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市場調査レポート
商品コード
1877914
ストレージクラスメモリ・ディスプレイの世界市場レポート 2025年Storage-Class Memory-Display Global Market Report 2025 |
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カスタマイズ可能
適宜更新あり
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| ストレージクラスメモリ・ディスプレイの世界市場レポート 2025年 |
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出版日: 2025年11月21日
発行: The Business Research Company
ページ情報: 英文 250 Pages
納期: 2～10営業日
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概要
ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場の規模は、近年急激に拡大しております。2024年の58億6,000万米ドルから、2025年には74億3,000万米ドルへと、CAGR26.9％で成長が見込まれております。これまでの成長は、バイオインフォマティクスツールの導入拡大、ゲノミクスおよびプロテオミクス研究の進展、生物学的データ管理のためのクラウドコンピューティングの進化、個別化医療への需要増加、ならびにライフサイエンス研究を支援する政府資金によって牽引されてまいりました。
ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場の規模は、今後数年間で急激な成長が見込まれます。2029年には194億4,000万米ドルに達し、CAGRは27.2％となる見込みです。予測期間における成長は、人工知能（AI）および機械学習ワークロードの拡大、5G対応デバイスの需要増加、省エネルギー型メモリソリューションの必要性増大、自動車用インフォテインメントおよびAR/VRディスプレイの普及拡大、エッジデバイスにおける低遅延コンピューティングの需要と関連付けられます。予測期間における主な動向としては、ヘテロジニアスメモリアーキテクチャへの移行、SCMとOLEDおよびマイクロLEDディスプレイの統合、メモリメーカーとディスプレイメーカー間の連携強化、3Dクロスポイントメモリおよび抵抗性RAM技術の開発、半導体レジリエンスのためのサプライチェーン多様化への注力などが挙げられます。
人工知能（AI）および機械学習ワークロードの導入増加は、今後ストレージクラスメモリ市場の成長を促進すると予想されます。人工知能（AI）および機械学習ワークロードとは、データ処理、モデルトレーニング、推論、最適化を含む、AIモデルのトレーニング、検証、展開に関わる計算タスクおよびプロセスを指します。大規模なデータセットにより、企業や研究者が洞察を得て、業務を自動化し、意思決定を改善するのに役立つ正確なモデルの開発が可能となるため、AIおよび機械学習ワークロードの採用は増加しています。AIおよび機械学習ワークロードの利用拡大に伴い、ストレージクラスメモリへの需要が高まっています。これらのプロセスは膨大な量のデータを生成し、情報を効率的に処理・分析・検索するために、超高速・低遅延・高耐久性を備えたメモリソリューションを必要とします。これにより、リアルタイムかつ大規模な計算アプリケーションにおいて、信頼性が高くシームレスなパフォーマンスが保証されるのです。例えば、米国ソフトウェア開発企業フレクセラ社によれば、2025年3月時点でAI導入は増加傾向にあり、2025年には組織の76%がモデル支援にデータウェアハウスを活用し、72%が生成AIを活用する見込みです（2024年は47%）。したがって、人工知能（AI）および機械学習ワークロードの導入増加が、ストレージクラスメモリ市場の成長を促進しています。
ストレージクラスメモリ市場で事業を展開する主要企業は、大容量メモリへの容易な拡張性を実現するため、クロスバー技術統合型メモリモジュールの開発に注力しています。クロスバー技術統合型メモリモジュールは、クロスバーグリッド構造を採用した先進的なメモリユニットであり、コンパクト設計、高速性能、低消費電力を実現し、効率的なデータ保存とアクセスを可能にします。例えば、2025年2月には、次世代メモリチップの中国メーカーであるNumemory社が、64Gbのストレージクラスメモリモジュール「NM101」を発表しました。このデバイスはクロスバーアーキテクチャに基づく3Dセレクタオンリーメモリ設計を採用しており、最大3200 MT/sの転送速度を実現する高性能ストレージクラスメモリを可能にしています。アレイ内の各クロスポイントは単一のセレクタによって管理され、効率的なデータ制御を保証します。3D積層技術と1.2V動作のX8バスを採用したNM101は、従来のNANDフラッシュと比較して最大10倍の読み書き速度を実現し、高速かつスケーラブルなメモリ技術における大きな進歩を示しています。
よくあるご質問
目次
第1章 エグゼクティブサマリー
第2章 市場の特徴
第3章 市場動向と戦略
第4章 市場：金利、インフレ、地政学、貿易戦争と関税、そしてコロナ禍と回復が市場に与える影響を含むマクロ経済シナリオ
第5章 世界の成長分析と戦略分析フレームワーク
- 世界のストレージクラスメモリディスプレイ：PESTEL分析（政治、社会、技術、環境、法的要因、促進要因と抑制要因）
- 最終用途産業の分析
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：成長率分析
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場の実績：規模と成長, 2019-2024
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場の予測：規模と成長, 2024-2029, 2034F
- 世界のストレージクラスメモリディスプレイ：総潜在市場規模（TAM）
第6章 市場セグメンテーション
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）
- NANDフラッシュメモリ（NAND）
- 三次元クロスポイント（3D Xpoint）
- 相変化メモリ（PCM）
- 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）
- 抵抗性ランダムアクセスメモリ（RRAMまたはReRAM）
- その他のタイプ
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：提供別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- ハードウェア
- ソフトウェア
- サービス
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：技術別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- 不揮発性
- 揮発性
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：展開モデル別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- パブリッククラウド
- プライベートクラウド
