NEV用SiC-MOSFETの開発に関する分析

Tesla車の好調な販売に牽引され、NEVに使用されるSiC-MOSFETパワーチップは2023年まで高い成長率を維持すると予想されます。同時に、車載充電器（OBC）、インバータ、DCDCコンバータなど、車種の主要な電子制御部品にSiC-MOSFETを組み込み、全体的な走行距離を向上させる自動車メーカーが増えています。パワー半導体産業の発展は現在、IDMが主導しています。しかし、SiC材料の歩留まりの低さと、従来のIGBTチップに比べて高いコストは、依然として制約とみなされています。歩留まり向上とコスト削減は、パワー半導体サプライヤーにとって今後の主要課題となると見られています。

TRIは半導体、テレコミュニケーション、IoT、自動車システム、人工知能、新興技術のアプリケーション、主要地域市場（米国、欧州、日本、韓国、中国、台湾など）の最新動向など、幅広いテーマに取り組んできた調査会社です。1996年に設立され、2015年にTrendForceの一部となりました。TRIのサービスは、新しく形成される技術産業や地域開発に関するトレンドを的確に把握することから、様々なタイプの組織から高い評価を得ています。

当レポートでは新エネルギー車用SiC-MOSFETについてTRIの見解を提供します。

目次

• 1.パワーコンポーネントのイントロダクション
• 2.NEV用SiC-MOSFET市場の現状
• 3.NEV用SiC-MOSFETの開発動向
• 4.TRIの見解

Driven by the strong sales of Tesla vehicles, SiC-MOSFET power chips used for NEVs are expected to maintain a high growth rate by 2023. At the same time, an increasing number of automotive manufacturers are incorporating SiC-MOSFETs into key electronic control components of their models, such as on-board chargers (OBC), inverters, and DCDC converters, to enhance overall driving range. The development of the power semiconductor industry is currently led by IDMs. However, the low yield of SiC materials and the higher cost compared to traditional IGBT chips are still regarded as constraints. Improving yield and reducing costs will be the primary challenge for power semiconductor suppliers in the future.

Table of Contents

• 1. Introduction to Power Components
• 2. Current Market Status of SiC-MOSFET for NEVs
• 3. Development Trends of SiC-MOSFET for NEVs
• 4. TRI's View