|
市場調査レポート
商品コード
1938542
フラッシュメモリ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測:タイプ別、用途別、エンドユーザー別、地域別&競合、2021年~2031年Flash Memory Market - Global Industry Size, Share, Trends, Opportunity, and Forecast, Segmented By Type, By Application, By End-User, By Region & Competition, 2021-2031F |
||||||
カスタマイズ可能
|
|||||||
| フラッシュメモリ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測:タイプ別、用途別、エンドユーザー別、地域別&競合、2021年~2031年 |
|
出版日: 2026年01月19日
発行: TechSci Research
ページ情報: 英文 185 Pages
納期: 2~3営業日
|
概要
世界のフラッシュメモリ市場は、2025年の770億6,000万米ドルから2031年までに1,009億9,000万米ドルへ拡大し、CAGR 4.61%を記録すると予測されています。フラッシュメモリは、電源が切れてもデータを保持しつつ、電気的な消去と再プログラミングが可能な不揮発性電子記憶媒体として定義され、現代技術の基盤となっています。本市場の成長は主に、大容量ソリッドステートドライブを必要とするデータセンターの継続的な拡大と、スマートフォンやタブレットなどの民生用電子機器の普及に牽引されています。さらに、先進運転支援システムや車載インフォテインメントユニットが耐久性と信頼性の高い車載ストレージを必要とする自動車分野も、この拡大において重要な役割を果たしています。
| 市場概要 | |
|---|---|
| 予測期間 | 2027-2031 |
| 市場規模:2025年 | 770億6,000万米ドル |
| 市場規模:2031年 | 1,009億9,000万米ドル |
| CAGR:2026年~2031年 | 4.61% |
| 最も成長が速いセグメント | NANDフラッシュメモリ |
| 最大の市場 | アジア太平洋地域 |
最近の業界データは、広範な技術環境におけるこの分野の膨大な経済規模を浮き彫りにしています。半導体産業協会(SIA)の報告によりますと、2024年のメモリ製品の世界売上高は78.9%急増し、総額1,651億米ドルに達しました。この堅調な業績にもかかわらず、業界は半導体価格の周期的な性質に起因する重大な課題に直面しております。需給の不均衡が頻繁に収益の変動を引き起こし、一貫した市場成長と安定性を阻害する可能性があります。
市場促進要因
人工知能(AI)および機械学習(ML)のワークロード急増が主要な市場加速要因として作用し、技術セクター全体のストレージ要件を根本的に再構築しています。特に大規模なトレーニングと推論に用いられるAIモデルは、卓越したデータスループットと低遅延を必要とするため、従来のストレージシステムから高性能なエンタープライズ向けソリッドステートドライブ(SSD)への迅速な移行を促しています。この必要性により、データセンター運営者は生成AIアプリケーションに固有の集中的な入出力操作を管理できる先進的なNANDフラッシュソリューションの採用を迫られています。この移行の財務的意義は、マイクロン・テクノロジー社が2024年9月に発表した「2024年度第4四半期決算」で、データセンター向けSSD収益が初めて10億米ドルを突破したと報告したことで浮き彫りになりました。これは特にAI関連ストレージへの強い需要に支えられたものです。
同時に、クラウドコンピューティングインフラとハイパースケールデータセンターの拡大は、フラッシュメモリの大量消費を継続的に促進しております。クラウドプロバイダーがデジタルトランスフォーメーションを支援するために事業を拡大する中、エネルギー効率の向上と総所有コストの最適化を図るため、大容量SSDの導入が加速しています。このインフラ投資はメモリサプライヤーにとって安定した成長経路を生み出しており、2024年7月に発表されたウエスタンデジタルの「2024年度第4四半期決算報告」では、クラウド部門の収益が前四半期比21%増加したことが示されています。これは企業向けSSD出荷量の増加が一部寄与しています。この勢いは幅広い予測にも反映されており、世界半導体貿易統計(WSTS)は、2024年に世界のメモリ集積回路カテゴリーが81.0%成長し、他のすべての半導体セグメントを上回ると予測しています。
市場の課題
半導体価格の周期的な変動は、世界のフラッシュメモリ市場が持続的に成長する上で大きな障壁となっています。業界は好不況の波を繰り返すパターンを辿っており、需要の高まりが生産拡大の誘因となる一方で、最終的には市場の飽和と在庫過剰を招きます。供給が消費を上回ると、メーカーは過剰在庫を処分するため平均販売価格を引き下げざるを得ず、収益は急激かつ即座に減少します。この変動性は長期的な財務計画を乱し、企業が設備更新や技術移行に向けた着実な設備投資を継続することを困難にしています。