- ハイブリッドクラウド
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：エンドユーザー別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- 情報技術および電気通信
- ヘルスケア
- 自動車
- 消費財
- 製造
- その他のエンドユーザー
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーション ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- 同期型ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）
- ダブルデータレートDRAM（DDRAM）
- 低消費電力DRAM（LPDRAM）
- 登録型DRAM（RDRAM）
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーションNANDフラッシュメモリ（NAND）、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- シングルレベルセル（SLC）
- マルチレベルセル（MLC）
- トリプルレベルセル（TLC）
- クワッドレベルセル（QLC）
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーション 三次元クロスポイント（3D Xpoint）、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- インテルオプテインメモリ
- マイクロン社製Xpointモジュール
- ハイブリッドメモリモジュール
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーション 相変化メモリ（PCM）、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- シングルレベルセル（SLC）相変化メモリ
- マルチレベルセル（MLC）相変化メモリ
- 組込み型相変化メモリ（PCM）
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーション 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- スピン転移トルクMRAM（STT-MRAM）
- トグルMRAM
- 組み込み型MRAM
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーション 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ（RRAMまたはReRAM）、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- フィラメントベース抵抗変化型ランダムアクセスメモリ
- 酸化物ベース抵抗変化型ランダムアクセスメモリ
- 三次元（3D）抵抗変化型ランダムアクセスメモリ
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：サブセグメンテーション その他タイプ別、タイプ別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- 強誘電体ランダムアクセスメモリ（FerAM）
- ストレージクラスハイブリッドメモリ
- 不揮発性メモリエクスプレス（NVMe）
第7章 地域別・国別分析
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：地域別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
- 世界のストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：国別、実績と予測, 2019-2024, 2024-2029F, 2034F
第8章 アジア太平洋市場
第9章 中国市場
第10章 インド市場
第11章 日本市場
第12章 オーストラリア市場
第13章 インドネシア市場
第14章 韓国市場
第15章 西欧市場
第16章 英国市場
第17章 ドイツ市場
第18章 フランス市場
第19章 イタリア市場
第20章 スペイン市場
第21章 東欧市場
第22章 ロシア市場
第23章 北米市場
第24章 米国市場
第25章 カナダ市場
第26章 南米市場
第27章 ブラジル市場
第28章 中東市場
第29章 アフリカ市場
第30章 競合情勢と企業プロファイル
- ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：競合情勢
- ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場：企業プロファイル
- Intel Corporation Overview, Products and Services, Strategy and Financial Analysis
- Micron Technology Inc. Overview, Products and Services, Strategy and Financial Analysis
- Kioxia Holdings Corporation（Toshiba Memory Holding Corporation）Overview, Products and Services, Strategy and Financial Analysis
- SK Hynix Inc. Overview, Products and Services, Strategy and Financial Analysis
- Weebit Nano Ltd. Overview, Products and Services, Strategy and Financial Analysis
第31章 その他の大手企業と革新的企業
- 4DS Memory Limited
- Hewlett Packard Enterprise（HPE）
- Marvell Technology Group
- Fujitsu Limited
- Renesas Electronics Corporation
- Everspin Technologies Inc.
- International Business Machines Corp.
- Netlist Inc.
- NVIDIA Corporation
- Nantero Inc.
- Avalanche Technology Inc.
- Spin Memory Inc.
- STMicroelectronics NV
- Sandisk Corporation（Fusion-io）
- Seagate Technology Holdings Public Limited Company
第32章 世界の市場競合ベンチマーキングとダッシュボード
第33章 主要な合併と買収
第34章 最近の市場動向
第35章 市場の潜在力が高い国、セグメント、戦略
- ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場2029：新たな機会を提供する国
- ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場2029：新たな機会を提供するセグメント
- ストレージクラスメモリ・ディスプレイ市場2029：成長戦略
- 市場動向に基づく戦略
- 競合の戦略
