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市場調査レポート
商品コード
1923142
ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の世界市場レポート2026年Gallium Arsenide (GaAs) Radio Frequency (RF) Semiconductor Global Market Report 2026 |
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カスタマイズ可能
適宜更新あり
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| ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の世界市場レポート2026年 |
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出版日: 2026年01月22日
発行: The Business Research Company
ページ情報: 英文 250 Pages
納期: 2～10営業日
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概要
ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の規模は、近年著しい成長を遂げております。2025年の22億3,000万米ドルから2026年には23億8,000万米ドルへと、CAGR 7.0％で拡大が見込まれております。過去数年間の成長は、無線通信ネットワークの拡大、マイクロ波用途におけるGaAsの早期採用、防衛電子機器支出の増加、衛星通信システムの拡充、高周波RF性能への需要増などが要因とされています。
ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場規模は、今後数年間で力強い成長が見込まれます。2030年には30億6,000万米ドルに達し、CAGRは6.5％となる見込みです。予測期間における成長要因としては、先進的な5Gおよび将来の6Gネットワークの展開、コネクテッドカーおよび自動運転車の普及拡大、宇宙・衛星プログラムの成長、高帯域幅データ伝送需要の増加、化合物半導体製造技術の進歩などが挙げられます。予測期間における主な動向としては、5Gインフラにおけるガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の採用拡大、高効率RFパワーアンプの需要増加、レーダー・防衛システムへのGaAsデバイスの統合進展、衛星通信分野でのGaAs RF部品の普及拡大、自動車コネクティビティ分野でのGaAs RF半導体利用の増加が挙げられます。
5G技術の台頭は、ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の成長を牽引すると予想されます。5Gはモバイルネットワークの最新進化形であり、より高速なデータ通信速度、低遅延、信頼性の高い接続を約束します。スマートフォンやデータ集約型アプリケーションの拡大に後押しされ、より高速で信頼性の高いモバイルインターネットへの需要が高まっていることから、この技術の採用が進んでいます。GaAs RF半導体は、高い電子移動度と高周波数動作を実現することで、信号の送受信性能を向上させ、速度・容量・カバレッジの改善に寄与し、5Gにおいて極めて重要な役割を果たします。例えば、2023年9月時点で北米の5G普及率は40％という驚異的な数値を達成し、同年上半期には25.5％の成長率を記録しました。予測によれば、北米の5G接続数は2028年までに6億6,900万件に達する可能性があり、5G技術がガリウムヒ素（GaAs）RF半導体市場に与える大きな影響が浮き彫りとなっています。
ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の主要企業は、高周波性能の向上、電力効率の改善、次世代5Gおよび無線通信アプリケーションの支援を目的として、窒化ガリウム（GaN）単極双投（SPDT）スイッチなどの技術革新に注力しています。GaN SPDTスイッチは、高電力効率、低損失、高速スイッチングを実現し、1つの入力信号を2つの出力に分配する高周波RFスイッチであり、5Gや無線通信で広く使用されています。例えば、2025年6月には、米国に本拠を置くRF半導体企業であるタゴール・テクノロジーズ社が、5G TDDアプリケーション向けのコンパクトで高出力なRF受信フロントエンドモジュール「TSL8028N」を発表しました。このモジュールは、ネットワーク性能の向上、設置面積の削減、先進的な5G基地局の展開を支援するよう設計されており、次世代通信インフラにおける効率的で信頼性の高いGaAs RF部品への需要の高まりに対応しています。
よくあるご質問
目次
第1章 エグゼクティブサマリー
第2章 市場の特徴
- 市場定義と範囲
- 市場セグメンテーション
- 主要製品・サービスの概要
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：魅力度スコアと分析
- 成長可能性分析、競合評価、戦略適合性評価、リスクプロファイル評価
第3章 市場サプライチェーン分析
- サプライチェーンとエコシステムの概要
- 一覧：主要原材料・資源・供給業者
- 一覧：主要な流通業者、チャネルパートナー
- 一覧：主要エンドユーザー
第4章 世界の市場動向と戦略
- 主要技術と将来動向
- モノのインターネット（IoT）、スマートインフラストラクチャ、および接続されたエコシステム
- デジタル化、クラウド、ビッグデータ及びサイバーセキュリティ
- 自律システム、ロボティクス、スマートモビリティ
- 電気モビリティ及び輸送の電動化
- インダストリー4.0とインテリジェント製造
- 主要動向
- 5GインフラにおけるGaAs RF半導体の採用拡大
- 高効率RFパワーアンプの需要拡大
- レーダーおよび防衛システムにおけるGaAsデバイスの統合の進展
- 衛星通信におけるGaAs RF部品の拡大
- 自動車コネクティビティにおけるGaAs RF半導体の利用拡大
