるワイドバンドギャップ半導体の採用拡大により、同市場は堅調な成長を遂げています。電気自動車、5Gインフラ、再生可能エネルギーシステム、データセンター、および先進的な防衛技術に対する需要の高まりにより、優れた効率、高い電力密度、および高速なスイッチング能力を備えたGaNベースのデバイスの導入が加速しています。
| 調査範囲 | |
|---|---|
| 調査対象期間 | 2021年～2032年 |
| 基準年 | 2025年 |
| 予測期間 | 2026年～2032年 |
| 算定単位 | 金額（10億米ドル） |
| セグメント | 基板タイプ別、ウェハーサイズ別、ドーピングタイプ別、デバイスタイプ別、用途別、最終用途別、地域別 |
| 対象地域 | 北米、欧州、アジア太平洋地域、その他の地域 |
結晶成長技術の継続的な進歩、大型ウェハーの生産拡大、および欠陥の低減により、基板の品質が向上すると同時に製造コストも削減されています。主な市場動向としては、国内の半導体製造への投資、AIや高性能コンピューティング用途におけるGaNの採用拡大、そして供給のレジリエンスを強化し、次世代GaN技術の商用化を加速させるための半導体バリューチェーン全体にわたる戦略的提携などが挙げられます。
「2026年には、GaN-on-SiCセグメントがGaN基板市場で最大のシェアを占める見込み」
基板の種類別では、GaN-on-SiCセグメントが、その優れた熱伝導率、高い絶縁破壊電圧、および卓越した高周波性能により、2026年には最大の市場シェアを占めると予測されています。これらの特性により、GaN-on-SiC基板は、通信、航空宇宙・防衛、産業用システム、および電気自動車で使用されるRFデバイスや高出力電子機器において、最適な選択肢となっています。エピタキシャル成長技術とウェハ品質の継続的な進歩により、デバイスの信頼性と製造効率はさらに向上しています。さらに、5Gインフラ、衛星通信、および高出力アプリケーションの導入拡大により、予測期間中はGaN-on-SiCセグメントの優位性が維持されると見込まれます。
「予測期間中、GaN基板市場において8インチウェハーセグメントが最も高いCAGRを示すと見込まれます」
ウェハーサイズ別では、製造効率の向上と生産コストの削減を目的とした半導体業界における大口径ウェハーへの移行により、予測期間中、8インチウェハーセグメントが最も高いCAGRを記録すると予測されています。小型のウェハーと比較して、8インチGaN基板は、ウェハーあたりのデバイス生産量が多く、既存の半導体製造設備との互換性にも優れています。パワーエレクトロニクス、AIデータセンター、自動車用電子機器、再生可能エネルギー用途向けの大規模GaN製造への投資が、8インチウェハーの採用を後押ししています。さらに、結晶成長技術やウェハー加工技術の継続的な進歩により、世界的に大口径GaN基板の商業的な採用が拡大すると予想されます。
「2026年から2032年にかけて、GaN基板市場で最も急速な成長が見込まれるのはアジア太平洋地域」
アジア太平洋地域は、半導体製造の急速な拡大、電気自動車への投資増加、および5G/6G通信インフラの展開拡大により、予測期間中に最も高いCAGRを記録すると見込まれています。中国、日本、韓国、台湾などの国々は、先端材料、ウェハー製造、化合物半導体技術への多額の投資を通じて、国内の半導体エコシステムを強化しています。また、この地域は、確立されたエレクトロニクスサプライチェーン、強力な政府支援、拡大する研究開発（R&D）活動の恩恵も受けています。さらに、GaNベースのパワーエレクトロニクス、RFデバイス、およびオプトエレクトロニクス用途に対する需要の高まりにより、地域全体でのGaN基板の採用が加速すると予想されます。
GaN基板市場は、Sumitomo Chemical（日本）が主導しており、次いでMitsubishi Chemical Corporation（日本）、Shin-Etsu Chemical（日本）、SOITEC（フランス）、IQE plc（英国）、Wolfspeed Inc.（米国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、Xiamen Powerway Advanced Material（中国）、NGK Corporation（日本）、Kyma Technologies（米国）が続きます。
調査範囲
当レポートでは、GaN基板市場を、基板の種類、ウェハーサイズ、デバイスの種類、ドーピングの種類、用途、最終用途、および地域ごとに分類しています。また、当レポートでは、市場の成長に影響を与える促進要因、制約要因、機会、課題についても論じています。北米、欧州、アジア太平洋、その他の地域（RoW）という4つの主要地域にわたる市場の詳細な分析を提供しています。さらに、当レポートには、バリューチェーン分析、競合情勢、および世界のGaN基板エコシステムで事業を展開する主要市場参入企業の企業プロファイルが含まれています。
当レポートを購入する主なメリット
- 主要な促進要因（産業用途におけるGaNパワーデバイスの採用急増、5GおよびRF用途におけるGaN基板の需要拡大）、制約要因（GaN基板製造に伴う技術的課題、代替技術との競合）、機会（カーボンフットプリントの最小化への強い注力、GaN-on-silicon技術の進歩）、および課題（シリコンに対するコスト競争力、複雑なサプライチェーンと標準化の欠如）に関する分析が含まれており、これらがGaN基板市場の成長に影響を与えています
- 製品・ソリューション・サービスの開発・イノベーション：GaN基板市場における今後の製品、研究開発、および開発活動に関する詳細な洞察
- 市場開発：収益性の高い市場に関する包括的な情報--当レポートでは、さまざまな地域におけるGaN基板市場を分析しています
