ワイドバンドギャップ半導体の市場規模、シェア、成長および世界産業分析：タイプ別・用途別、地域別洞察と予測（2026年～2034年）

ワイドバンドギャップ（WBG）半導体市場の成長要因

世界のワイドバンドギャップ（WBG）半導体市場は、高効率電力および高周波電子デバイスへの需要増加により、強い成長勢いを示しております。2025年の市場規模は23億8,000万米ドルと評価され、2026年の27億2,000万米ドルから2034年までに77億米ドルへ成長し、予測期間中のCAGRは13.88％と予測されています。アジア太平洋地域は、強力な製造能力と先進技術の急速な普及に支えられ、2025年に42.02%のシェアで市場をリードしました。

ワイドバンドギャップ半導体には、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、窒化アルミニウム（AlN）などの材料が含まれます。これらの材料は、従来のシリコンと比較して、高い熱安定性、高い絶縁破壊電圧、低い電力損失、過酷な条件下での動作能力など、優れた特性を提供します。その結果、ワイドバンドギャップ半導体は、自動車、通信、パワーエレクトロニクス、民生用電子機器、再生可能エネルギーシステムなど、幅広い分野でますます活用されています。

市場動向

市場を形作る最も顕著な動向の一つは、電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、5GインフラストラクチャにおけるSiCおよびGaN材料の採用拡大です。電気自動車では、これらの材料はパワーインバーター、車載充電器、急速充電ステーションに広く使用され、より高いエネルギー効率とより長い走行距離を実現しています。同様に、太陽光インバーターや風力発電コンバーターなどの再生可能エネルギー用途においても、WBG半導体は電力変換効率とシステムの耐久性を向上させ、世界の持続可能性の目標を支援しています。

市場促進要因

5G通信インフラの急速な拡大が市場成長の主要な促進要因です。高周波・高電力ネットワークの展開には、過酷な条件下でも動作可能な部品が必要です。窒化ガリウム（GaN）は特にこれらの用途に適しており、5G基地局、高周波増幅器、信号伝送装置に広く使用されています。2024年までに世界で320以上の商用5Gネットワークが開始される見込みであり、ワイドバンドギャップ半導体の需要は着実に増加し続けています。

市場抑制要因

堅調な成長見通しにもかかわらず、市場は高い製造コストに関連する課題に直面しています。SiCおよびGaNデバイスの製造には、特殊な装置、複雑な製造プロセス、熟練した労働力が必要であり、従来のシリコンベースの半導体よりも高価となります。さらに、供給業者の限られた可用性や既存システムとの統合上の課題が、コスト重視のアプリケーションにおける採用を遅らせる可能性があります。

市場の機会

世界の電気自動車（EV）需要の拡大は、市場関係者にとって大きな機会となります。2023年には世界中で約1,400万台の新規電気自動車が追加され、EVの総保有台数は4,000万台に達しました。各国政府が補助金や排出規制を通じてEV導入を促進する中、高性能パワーエレクトロニクスの需要は加速すると予想され、今後数年間でワイドバンドギャップ半導体の需要をさらに押し上げる見込みです。

セグメント分析

材料タイプ別では、高出力・高温用途における優れた性能から、2026年に57.13％のシェアを占めるシリコンカーバイド（SiC）が市場を独占しています。窒化ガリウム（GaN）は、5GおよびRFアプリケーションにおける需要増加に牽引され、最も速い成長を記録すると予想されます。

デバイスタイプ別では、パワーデバイスが2026年に48.38%のシェアで市場をリードします。これは電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、産業システムにおける広範な利用によるものです。RFデバイスは予測期間中に最も高いCAGRで成長すると見込まれています。

エンドユーザー別では、自動車セグメントがEVの急速な普及により最大のシェア（2026年時点で29.48%）を占めます。民生用電子機器分野は、GaNベースの急速充電器やコンパクト電源アダプターの利用拡大に支えられ、堅調な成長が見込まれます。

地域別見通し

2026年、アジア太平洋地域は11億6,000万米ドルと評価され、中国、日本、韓国、インドにおける強力な半導体製造エコシステムに支えられ、最も高いCAGRで成長すると予想されます。北米は技術革新とEV普及に牽引され、2026年に7億5,000万米ドルで続きます。欧州は、グリーンエネルギー政策と自動車の電動化を背景に、2026年には5億8,000万米ドルに達すると予測されています。

目次

第1章 導入

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 市場力学

• マクロおよびミクロ経済指標
• 促進要因、抑制要因、機会、および動向

第4章 競合情勢

• 主要企業が採用する事業戦略
• 主要企業の統合SWOT分析
• 世界のワイドバンドギャップ半導体主要企業（上位3～5社）の市場シェア／ランキング（2025年）

第5章 世界のワイドバンドギャップ半導体市場規模の推定・予測：セグメント別（2021-2034年）

• 主な調査結果
• 材料タイプ別
  • 炭化ケイ素（SiC）
  • 窒化ガリウム（GaN）
  • その他（窒化アルミニウム（AIN）、ダイヤモンドなど）
• デバイスタイプ別
  • パワーデバイス
  • 高周波デバイス
  • 光電子デバイス
• エンドユーザー別
  • 自動車
  • 民生用電子機器
  • 電気通信
  • 航空宇宙・防衛
  • エネルギー・電力
  • その他（医療など）
• 地域別
  • 北米
  • 南米
  • 欧州
  • 中東・アフリカ
  • アジア太平洋

第6章 北米のワイドバンドギャップ半導体市場推計・予測（セグメント別、2021年～2034年）

• 国別
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ

第7章 南米のワイドバンドギャップ半導体市場推計・予測（セグメント別、2021年～2034年）

• 国別
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • その他南米諸国

第8章 欧州のワイドバンドギャップ半導体市場推計・予測（セグメント別、2021年～2034年）

• 国別
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • ロシア
  • ベネルクス
  • 北欧諸国
  • その他欧州

第9章 中東・アフリカのワイドバンドギャップ半導体市場推計・予測（セグメント別、2021年～2034年）

• 国別
  • トルコ
  • イスラエル
  • GCC
  • 北アフリカ
  • 南アフリカ
  • その他中東とアフリカ地域

第10章 アジア太平洋地域のワイドバンドギャップ半導体市場推計・予測（セグメント別、2021年～2034年）

• 国別
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • 韓国
  • ASEAN
  • オセアニア
  • その他アジア太平洋地域

第11章 主要10社の企業プロファイル

• Infineon Technologies AG
• STMicroelectronics
• NXP Semiconductors
• ROHM Co., Ltd.
• Macom Technology Solutions
• TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES &STORAGE CORPORATION
• Mitsubishi Electric
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Vishay Intertechnology, Inc.
• Nexperia