第5章 最終用途産業の市場分析
- 通信機器メーカー
- 航空宇宙企業
- 防衛機関
- 自動車電子機器メーカー
- 民生機器メーカー
第6章 市場：金利、インフレ、地政学、貿易戦争と関税の影響、関税戦争と貿易保護主義によるサプライチェーンへの影響、コロナ禍が市場に与える影響を含むマクロ経済シナリオ
第7章 世界の戦略分析フレームワーク、現在の市場規模、市場比較および成長率分析
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：PESTEL分析（政治、社会、技術、環境、法的要因、促進要因と抑制要因）
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場規模、比較、成長率分析
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の実績：規模と成長、2020年～2025年
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の予測：規模と成長、2025年～2030年、2035年
第8章 市場における世界の総潜在市場規模（TAM）
第9章 市場セグメンテーション
- デバイス別
- パワーアンプ、低雑音増幅器、フィルタ・デュプレクサ、高周波（RF）ミキサー、スイッチ、その他のデバイス
- 帯域別
- 超高周波（UHF）、極高周波（VHF）
- 動作電圧別
- 5V以下、5.1V～20V、20V超
- 最終用途別
- 通信、民生機器、航空宇宙、防衛・衛星通信、自動車、コミュニティアンテナテレビ（CATV）・有線ブロードバンド、その他の最終用途
- パワーアンプのサブセグメンテーション、タイプ別
- 高周波電力増幅器、マイクロ波電力増幅器、広帯域電力増幅器、低電力GaAs増幅器
- 低雑音増幅器（LNA）のサブ分類、タイプ別
- 広帯域低雑音増幅器（LNA）、狭帯域低雑音増幅器（LNA）、極低温用低雑音増幅器（LNA）、超低雑音GaAs増幅器
- フィルタ・デュプレクサのサブセグメンテーション、タイプ別
- バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、高周波デュプレクサ、ダイプレクサ
- 高周波（RF）ミキサーのサブ分類、タイプ別
- 能動型高周波ミキサー、受動型高周波ミキサー、ダブルバランス型ミキサー、シングルバランス型ミキサー
- スイッチのサブ分類（タイプ別）
- 単極双投（SPDT）スイッチ、単極多投（SPMT）スイッチ、RF PINダイオードスイッチ、GaAs FETスイッチ
- その他のデバイスのサブセグメンテーション、タイプ別
- 発振器、位相シフト器、減衰器、電圧制御発振器（VCO）、変調器および復調器
第10章 地域別・国別分析
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：地域別、実績と予測、2020年～2025年、2025年～2030年、2035年
- 世界のガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：国別、実績と予測、2020年～2025年、2025年～2030年、2035年
第11章 アジア太平洋市場
第12章 中国市場
第13章 インド市場
第14章 日本市場
第15章 オーストラリア市場
第16章 インドネシア市場
第17章 韓国市場
第18章 台湾市場
第19章 東南アジア市場
第20章 西欧市場
第21章 英国市場
第22章 ドイツ市場
第23章 フランス市場
第24章 イタリア市場
第25章 スペイン市場
第26章 東欧市場
第27章 ロシア市場
第28章 北米市場
第29章 米国市場
第30章 カナダ市場
第31章 南米市場
第32章 ブラジル市場
第33章 中東市場
第34章 アフリカ市場
第35章 市場規制状況と投資環境
第36章 競合情勢と企業プロファイル
- ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：競合情勢と市場シェア、2024年
- ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：企業評価マトリクス
- ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場：企業プロファイル
- Skyworks Solutions Inc.
- WIN Semiconductors Corp.
- IQE plc
- AXT Inc.
- Advanced Wireless Semiconductor Company
第37章 その他の大手企業と革新的企業
- Anadigics Inc., IntelliEPI Inc., Wafer Technology Ltd., Freiberger Compound Materials GmbH, Vital Materials Co. Ltd., Xinxiang Shenzhou Crystal Technology Co. Ltd., Qorvo Inc., MACOM Technology Solutions Holdings Inc., CST Global Ltd., Epistar Corporation, Sumitomo Electric Device Innovations Inc., Coherent Corp., Global Communication Semiconductors LLC, Ommic SAS, San'an Optoelectronics Co. Ltd.
第38章 世界の市場競合ベンチマーキングとダッシュボード
第39章 主要な合併と買収
第40章 市場の潜在力が高い国、セグメント、戦略
- ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場2030年：新たな機会を提供する国
- ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場2030年：新たな機会を提供するセグメント
- ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場2030年：成長戦略
- 市場動向に基づく戦略
- 競合の戦略