- 市場の多様化：未開拓地域におけるGaN基板に関する網羅的な情報、GaN基板市場における最近の動向および投資状況
- 競合評価：市場シェアや成長戦略、およびSumitomo Chemical（日本）、Mitsubishi Chemical Corporation（日本）、Shin-Etsu Chemical（日本）、IQE plc（英国）、SOITEC（フランス）など、GaN基板市場の主要企業が提供する製品・サービスに関する詳細な評価
よくあるご質問
目次
第1章 イントロダクション
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 重要考察
第4章 市場概要
- 市場力学
- 促進要因
- 抑制要因
- 機会
- 課題
- アンメットニーズと未開拓分野
- 相互接続された市場と異業種間の機会
- ティア1/2/3企業による戦略的な動き
第5章 業界動向
- ポーターの5つの競争要因分析
- マクロ経済見通し
- サプライチェーン分析
- エコシステム分析
- 価格分析
- 貿易分析
- 2026年～2027年の主な会議およびイベント
- 顧客ビジネスに影響を与える動向/混乱
- 投資と資金調達のシナリオ、2021年～2025年
- 事例研究分析
- 米国関税の影響-GAN基材市場
第6章 技術進歩、AIによる影響、特許、イノベーション、将来の応用
- 主要な新興技術
- 補完的な技術
- テクノロジーロードマップ
- 特許分析
- AI/生成AIがGA基板市場に与える影響
第7章 規制状況
- 規制状況
- 規制機関、政府機関、その他の組織
- 基準
第8章 顧客情勢と購買行動
- 意思決定プロセス
- 購買プロセスに関わる主要な利害関係者とその評価基準
- 導入における障壁と内部課題
- 様々な最終用途におけるアンメットニーズ
- 市場収益性
第9章 GAN基板の導電率の種類
- 半断熱
- 導電性
第10章 GAN基板技術
- 有機金属化学気相成長法（MOCVD）
- ハイドリド気相エピタキシー（HVPE）
- 分子線エピタキシー（MBE）
第11章 GAN基板市場（基板タイプ別）
- ガンオンサファイア
- シリコン上のガン
- ガンオンシック
- ガンオンガン（ネイティブ）
- ガンオンダイヤモンド
- 自立型ガン
- アルガン+ ガン
第12章 GAN基板市場（ウェハーサイズ別）
- 2インチ
- 4インチ
- 6インチ
- 8インチ
第13章 GAN基板市場（ドーピングタイプ別）
- N型GAN
- P型GAN
- 半絶縁性GAN
第14章 GAN基板市場（デバイスタイプ別）
- ディスクリート
- ICS
第15章 GAN基板市場（用途別）
- 光電子デバイス
- RFデバイス
- パワーデバイス
第16章 GAN基板市場（用途別）
- 家電
- 電気通信
- 自動車
- 航空宇宙・防衛
- エネルギーと電力
- 健康管理
- 工業
第17章 GAN基板市場（地域別）
- 北米
- 米国
- カナダ
- メキシコ
- 欧州
- ドイツ
- 英国
- フランス
- オランダ
- イタリア
- スペイン
- その他
- アジア太平洋
- 中国
- 日本
- 韓国
- インド
- 台湾
- 東南アジア
- その他
- その他の地域
- 南米
- 中東・アフリカ
第18章 競合情勢
- 概要
- 主要参入企業の競争戦略/強み、2022年～2025年
- 市場シェア分析、2025年
- 収益分析、2021年～2025年
- 企業評価と財務指標
- ブランド比較
- 企業評価マトリックス：主要企業、2025年
- 企業評価マトリックス：スタートアップ/中小企業、2025年
- 競合シナリオ
第19章 企業プロファイル
- 主要参入企業
- SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD.
- MITSUBISHI CHEMICAL GROUP CORPORATION
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- IQE PLC
- SOITEC
- WOLFSPEED, INC.
- INFINEON TECHNOLOGIES AG
- XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
- NGK CORPORATION
- KYMA TECHNOLOGIES
- その他の企業
- IVWORKS CO., LTD.
- SWEGAN
- NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION
- AMERICAN ELEMENTS
- SILTRONIC AG
- HOMRAY MATERIAL TECHNOLOGY
- ETA RESEARCH LTD.
- DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
- SIXPOINT MATERIALS, INC.
- ENKRIS SEMICONDUCTOR, INC.
- AGNIT SEMICONDUCTORS PVT. LTD.
- SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD.
- GOETSU SEMICONDUCTOR WUXI CO., LTD.
- SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD.
- OMEDA INC.
第20章 調査手法
第21章 付録
- 発行日
- 発行
- MarketsandMarkets
- ページ情報
- 英文 297 Pages
- 納期
- 即納可能
