市場調査レポート
商品コード
1305225
High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーの世界市場調査レポート-産業分析、規模、シェア、成長、動向、2023年から2030年までの予測Global High-k And CVD ALD Metal Precursors Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2023 to 2030 |
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High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーの世界市場調査レポート-産業分析、規模、シェア、成長、動向、2023年から2030年までの予測 |
出版日: 2023年06月01日
発行: Value Market Research
ページ情報: 英文 98 Pages
納期: 即日から翌営業日
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High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサー市場の世界需要は、調査期間2023~2030年のCAGR 8.62%で、2022年の5億2,512万米ドルから2030年には10億1,751万米ドル近くの市場規模に達すると推定されます。
High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーは、半導体産業におけるトランジスタ、メモリセル、キャパシタなどの半導体デバイスの製造に使用されます。高誘電率材料は、電荷を蓄える能力の尺度である誘電率(k)が高い誘電体材料です。High-k材料は、消費電力を削減し、処理速度を高め、デバイスの性能を向上させるために、先端半導体デバイスの製造に使用されています。CVD(Chemical Vapor Deposition)とALD(Atomic Layer Deposition)は、半導体産業で基板上に金属または金属酸化物の薄膜を堆積させるために使用される2つの一般的な技術です。CVDは、気相の前駆体が基板表面で反応して固体膜を形成するプロセスであり、ALDは、基板表面に前駆体のパルスを交互に照射して材料の薄膜を堆積させる技術です。CVD/ALDプロセスでは、金属膜の成膜や半導体デバイスの金属コンタクトの形成に金属前駆体が使用されます。これらの前駆体は一般的に有機金属化合物であり、気化して基板表面に運ばれ、そこで反応して所望の金属または金属酸化物膜を形成します。high-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーの例としては、テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAHf)およびテトラキス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(TEMAZr)などのハフニウムおよびジルコニウム前駆体、ならびにテトラキス(ジメチルアミド)チタン(TDMAT)などのチタン前駆体が挙げられます。これらの前駆体は先端半導体デバイスの製造において重要な構成要素であり、その品質と純度は高いデバイス性能と歩留まりを達成するために重要です。
ロジック・チップやメモリー・チップのような高性能かつ低消費電力の半導体デバイスに対する需要の増加が、High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサー市場の成長を牽引しています。これらの材料は、複雑な構造、高集積密度、低消費電力を必要とする先端デバイスの製造に不可欠です。5G、人工知能(AI)、モノのインターネット(IoT)の開発など、半導体技術の進歩が続いていることが、High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーの需要を促進しています。これらのマテリアルハンドリングは、より高いデータレートと処理能力を扱うことができる、より高度で複雑な半導体デバイスの開発を可能にします。半導体産業は競争が激しく、各社は新しく改良された半導体デバイスを開発するために研究開発に多額の投資を行っています。High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーは、これらのデバイスの開発に不可欠な材料であり、研究開発への投資の増加がこれらの材料の需要を牽引しています。新興国における家電需要の高まりは、High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサー市場の需要を拡大しています。可処分所得の増加と新興経済圏におけるこれらのデバイスの普及率の増加が、今後数年間、これらの材料の需要を牽引すると予想されます。半導体産業は厳しい環境規制の対象であり、企業は環境フットプリントの削減を迫られています。High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーは、有毒または有害な化学物質を含む有機金属前駆体のような従来の成膜材料に比べて環境に優しいと考えられています。
調査レポートは、ポーターのファイブフォースモデル、市場魅力度分析、バリューチェーン分析をカバーしています。これらのツールは、業界の構造を明確に把握し、世界レベルでの競合の魅力を評価するのに役立ちます。さらに、これらのツールは、High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサーの世界市場における各セグメントを包括的に評価することもできます。High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサー産業の成長と動向は、この研究に全体的なアプローチを提供します。
High-kおよびCVD/ALD金属プリカーサー市場レポートのこのセクションでは、国別および地域別のセグメントに関する詳細なデータを提供し、それによって戦略家がそれぞれの製品またはサービスのターゲット層を、今後の機会とともに特定するのに役立ちます。
このセクションでは、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東&アフリカにおけるHigh-kおよびCVD/ALD金属プリカーサー市場の現在および将来の需要を強調する地域展望をカバーしています。さらに、著名な全地域における個々のアプリケーションセグメントの需要・推定・予測にも焦点を当てています。
注-企業プロファイルにおいて、財務の詳細や最近の動向は、非公開会社の場合、入手可能であるか、またはカバーされていない場合があります。
The global demand for High-k And CVD ALD Metal Precursors Market is presumed to reach the market size of nearly USD 1017.51 MN by 2030 from USD 525.12 MN in 2022 with a CAGR of 8.62% under the study period 2023 - 2030.
