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市場調査レポート
商品コード
1541299
FeRAM(強誘電体メモリ)市場レポート:タイプ、用途、最終用途、地域別、2024年~2032年Ferroelectric RAM Market Report by Type, Application, End Use, and Region 2024-2032 |
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カスタマイズ可能
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FeRAM(強誘電体メモリ)市場レポート:タイプ、用途、最終用途、地域別、2024年~2032年 |
出版日: 2024年08月10日
発行: IMARC
ページ情報: 英文 135 Pages
納期: 2~3営業日
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FeRAM(強誘電体メモリ)の市場の世界市場規模は、2023年に3億2,410万米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、この市場は2032年までに4億2,510万米ドルに達し、2024年から2032年にかけて3%の成長率(CAGR)を示すと予測しています。
FeRAM(強誘電体メモリ)は、ダイナミックRAMの高速読み書きアクセスを提供するRAMを指します。チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)製の薄い強誘電体膜と、プレートに接続されたビット線とコンデンサで構成されます。シリアル・メモリとパラレル・メモリが主に使用されるFeRAMの2つで、パーソナル・デジタル・アシスタント(PDA)、スマートフォンやワイヤレス製品、スマート・メーター、自動車用電子機器、スマート・カード、医療機器やウェアラブル機器などの民生用電子機器に搭載されています。従来から使用されているフラッシュドライブと比較すると、FeRAMは消費電力が少なく、書き込み-消去サイクル数が多く、書き込み性能が高速です。
全世界の情報技術(IT)産業の著しい成長は、市場の見通しを明るくする重要な要因の一つです。さらに、電子ハンドヘルド・デバイスの普及も市場成長の原動力となっています。スマートメーターメーカーも、バッテリー駆動のワイヤレスセンサーを動作させるためにFeRAMを採用し、動作寿命を延ばし、全体的なメンテナンスコストを最小限に抑えています。これが市場の成長をさらに強めています。さらに、産業用モノのインターネット(IIoT)やクラウドコンピューティングソリューションと接続デバイスの統合など、さまざまな技術的進歩が他の成長促進要因として作用しています。最新のFeRAMは、工場設備の試験・計測や産業プロセスの不揮発性データキャプチャのための、連続的で高周波かつ信頼性の高いデータロギングを必要とするアプリケーションに使用されています。その他の要因としては、産業オートメーションの増加、広範な研究開発(R&D)活動などがあり、市場をさらに牽引すると予想されます。
The global ferroelectric RAM market size reached US$ 324.1 Million in 2023. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach US$ 425.1 Million by 2032, exhibiting a growth rate (CAGR) of 3% during 2024-2032.
A ferroelectric random-access memory (RAM), or FRAM, refers to a RAM that provides faster read-and-write access of dynamic RAM. It consists of a thin ferroelectric film made of lead zirconate titanate (PZT), a bit line and a capacitor connected to a plate. Serial and parallel memory are two of the primarily used FRAM, which are installed in consumer electronics, such as personal digital assistants (PDAs), smartphones and wireless products, smart meters, automobile electronics, smart cards and medical and wearable devices. In comparison to the traditionally used flash drives, FRAM consumes lesser power and offers a higher number of write-erase cycles and faster write performance.
Significant growth in the information technology (IT) industry across the globe represents one of the key factors creating a positive outlook for the market. Furthermore, the widespread adoption of electronic handheld devices is also driving the market growth. Smart meter manufacturers are also adopting FRAM to operate battery-powered wireless sensors to increase the operational life and minimize the overall maintenance costs. This, in turn, is further strengthening the market growth. Additionally, various technological advancements, such as the integration of the Industrial Internet of Things (IIoT) and cloud computing solutions with connected devices, are acting as other growth-inducing factors. Modern FRAM is being used for applications that require continuous, high-frequency and highly reliable data logging for the test and measurement of factory equipment and non-volatile data capture of industrial processes. Other factors, including increasing industrial automation, along with extensive research and development (R&D) activities, are anticipated to drive the market further.
IMARC Group provides an analysis of the key trends in each sub-segment of the global ferroelectric RAM market report, along with forecasts at the global, regional and country level from 2024-2032. Our report has categorized the market based on type, application and end use.
Serial Memory
Parallel Memory
Others
Mass Storage
Embedded Storage
Others
Security Systems
Energy Meters
Smart Cards
Consumer Electronics
Wearable Electronics
Automotive Electronics
Others
North America
United States
Canada
Asia Pacific
China
Japan
India
South Korea
Australia
Indonesia
Others
Europe
Germany
France
United Kingdom
Italy
Spain
Russia
Others
Latin America
Brazil
Mexico
Others
Middle East and Africa
The report has also analysed the competitive landscape of the market with some of the key players being Fujitsu Limited (Furukawa Group), Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, LAPIS Semiconductor Co. Ltd. (Rohm Semiconductor), Samsung Electronics Co. Ltd., Texas Instruments Incorporated and Toshiba Corporation.