世界のGaN産業の現状

GaN (窒化ガリウム) は、高い絶縁破壊電界強度、高い飽和電子ドリフト速度、強い耐放射線性、良好な化学的安定性などの優れた特性により、オプトエレクトロニクス・パワー半導体・高周波マイクロ波RFコンポーネントの製造を可能にします。このためGaNは、LED・変圧器・データセンター・5G通信・EVなどの用途に理想的です。

GaN結晶の成長は、GaN-Si・SiC・サファイア以外の基板に大きく依存しています。当レポートでは、GaN産業の詳細動向について、GaNパワーコンポーネント・マイクロ波RFコンポーネント・原材料に焦点を当てながら分析しております。

TRIは半導体、テレコミュニケーション、IoT、自動車システム、人工知能、新興技術のアプリケーション、主要地域市場（米国、欧州、日本、韓国、中国、台湾など）の最新動向など、幅広いテーマに取り組んできた調査会社です。1996年に設立され、2015年にTrendForceの一部となりました。TRIのサービスは、新しく形成される技術産業や地域開発に関するトレンドを的確に把握することから、様々なタイプの組織から高い評価を得ています。

当レポートではGaN産業の現状についてTRIの見解を提供します。

目次

第1章 GaNパワーコンポーネントの現在の動向

第2章 GaNマイクロ波RFコンポーネントの現在の動向

第3章 GaN基板とエピタキシャル材料の現在の動向

第4章 TRIの見解

GaN, with its superior properties such as high breakdown field strength, high saturation electron drift velocity, strong radiation resistance, and good chemical stability, enables the manufacture of optoelectronics, power semiconductors, and high-frequency microwave RF components. This makes GaN ideal for applications including LEDs, transformers, data centers, 5G communications, and EVs.

Growing GaN crystal largely depends on substrates other than GaN-Si, SiC, and Sapphire. This report provides a detailed breakdown of the GaN industry, with a focus on GaN power components, microwave RF components, and raw materials.

TABLE OF CONTENTS

1. Current Development of GaN Power Components

2. Current Development of GaN Microwave RF Components

3. Current Development of GaN Substrates and Epitaxial Materials

4. TRI's View