市場参入企業は、こうした予測不可能な価格変動に対応しながら安定した利益率を維持することが困難であり、結果として慎重な投資戦略が採られ、全体的な発展が阻害されることが少なくありません。この本質的な不安定性は、業界内の成長予測に大きなばらつきが見られることからも明らかです。例えば、世界半導体貿易統計(WSTS)は2024年、メモリ分野の成長率が翌年には25.2%に減速すると予測しています。こうしたデータは、市場が直線的な進展を維持するのではなく、評価額の大幅な変動を通じて頻繁に自己調整を行うため、メーカーが対応を迫られる不安定な軌道を如実に示しています。
市場動向
300層3D NAND技術の進展は、メーカー各社がウエハー当たりの記憶密度と生産効率を最大化するため、垂直積層を積極的に追求する重要な転換点を示しています。この動向は、チップの物理的面積を拡大せずにビット出力を大幅に増加させる複雑な多層積層構造への移行により、物理的な微細化の限界に対処するものです。これらのプロセス革新は、ギガバイト当たりの製造コスト削減に不可欠であり、市場価格の変動にもかかわらずサプライヤーが収益性を維持することを可能にします。2024年11月、SKハイニックスは世界初の321層NANDフラッシュの量産を発表し、その「3プラグ」プロセス技術が前世代比で生産性を59%向上させたことを明示し、この垂直スケーリングの運用上の利点を実証しました。
エンタープライズストレージにおけるクワッドレベルセル(QLC)技術の普及は、読み込み中心のワークロード向けに従来のハードディスクドライブに代わる高密度ソリューションを提供することで市場構造を変革しています。セルあたり4ビットのデータを格納するQLCフラッシュは容量を大幅に改善し、従来は磁気メディアが主流であったセカンダリストレージ層やウォームデータアーカイブにおいて、オールフラッシュアレイの経済的競争力を高めています。このアーキテクチャの進化により、データセンター運営者はインフラの設置面積を統合しつつストレージ密度を向上させることが可能となります。サムスン電子は2024年9月のプレスリリースにおいて、QLC第9世代V-NANDの量産開始を発表し、この新チップが前世代比で約86%高いビット密度を達成したことを強調しました。これは、エンタープライズ分野の移行を推進する急速な技術的スケーリングを裏付けるものです。
よくあるご質問
目次
第1章 概要
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 顧客の声
第5章 世界のフラッシュメモリ市場展望
- 市場規模・予測
- 金額別
- 市場シェア・予測
- 種類別(NANDフラッシュメモリ、NORフラッシュメモリ)
- 用途別(スマートフォン、デジタルカメラ、USBフラッシュドライブ、ソリッドステートドライブ、タブレット&ノートパソコン、ゲーム機、メディアプレーヤー)
- エンドユーザー別(企業、産業、個人/個人向け)
- 地域別
- 企業別(2025)
- 市場マップ
第6章 北米のフラッシュメモリ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 北米:国別分析
- 米国
- カナダ
- メキシコ
第7章 欧州のフラッシュメモリ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 欧州:国別分析
- ドイツ
- フランス
- 英国
- イタリア
- スペイン
第8章 アジア太平洋地域のフラッシュメモリ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- アジア太平洋地域:国別分析
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- オーストラリア
第9章 中東・アフリカのフラッシュメモリ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 中東・アフリカ:国別分析
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
- 南アフリカ
第10章 南米のフラッシュメモリ市場展望
- 市場規模・予測
- 市場シェア・予測
- 南米:国別分析
- ブラジル
- コロンビア
- アルゼンチン
第11章 市場力学
- 促進要因
- 課題
第12章 市場動向と発展
- 合併と買収
- 製品上市
- 最近の動向
第13章 世界のフラッシュメモリ市場:SWOT分析
第14章 ポーターのファイブフォース分析
- 業界内の競合
- 新規参入の可能性
- サプライヤーの力
- 顧客の力
- 代替品の脅威
第15章 競合情勢
- Samsung Electronics Co., Ltd.
- Toshiba Memory Corporation
- Western Digital Corporation
- Micron Technology, Inc.
- SK Hynix Inc.
- Intel Corporation
- Sony Corporation
- Kingston Technology Corporation
- Seagate Technology PLC
- Silicon Motion Technology Corporation