High-k and CVD/ALD metal precursors are used in the fabrication of semiconductor devices, such as transistors, memory cells, and capacitors, in the semiconductor industry. High-k materials are dielectric materials with a high dielectric constant (k), which is a measure of their ability to store electric charge. High-k materials are used in the fabrication of advanced semiconductor devices to reduce power consumption, increase processing speed, and improve the performance of the devices. CVD (Chemical Vapor Deposition) and ALD (Atomic Layer Deposition) are two common techniques used for depositing thin films of metal or metal oxide on a substrate in the semiconductor industry. CVD is a process where a gas phase precursor reacts on the substrate surface to form a solid film, while ALD is a technique that deposits a thin film of a material by exposing the substrate surface to alternating pulses of precursors. Metal precursors are used in CVD/ALD processes to deposit metallic films and to create metallic contacts in semiconductor devices. These precursors are typically metal-organic compounds that can be vaporized and transported to the substrate surface where they react to form the desired metal or metal oxide film. Examples of high-k and CVD/ALD metal precursors include hafnium and zirconium precursors, such as tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAHf) and tetrakis(ethylmethylamino)zirconium (TEMAZr), and titanium precursors such as tetrakis(dimethylamido)titanium (TDMAT). These precursors are critical components in the manufacturing of advanced semiconductor devices, and their quality and purity are important for achieving high device performance and yield.
The increasing demand for high-performance and low-power semiconductor devices, such as logic and memory chips, is driving the High-k and CVD/ALD Metal Precursors market growth. These materials are critical for the fabrication of advanced devices that require complex structures, high integration density, and reduced power consumption. The ongoing advancements in semiconductor technology, such as the development of 5G, artificial intelligence (AI), and the Internet of Things (IoT), are driving the High-k and CVD/ALD Metal Precursors demand. These materials enable the development of more advanced and complex semiconductor devices that can handle higher data rates and processing power. The semiconductor industry is highly competitive, and companies are investing heavily in R&D to develop new and improved semiconductor devices. High-k and CVD/ALD Metal Precursors are essential materials in the development of these devices, and the increasing investment in R&D is driving the demand for these materials. The growing demand for consumer electronics in emerging economies is scaling up the High-k and CVD/ALD Metal Precursors market demand. The rising disposable income and increasing penetration of these devices in emerging economies are expected to drive the demand for these materials in the coming years. The semiconductor industry is subject to stringent environmental regulations, and companies are under pressure to reduce their environmental footprint. High-k and CVD/ALD Metal Precursors are considered environmentally friendly compared to traditional deposition materials, such as metal-organic precursors, which contain toxic or hazardous chemicals.
The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of high-k and cvd ald metal precursors. The growth and trends of high-k and cvd ald metal precursors industry provide a holistic approach to this study.
This section of the high-k and cvd ald metal precursors market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the High-k And CVD ALD Metal Precursors market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the high-k and cvd ald metal precursors market include Air Liquide, Air Products & Chemicals Inc., Praxair, Linde, Dow Chemical, Tri Chemical Laboratories Inc., Samsung, Strem Chemicals Inc., Colnatec, Merck KGAA. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
Note - in company profiling, financial details and recent development are subject to availability or might not be covered in case of private companies