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市場調査レポート
商品コード
1945839
窒化ガリウム半導体デバイス市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測：製品別、部品別、エンドユーザー別、地域別＆競合、2021年～2031年Gallium Nitride Semiconductor Devices Market - Global Industry Size, Share, Trends, Opportunity, and Forecast Segmented By Product, By Component, By End-User, By Region & Competition, 2021-2031F |
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カスタマイズ可能
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| 窒化ガリウム半導体デバイス市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測：製品別、部品別、エンドユーザー別、地域別＆競合、2021年～2031年 |
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出版日: 2026年01月19日
発行: TechSci Research
ページ情報: 英文 180 Pages
納期: 2～3営業日
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概要
世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は、2025年の265億6,000万米ドルから2031年までに379億1,000万米ドルへ拡大し、CAGR 6.11％を記録すると予測されております。
広バンドギャップ素子である窒化ガリウムデバイスは、従来のシリコンと比較して熱効率と電子移動度が向上しており、コンパクトで高速な電力変換システムの実現を可能にしております。市場の主要な成長要因としては、民生用電子機器への急速充電機能の普及、効率的な車載充電器を必要とする電動自動車分野への移行、優れた高周波性能を要求する5G通信ネットワークの拡大などが挙げられ、これら全てが高エネルギー密度かつ最小限のスイッチング損失を実現する電力ソリューションの需要を牽引しております。
| 市場概要 | |
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| 予測期間 | 2027-2031 |
| 市場規模：2025年 | 265億6,000万米ドル |
| 市場規模：2031年 | 379億1,000万米ドル |
| CAGR：2026年～2031年 | 6.11％ |
| 最も成長が速いセグメント | トランジスタ |
| 最大の市場 | 北米 |
こうした利点があるにもかかわらず、この分野では、GaN基板の製造コストの高さや複雑なエピタキシャル成長プロセスに起因する大きな課題に直面しており、生産歩留まりや一般的な入手可能性を制限する可能性があります。このような高度な技術を支える幅広い産業の勢いを示すため、半導体産業協会（SIA）は、2025年4月の世界の半導体売上高が570億米ドルに達し、前年同月比22.7％増となったと報告しています。半導体業界におけるこの力強い成長は、多様な分野において効率的な電子部品の必要性が高まっていることを浮き彫りにしています。
市場促進要因
データセンターやAIサーバーにおける電力効率への要求の高まりが、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場の主要な促進要因となっております。人工知能のワークロードには高性能コンピューティングが求められるため、サーバーラックの電力密度要件が増大し、従来のシリコンから、高スイッチング周波数での効率的な動作が可能なワイドバンドギャップ材料への移行が迫られております。その結果、GaNトランジスタは、エネルギーの浪費を抑制し、電力変換ステージの物理的なサイズを縮小するために、電源ユニット（PSU）でますます活用されるようになり、それによってエネルギー集約型のAIプロセッサに関連する熱問題を直接管理しています。この急速な業界成長を裏付けるように、ナビタス・セミコンダクター社は2024年8月発表の「2024年第2四半期決算報告」において、AIデータセンター向け顧客パイプラインが前年の12月以降で倍増し、次世代プラットフォーム向け60件以上の進行中プロジェクトを包含していることを明らかにしました。
並行して、電気自動車の普及拡大と車載充電インフラの拡充が市場要件を根本的に変革しています。自動車メーカーは、大幅な軽量化と強化された熱制御により、より速い充電時間と航続距離の延長を実現するため、車載充電器やトラクションインバーターにGaN技術を組み込んでいます。この自動車動向の規模を反映し、インフィニオン・テクノロジーズは2024年11月発表の「2024年度年次報告書」において、自動車部門の年間売上高が84億2,300万ユーロに達したと報告しました。これは主に電動化への移行とソフトウェア定義車両アーキテクチャの進展が牽引したものです。市場の強力な投資環境と統合をさらに示す事例として、ルネサスエレクトロニクス株式会社は2024年、トランスフォーム社を約3億3,900万米ドルで戦略的買収を完了しました。
市場の課題
