デフォルト表紙
市場調査レポート
商品コード
1871230

自動車用ゲートドライバIC市場の機会、成長要因、業界動向分析、および2025年~2034年予測

Automotive Gate Driver ICs Market Opportunity, Growth Drivers, Industry Trend Analysis, and Forecast 2025 - 2034


出版日
ページ情報
英文 180 Pages
納期
2~3営業日
カスタマイズ可能
自動車用ゲートドライバIC市場の機会、成長要因、業界動向分析、および2025年~2034年予測
出版日: 2025年10月27日
発行: Global Market Insights Inc.
ページ情報: 英文 180 Pages
納期: 2~3営業日
GIIご利用のメリット
  • 概要

世界の自動車用ゲートドライバIC市場は、2024年に14億米ドルと評価され、2034年までにCAGR5.2%で成長し、23億米ドルに達すると予測されています。

Automotive Gate Driver ICs Market-IMG1

自動車業界全体における急速な電動化は、ゲートドライバICの需要を牽引する主要因の一つであり続けております。電気自動車が新規生産ラインを支配し続ける中、電気モーター、バッテリーシステム、インバータの精密制御に対するニーズが高まっております。ゲートドライバICは、パワートランジスタを管理する基盤となる部品であり、電気自動車の航続距離と信頼性を最適化するために不可欠な効率性、耐熱性、スイッチング性能を向上させます。ゼロエミッション輸送と地球規模のカーボンニュートラル目標の推進により、EVの普及が加速し、高性能・高電圧ドライバーICの需要が40%という大幅な増加を見せています。自動車メーカーや部品メーカーは、航続距離の向上、エネルギー損失の低減、政府の持続可能性要件を満たす高速充電システムの実現に向け、先進的なパワーエレクトロニクスを統合しています。

市場範囲
開始年 2024年
予測年度 2025-2034
開始時価値 14億米ドル
予測金額 23億米ドル
CAGR 5.2%

業界では、シリコンカーバイド(SiC)および窒化ガリウム(GaN)半導体の採用により、自動車向けパワーエレクトロニクスの設計方法を変革する大きな技術的転換が進んでいます。これらのワイドバンドギャップ材料は、従来のシリコンと比較して優れたエネルギー効率、高い電力密度、および高速なスイッチング速度を提供します。自動車メーカーがよりコンパクトで高効率なプラットフォームを開発する中、SiCおよびGaNデバイス向けに最適化されたゲートドライバは、次世代EVアーキテクチャに不可欠なものとなりつつあります。

2024年、絶縁型ゲートドライバICセグメントは2億8,920万米ドルの売上高を記録しました。これは、安全性と性能のために強力な電気的絶縁を必要とする電気自動車およびハイブリッド車の普及拡大に支えられたものです。これらのICは、高過渡電圧を管理しながらパワーステージと制御ステージ間の信頼性の高い通信を可能にし、トラクションインバータ、先進パワートレイン、エネルギー管理システムにおいて不可欠な存在となっています。

シリコンMOSFET(標準Si MOSFET)セグメントは2024年に4億7,260万米ドルの売上高を記録しました。コスト効率、確立されたサプライチェーン、高い信頼性により、これらのICへの需要は安定しています。車載充電器、補助電源システム、自動車用電子機器など、低・中電圧の車両アプリケーションで広く利用されています。従来設計との互換性と安定した性能により、自動車電気システムにおいて引き続き優先的に採用される選択肢となっています。

米国自動車用ゲートドライバIC市場は2024年に3億8,800万米ドル規模であり、2034年までCAGR4.6%で拡大が見込まれます。市場拡大は、クリーンエネルギー技術を促進する強力な連邦政策と、電気自動車(EV)製造の急速な成長によって牽引されています。国内自動車メーカーは革新的なEVパワートレインシステムに多額の投資を行っており、高電圧駆動・充電ソリューションに用いられるSiC(炭化ケイ素)およびGaN(窒化ガリウム)パワーモジュールと互換性のある高効率ゲートドライバICの需要増加につながっています。

グローバル自動車用ゲートドライバIC市場で主要な企業には、NXPセミコンダクターズN.V.、三菱電機株式会社、インフィニオンテクノロジーズAG、ルネサスエレクトロニクス株式会社、モノリシックパワーシステムズ(MPS)、パワーインテグレーションズ社、ブロードコム社、アナログ・デバイセズ社、テキサス・インスツルメンツ社、STマイクロエレクトロニクスN.V.東芝エレクトロニクスデバイス&ストレージ株式会社、オン・セミコンダクター・コーポレーション(onsemi)、ローム株式会社、ダイオード社、マコム・テクノロジー・ソリューションズ社、マイクロチップ・テクノロジー社、セムテック社、バイセイ・インターテクノロジー社、スカイワークス・ソリューションズ社などが挙げられます。自動車用ゲートドライバIC市場の主要企業は、市場での地位を強化するため、イノベーション、製品の差別化、技術提携に注力しています。各社は、EVシステムの効率性、電力密度、熱管理を向上させるため、SiCおよびGaNトランジスタ向けに最適化されたICの開発に多額の投資を行っております。自動車メーカーやティア1サプライヤーとの戦略的提携により、駆動システムや充電システムへの高電圧ICの迅速な統合が可能となっております。

