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市場調査レポート
商品コード
1155436
High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体の世界市場規模、シェア、産業動向分析レポート:技術別(インターコネクト、コンデンサ、ゲート)、地域別展望、予測、2022年~2028年Global High-k And CVD ALD Metal Precursors Market Size, Share & Industry Trends Analysis Report By Technology (Interconnect, Capacitors, and Gates), By Regional Outlook and Forecast, 2022 - 2028 |
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High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体の世界市場規模、シェア、産業動向分析レポート:技術別(インターコネクト、コンデンサ、ゲート)、地域別展望、予測、2022年~2028年 |
出版日: 2022年10月31日
発行: KBV Research
ページ情報: 英文 112 Pages
納期: 即納可能
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High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体の世界市場規模は、2028年までに7億4,000万米ドルに達し、予測期間中にCAGR 6.3%の市場成長率で上昇すると予測されています。
ALDは、半導体デバイスの製造において重要なステップであり、ナノ材料の合成のための武器となるツールです。高い誘電率を持つ材料は、迅速なデータアクセスと保存のために利用されます。ALDはオングストロームレベルの膜厚制御が可能であることに加え、アスペクト比の大きな構造でも優れた成膜が可能です。Al2O3、HfO2、Ta2O5、High-kゲート酸化物、DRAM用ZrO2、電極・配線用窒化物などの高誘電率材料からなる薄膜は、ALDプロセスで製造されています。
ALD(原子層堆積法)は、CVD(化学気相蒸着)技術のサブカテゴリーで、薄膜の製造に使用されます。ALDプロセスは、3D NAND、セルフアラインパターニング、FinFETなどの様々なアプリケーションで利用される単層の均一な膜を形成するために、HfやSiなどの前駆体を共注入して多成分の薄膜を蒸着するために使用されます。
COVID-19の影響分析
このため、High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体全体のサプライチェーンが混乱しています。一方、High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体ビジネスは、リモートワーカーを雇用しようとする組織が増え、エンドユーザーがデジタルプラットフォームでより多くの資料を消費するため、現在の景気後退期に資本化する機会があると予測しています。これは、データラップトップやセンターなどのメモリやストレージソリューション、小型で費用対効果の高いパッケージICやその他の半導体デバイスの重要性に影響します。ロックダウンの制約が緩和された後、半導体デバイス部品メーカーは、成長を促進するために、調達戦略、生産計画、業界力学を変更すると推定されます。
市場成長要因
ナノテクノロジーに対する需要の高まりと応用範囲の拡大
ナノテクノロジーは、自己複製が可能であり、指数関数的な技術と同義です。また、生産方式を意味し、製造業者がクリーンで安価、かつ迅速な方法で商品を生産できるようになることを意味します。また、医学の分野では、傷ついた細胞に直接薬を届けるために、分子サイズにカスタマイズしたナノ粒子の製造が始まっています。これにより、健康な細胞を殺してしまう化学療法によるダメージを最小限に抑えることができます。
近年、世界的に急成長している半導体分野
人工知能、モノのインターネット、5Gなどの技術の出現により、データ駆動型ソリューションの開発は劇的に拡大しています。このような技術に基づく最先端のソリューションを構築するため、多くの企業が研究開発活動に大きな力を注いでいます。効果的で洗練されたインテリジェントなソリューションを提供することが求められるようになり、機器に組み込むICの需要が高まっています。
市場阻害要因
製造工程における技術的課題と複雑さ
半導体の製造には、衛生的な施設や設備が必要です。わずかなホコリでも、製造工程に大きな支障をきたし、品質を低下させる可能性があります。製造上のミスによる納期遅れで、注文の取り消しや追加損失が発生する可能性があります。半導体の製造には、機械的な欠陥、原材料の欠陥、チップレベルの問題などがつきものです。さらに、IC(集積回路)と共に高品質の半導体デバイスを製造するためには、革新的で独創的な技術が必要とされます。
技術展望
High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体市場は、技術別にインターコネクト、コンデンサ、ゲートに分類されます。2021年、ゲートセグメントは、High-KおよびCVD ALD金属前駆体市場でかなりの収益シェアを獲得しました。高誘電率導電性ポリマーから薄膜を製造するためのALDアプローチについて、重要な研究が行われてきました。メタルゲート技術とhigh-k誘電体の組み合わせにより、厚さ1ナノメートル以下のトランジスタのゲートリークを大幅に削減することができます。
地域別展望
地域別では、High-kおよびCVD・ALD用金属前駆体市場は、北米、欧州、アジア太平洋、LAMEAで分析されます。2021年、アジア太平洋は、High-KとALD CVD誘電体金属前駆体市場の最大の収益シェアを示しました。中国の電子アイテムに対する著しく高い需要や、電子デバイス製造の中国への継続的なアウトソーシングなどの要因により、この地域は予測期間中に大きく成長すると予測されます。
List of Figures
The Global High-k And CVD ALD Metal Precursors Market size is expected to reach $740.0 Million by 2028, rising at a market growth of 6.3% CAGR during the forecast period.