窒化ガリウム基板に関連する多大な製造コストとエピタキシャル成長プロセスの複雑性は、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場の拡大にとって重大な障壁となっています。これらの技術的困難は製造歩留まりの低下を招きやすく、専門的で資本集約的な設備を必要とするため、GaN部品の単価は確立されたシリコン代替品に比べて依然として大幅に高止まりしています。この価格差により、コスト意識の高い産業分野ではGaN技術の採用が阻まれ、その用途は主に高性能ニッチアプリケーションに限定されています。この状況は、市場が広範な商業化に必要な規模の経済を達成することを妨げています。
このような高度な生産インフラを維持する財務的負担は、製造業界全体で必要とされる膨大な設備投資に顕著に表れています。SEMIによれば、2025年には前工程向けファブ設備への世界の支出が1,100億米ドルに達すると予測されています。この巨額の資本要件は、新規参入メーカーにとって高い参入障壁となり、既存市場参入企業の事業拡大能力を制限します。その結果、コストの高止まりが継続し、市場の全体的な成長可能性を直接的に阻害しています。
市場動向
業界では現在、8インチGaN-on-Silicon（GaN-on-Si）ウエハー製造への変革的な移行が進んでおり、この動向は単位コストの大幅な削減と生産スケーラビリティの向上をもたらします。メーカー各社は、従来の6インチプラットフォームからより大型の200mm基板への移行を積極的に進めております。これにより、1枚のウエハーあたりのダイ数を増加させるとともに、標準的なシリコンCMOSファウンダリとの互換性を確保できます。この移行は、コストに敏感な分野における大規模導入を促進する上で不可欠であり、従来この技術の適用範囲を制限していた歩留まりやスループットの制約を直接的に解決するものです。この急速な産業拡大を強調するように、タイガー・ブローカーズは2025年7月、『イノサイエンス、8インチGaNウエハー生産能力拡大計画で再び8％超上昇』と題する記事の中で、イノサイエンスが2025年末までに8インチGaNウエハーの生産能力を月間2万枚に増強する意向であると報じました。
同時に、宇宙機関や民間衛星事業者が過酷な宇宙環境向けの信頼性の高いパワーエレクトロニクスを必要とする中、航空宇宙ミッション向け耐放射線GaNソリューションの台頭が勢いを増しています。従来のシリコンとは異なり、GaNデバイスは電離放射線や単一事象効果に対する優れた耐久性を示し、次世代衛星や推進システムにおける高効率電力分配に不可欠な存在となっています。この信頼性により、防衛・宇宙飛行の重要任務向けに特別設計された認定部品の需要が増加しています。この製品進化を示す事例として、EPC Space社は2024年12月のプレスリリース「EPC Space、GaN JANS MIL-PRF-19500認証を取得」において、高信頼性ミッションを支援するため、2025年中に40Vから300Vまでの18種類のJANS認証済み耐放射線GaN HEMT部品をリリースする計画を明らかにしました。
よくあるご質問
目次
第1章 概要
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 顧客の声
第5章 世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場展望
- 市場規模・予測
- 金額別
- 市場シェア・予測
- 製品別（パワー半導体、RF半導体）
- 構成部品別（トランジスタ、パワーIC）
- エンドユーザー別（民生用電子機器、医療）
- 地域別
- 企業別（2025）
- 市場マップ
第6章 北米の窒化ガリウム半導体デバイス市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 北米：国別分析
- 米国
- カナダ
- メキシコ
第7章 欧州の窒化ガリウム半導体デバイス市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 欧州：国別分析
- ドイツ
- フランス
- 英国
- イタリア
- スペイン
第8章 アジア太平洋地域の窒化ガリウム半導体デバイス市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- アジア太平洋地域：国別分析
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- オーストラリア
第9章 中東・アフリカの窒化ガリウム半導体デバイス市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 中東・アフリカ：国別分析
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
- 南アフリカ
第10章 南米の窒化ガリウム半導体デバイス市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 南米：国別分析
- ブラジル
- コロンビア
- アルゼンチン
第11章 市場力学
- 促進要因
- 課題
第12章 市場動向と発展
- 合併と買収
- 製品上市
- 最近の動向
第13章 世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場：SWOT分析
第14章 ポーターのファイブフォース分析
- 業界内の競合
- 新規参入の可能性
- サプライヤーの力
- 顧客の力
- 代替品の脅威
第15章 競合情勢
- Wolfspeed
- Qorvo
- MACOM Technology Solutions Holdings
- Infineon Technologies
- Navitas Semiconductor
- Transphorm
- GaN Systems
- Efficient Power Conversion Corporation
- NXP Semiconductors
- STMicroelectronics