目次

第1章 調査手法と範囲

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 業界考察

  • エコシステム分析
    • サプライヤーの情勢
    • 利益率
    • コスト構造
    • 各段階における付加価値
    • バリューチェーンに影響を与える要因
    • ディスラプション
  • 業界への影響要因
    • 促進要因
      • 電気自動車(EV)の普及拡大
      • 高電力密度およびSiC/GaN技術への移行
      • ADASと自動運転システムの統合の進展
      • 車両の電動化拡大(48Vシステム、ハイブリッドプラットフォーム)
      • 熱管理および断熱技術の進歩
      • 省エネルギー性とコンパクト性を備えたパワーエレクトロニクスに対する需要の増加
    • 業界の潜在的リスク&課題
      • SiC/GaNゲートドライバの高い設計複雑性とコスト
      • 熱的信頼性と電磁干渉(EMI)の問題
  • 成長可能性分析
  • 規制情勢
    • 北米
    • 欧州
    • アジア太平洋地域
    • ラテンアメリカ
    • 中東・アフリカ
  • ポーター分析
  • PESTEL分析
  • 技術とイノベーションの情勢
    • 現在の技術動向
    • 新興技術
  • 価格動向
    • 過去の価格分析(2021-2024)
    • 価格動向の要因
    • 地域別価格変動
    • 価格予測(2025-2034)
  • 価格戦略
  • 新興ビジネスモデル
  • コンプライアンス要件
  • 持続可能性対策
    • 持続可能な材料の評価
    • カーボンフットプリント分析
    • 循環型経済の導入
    • サステナビリティ認証と基準
    • サステナビリティROI分析
  • グローバル消費者意識分析
  • 特許分析

第4章 競合情勢

  • イントロダクション
  • 企業の市場シェア分析
    • 地域別
      • 北米
      • 欧州
      • アジア太平洋地域
      • ラテンアメリカ
      • 中東・アフリカ
    • 市場集中度分析
  • 主要企業の競合ベンチマーキング
    • 財務実績比較
      • 収益
      • 利益率
      • 研究開発
    • 製品ポートフォリオ比較
      • 製品ラインの幅広さ
      • 技術
      • イノベーション
    • 地域別プレゼンス比較
      • グローバル展開分析
      • サービスネットワークカバレッジ
      • 地域別市場浸透率
    • 競合ポジショニングマトリックス
      • リーダー企業
      • 課題者
      • フォロワー
      • ニッチプレイヤー
    • 戦略的展望マトリックス
  • 主な発展, 2021-2024
    • 合併・買収
    • 提携および協力関係
    • 技術的進歩
    • 拡大および投資戦略
    • サステナビリティへの取り組み
    • デジタルトランスフォーメーションの取り組み
  • 新興/スタートアップ競合の情勢

第5章 市場推計・予測:製品タイプ別、2021-2034

  • 主要動向
  • 絶縁型ゲートドライバIC
  • 非絶縁型ゲートドライバIC

第6章 市場推計・予測:スイッチ別、2021-2034

  • 主要動向
  • シリコンMOSFET(標準Si MOSFET)
  • IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
  • シリコンカーバイド(SiC)MOSFET
  • ガリウムナイトライド(GaN)FET
  • ハイブリッド/モジュールベース(Si+SiC/Si+IGBT/共封止ドライバー)
  • その他

第7章 市場推計・予測:トポロジー別、2021-2034

  • 主要動向
  • 片面ドライバー
  • ブリッジドライバ
  • 多相/三相ドライバー
  • その他

第8章 市場推計・予測:自動車用途別、2021-2034

  • 主要動向
  • トラクションインバーター(EV/HEVモーター駆動装置)
  • 車載充電器(OBC)
  • DC-DCコンバータ(高電圧/低電圧)
  • EV充電ステーション(車載/非車載パワーステージ)
  • 電動パワーステアリング/モーターコントローラー
  • アクチュエータ/ドライブ・バイ・ワイヤシステム
  • その他

第9章 市場推計・予測:地域別、2021-2034

  • 主要動向
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
  • 欧州
    • ドイツ
    • 英国
    • フランス
    • スペイン
    • イタリア
    • オランダ
  • アジア太平洋地域
    • 中国
    • インド
    • 日本
    • オーストラリア
    • 韓国
  • ラテンアメリカ
    • ブラジル
    • メキシコ
    • アルゼンチン
  • 中東・アフリカ
    • サウジアラビア
    • 南アフリカ
    • アラブ首長国連邦

第10章 企業プロファイル

  • Analog Devices, Inc.
  • Broadcom Inc.
  • Diodes Incorporated
  • Infineon Technologies AG
  • MACOM Technology Solutions Inc.
  • Microchip Technology Inc.
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Monolithic Power Systems(MPS)
  • NXP Semiconductors N.V.
  • ON Semiconductor Corporation(onsemi)
  • Power Integrations Inc.
  • Renesas Electronics Corporation
  • ROHM Semiconductor
  • Semtech Corporation
  • Skyworks Solutions, Inc.
  • STMicroelectronics N.V.
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation
  • Vishay Intertechnology, Inc.