High-k is a substance with a high dielectric constant that has been the industry benchmark for the gate dielectric substrate of a device for a very long period of time, compared to silicon dioxide. Widespread usage of high-k dielectrics in the semiconductor production process has enabled the miniaturization of microelectronic components.
Both atomic layer deposition (ALD), as well as chemical vapor deposition (CVD) thin film deposition methods, utilize a chemical interaction between the material and the substrate to be deposited. Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technology based on the successive usage of a form of chemical vapor deposition procedure employing two chemicals referred to as precursors or reactants that react with the material surface in a sequential, self-limiting manner.
ALD is a crucial step in the production of semiconductor devices and a tool in the arsenal for the synthesis of nanomaterials. The materials with high dielectric values are utilized for quick data access and storage. In addition to giving thickness control there at the Angstrom level, ALD enables excellent conformality of deposition in structures with large aspect ratios. Thin films made from high-k dielectric materials, like Al2O3, HfO2, Ta2O5, high-k gate oxides, ZrO2 for DRAM, and nitrides for electrodes and interconnects, are produced using the ALD process.
Atomic Layer Deposition (ALD) is a subcategory of the Chemical Vapor Deposition (CVD) technique, which is used to produce thin films. The ALD process is used to deposit multi-component thin films via co-injecting precursors, like Hf and Si, for the formation of a single-layer homogeneous film utilized in a variety of applications, including 3D NAND, self-aligned patterning, and FinFET.
COVID-19 Impact Analysis
This has disrupted the High-K and ALD CVD Metal Precursors market's overall supply chain. In contrast, the High-K and ALD CVD metal precursors business anticipates an opportunity to capitalize during the current economic downturn, as more organizations seek to employ remote workers and as end-users consume more material on digital platforms. This impacts the significance of memory and storage solutions for data laptops, centers, and other devices, such as small, cost-effective, high-powered packaged ICs and other semiconductor devices. After lockdown constraints are relaxed, it is estimated that semiconductor device component manufacturers would alter their sourcing strategy, production planning, and industry dynamics to drive growth.
Market Growth Factors
Rising Demand And Number Of Applications Of Nanotechnology
Nanotechnology is capable of self-replication, which is synonymous with exponential technology. It also signifies a production method, which means that manufacturers would be able to produce goods in a clean, inexpensive, and quick manner. In addition, in the field of Medicine, researchers have begun producing nanoparticles that are customized to the size of molecules in order to deliver medications directly to damaged cells. This strategy would minimize the damage caused by chemotherapy, which kills healthy cells in patients.
The Rapid Expansion Of The Semiconductor Sector All Over The World In Recent Years
As a result of the emergence of technologies such as artificial intelligence, the Internet of Things, and 5G, the development of data-driven solutions has expanded dramatically. Numerous businesses place a significant emphasis on research and development activities in order to build cutting-edge solutions based on such technology. There is an increase in demand for ICs to be embedded in devices as a result of the requirement to provide effective, sophisticated, and intelligent solutions.
Market Restraining Factors
Technical Challenges And Complexities In The Manufacturing Process
Manufacturing methods for semiconductors require hygienic facilities and equipment. Even a modest amount of dust can significantly hinder and degrade the process. Order cancellations and additional losses may result from delivery delays caused by production errors. Mechanical integrity difficulties, flaws in the raw materials, and chip-level problems typically impede the fabrication of semiconductors. Moreover, for the production of high-quality semiconductor devices along with integrated circuits (ICs), innovative and inventive techniques are necessary.
Technology Outlook
By Technology, the High-k And CVD ALD Metal Precursors Market is segregated into Interconnect, Capacitors, and Gates. In 2021, the gate segment garnered a substantial revenue share of the high-K and CVD ALD metal precursors market. Significant research has been done on the ALD approach for producing thin films from high-k dielectric conducting polymers. The combination of metal gate technologies and high-k dielectric allows a significant reduction in gate leakage for transistors with a thickness of one nanometer or less.
Regional Outlook
Region-Wise, the High-k And CVD ALD Metal Precursors Market is analyzed across North America, Europe, Asia-pacific, and LAMEA. In 2021, Asia-Pacific witnessed the largest revenue share of the high-K and ALD CVD dielectric metal precursors market. Due to factors such as China's significantly high demand for electronic items and continuing outsourcing of electronic device manufacture to China, it is anticipated that the region would grow significantly over the forecast duration.
The market research report covers the analysis of key stake holders of the market. Key companies profiled in the report include Air Liquide S.A, Air Product & Chemicals, Inc., The Dow Chemical Company, Linde PLC, Merck KGAA, Samsung Electronics Co., Ltd., Nanmat Technology Co. Ltd., Adeka Corporation, Strem Chemicals, Inc., and Colnatec.
Market Segments covered in the Report:
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