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市場調査レポート
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1744566

パワートランジスタ市場の2032年までの予測: タイプ、材料、電圧範囲、技術、用途、地域別の世界分析

Power Transistor Market Forecasts to 2032 - Global Analysis By Type, Material, Voltage Range, Technology, Application and By Geography


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英文 200+ Pages
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2~3営業日
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パワートランジスタ市場の2032年までの予測: タイプ、材料、電圧範囲、技術、用途、地域別の世界分析
出版日: 2025年06月06日
発行: Stratistics Market Research Consulting
ページ情報: 英文 200+ Pages
納期: 2~3営業日
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概要

Stratistics MRCによると、パワートランジスタの世界市場は2025年に166億米ドルを占め、予測期間中のCAGRは6.8%で成長し、2032年には264億米ドルに達する見込みです。

パワートランジスタは、大電流・大電圧を扱うように設計された半導体デバイスで、電力増幅、スイッチング、レギュレーションなどの用途で一般的に使用されます。電子回路のスイッチや増幅器として機能し、エネルギー損失を最小限に抑えながら大電力を効率的に制御します。パワートランジスタは、電源、モーター・コントローラー、オーディオ・アンプなどの機器に不可欠です。大電力動作時の熱を管理し、損傷を防ぐために堅牢な構造で作られています。代表的なタイプにはバイポーラ・ジャンクション・トランジスタ(BJT)と金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)があり、それぞれスイッチング速度、効率、電流処理能力に基づいて異なる性能ニーズに適しています。

エネルギー効率の高い電子機器への需要の高まり

エネルギー効率の高い電子機器に対する需要の高まりが、パワートランジスタ市場の成長を大きく後押ししています。消費者と産業界がエネルギー消費の削減と持続可能な技術を優先する中、電力フローの管理と最適化に不可欠なパワートランジスタが不可欠となっています。スマート・デバイス、電気自動車、再生可能エネルギー・システムの革新がこの動向をさらに後押ししています。メーカー各社は、効率基準を満たすために先端半導体材料や設計への投資を増やしており、パワートランジスタをエネルギー重視のソリューションへの世界のシフトを実現する重要なイネーブラーとして位置付けています。

先端材料(GaN、SiC)の高コスト

GaNやSiCのような先端材料の高コストは、特にコスト重視のアプリケーションでの普及を制限し、パワートランジスタ市場の大きな妨げとなっています。この価格障壁は技術革新を遅らせ、従来のシリコンベースのトランジスタに対する競合力を低下させ、市場の成長を制限します。メーカーは、経済的に生産規模を拡大するという課題に直面しており、エンドユーザーにとって手頃な価格の選択肢が少なくなっています。その結果、市場全体の拡大と技術浸透に悪影響が及び、潜在的な効率と性能の向上が遅れることになります。

電気自動車(EV)の拡大

電気自動車(EV)の普及拡大がパワートランジスタ市場の成長を後押ししています。パワートランジスタは、EVの効率的なエネルギー変換、モーター制御、バッテリー管理に不可欠です。SiCやGaNのようなワイドバンドギャップ半導体は効率と性能に優れており、こうした需要の高まりを受けて開発・生産が加速しています。パワートランジスタは、EVの世界の普及とともに高度なパワー・エレクトロニクスの需要が高まる中、市場を力強く着実に拡大させている重要な部品です。

熱管理の課題

熱管理の課題は、過熱、信頼性の低下、デバイス寿命の短縮を引き起こし、パワートランジスタ市場を大きく阻害します。過剰な熱は性能劣化、故障率の増加、冷却コストの上昇につながり、ハイパワー・アプリケーションでの採用を制限します。これらの問題は、設計の複雑さと製造コストを高め、技術革新の妨げとなり、市場の成長を鈍化させる。その結果、非効率なサーマルソリューションはパワートランジスタの効率とスケーラビリティを制限し、堅牢で高性能な半導体部品に依存する産業に影響を与えます。

COVID-19の影響

COVID-19の大流行は、サプライチェーンの中断と産業需要の減少によりパワートランジスタ市場を混乱させました。製造の減速と物流の課題により、一時的な不足と遅れが生じました。しかし、遠隔作業技術や再生可能エネルギー・ソリューションに対する需要の増加が損失を部分的に相殺しました。パンデミック後の回復が市場成長の原動力となり、電気自動車やスマートデバイスの普及がパワートランジスタ需要を押し上げました。全体として、パンデミックは短期的には後退をもたらしたが、長期的には市場の変革を加速させました。

予測期間中、通信分野が最大になる見込み

スマートフォン、基地局、衛星システムなどの機器では、効率的な高周波部品が求められているため、予測期間中、通信分野が最大の市場シェアを占めると予想されます。4G/5Gインフラの急速な拡大に伴い、パワートランジスタは信頼性の高い信号伝送とエネルギー効率を確保するために不可欠となりました。このようなデータトラフィックと接続ニーズの急増は、技術革新と生産に拍車をかけ、通信分野を市場の持続的成長と技術進歩の重要な貢献者にしています。

予測期間中、ダーリントン・トランジスタ分野のCAGRが最も高くなる見込み

予測期間中、ダーリントン・トランジスタ・セグメントが最も高い成長率を示すと予測されます。ダーリントン・トランジスタは、少ない入力電流でより大きな負荷を処理することで、パワーアンプや制御システムに最適となり、産業用および民生用エレクトロニクス分野での需要が増加したためです。最盛期には、2つのトランジスタを1つのパッケージに集積することで回路設計を簡素化し、部品点数を減らした結果、市場が成長しました。これにより、創造性とコンパクトな製品開発が促進されました。

最大のシェアを占める地域:

予測期間中、民生用電子機器の需要拡大や自動車技術の進歩により、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めると予想されます。中国、日本、韓国などの国々が半導体製造をリードし、技術革新と供給を促進しています。再生可能エネルギーと電気自動車を支援する政府のイニシアチブは、市場拡大をさらに加速します。この地域の強力な製造インフラと5GおよびIoT技術への投資の増加は引き続き市場にプラスの影響を与え、持続的な開発と国際競争力を確保します。

CAGRが最も高い地域:

予測期間中、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、高度な産業オートメーションの採用拡大により、北米地域が最も高いCAGRを示すと予測されます。この地域の強力な技術インフラは、クリーンエネルギー構想に対する政府の支援と相まって、効率的な電源管理ソリューションの需要を加速しています。さらに、主要な市場参入企業はトランジスタの性能向上のために研究開発に投資しており、技術革新と競争力を促進しています。このような積極的な動きは、北米をパワー半導体の進歩にとって極めて重要な拠点として位置づけています。

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  • 企業プロファイル
    • 追加市場プレーヤーの包括的プロファイリング(3社まで)
    • 主要企業のSWOT分析(3社まで)
  • 地域セグメンテーション
    • 顧客の関心に応じた主要国の市場推計・予測・CAGR(注:フィージビリティチェックによる)
  • 競合ベンチマーキング
    • 製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、戦略的提携に基づく主要企業のベンチマーキング

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 序文

  • 概要
  • ステークホルダー
  • 調査範囲
  • 調査手法
    • データマイニング
    • データ分析
    • データ検証
    • 調査アプローチ
  • 調査資料
    • 1次調査資料
    • 2次調査情報源
    • 前提条件

第3章 市場動向分析

  • 促進要因
  • 抑制要因
  • 機会
  • 脅威
  • 技術分析
  • 用途分析
  • 新興市場
  • COVID-19の影響

第4章 ポーターのファイブフォース分析

  • 供給企業の交渉力
  • 買い手の交渉力
  • 代替品の脅威
  • 新規参入業者の脅威
  • 競争企業間の敵対関係

第5章 世界のパワートランジスタ市場:タイプ別

  • バイポーラ接合トランジスタ(BJT)
  • 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)
  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
  • ダーリントントランジスタ
  • 電界効果トランジスタ
  • ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  • その他のタイプ

第6章 世界のパワートランジスタ市場:材料別

  • シリコン
  • 炭化ケイ素(SiC)
  • 窒化ガリウム(GaN)
  • その他の材料

第7章 世界のパワートランジスタ市場:電圧範囲別

  • 低電圧(400V以下)
  • 中電圧(400V~1,000V)
  • 高電圧(1,000V以上)

第8章 世界のパワートランジスタ市場:技術別

  • 低電圧FET
  • RFおよびマイクロ波電力
  • 高電圧FET
  • IGBTトランジスタ

第9章 世界のパワートランジスタ市場:アプリケーション別

  • コンシューマーエレクトロニクス
  • 自動車
  • 産業
  • 通信
  • エネルギーと電力
  • 航空宇宙および防衛
  • その他のアプリケーション

第10章 世界のパワートランジスタ市場:地域別

  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • ドイツ
    • 英国
    • イタリア
    • フランス
    • スペイン
    • その他欧州
  • アジア太平洋
    • 日本
    • 中国
    • インド
    • オーストラリア
    • ニュージーランド
    • 韓国
    • その他アジア太平洋地域
  • 南米
    • アルゼンチン
    • ブラジル
    • チリ
    • その他南米
  • 中東・アフリカ
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • カタール
    • 南アフリカ
    • その他中東とアフリカ

第11章 主な発展

  • 契約、パートナーシップ、コラボレーション、ジョイントベンチャー
  • 買収と合併
  • 新製品発売
  • 事業拡大
  • その他の主要戦略

第12章 企業プロファイリング

  • Infineon Technologies AG
  • STMicroelectronics
  • Texas Instruments Incorporated
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Toshiba Corporation
  • NXP Semiconductors N.V.
  • Renesas Electronics Corporation
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • ROHM Co., Ltd.
  • ON Semiconductor Corporation
  • Diodes Incorporated
  • RFMW Ltd.
  • Microchip Technology Inc.
  • Champion Microelectronics Corp.
  • Linear Integrated Systems Inc.
  • Semikron International GmbH
  • Torex Semiconductor Ltd.
  • Cuprite Semiconductor
図表

List of Tables

  • Table 1 Global Power Transistor Market Outlook, By Region (2024-2032) ($MN)
  • Table 2 Global Power Transistor Market Outlook, By Type (2024-2032) ($MN)
  • Table 3 Global Power Transistor Market Outlook, By Bipolar Junction Transistor (BJT) (2024-2032) ($MN)
  • Table 4 Global Power Transistor Market Outlook, By Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) (2024-2032) ($MN)
  • Table 5 Global Power Transistor Market Outlook, By Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) (2024-2032) ($MN)
  • Table 6 Global Power Transistor Market Outlook, By Darlington Transistor (2024-2032) ($MN)
  • Table 7 Global Power Transistor Market Outlook, By Field Effect Transistor (2024-2032) ($MN)
  • Table 8 Global Power Transistor Market Outlook, By Heterojunction Bipolar Transistor (2024-2032) ($MN)
  • Table 9 Global Power Transistor Market Outlook, By Other Types (2024-2032) ($MN)
  • Table 10 Global Power Transistor Market Outlook, By Material (2024-2032) ($MN)
  • Table 11 Global Power Transistor Market Outlook, By Silicon (2024-2032) ($MN)
  • Table 12 Global Power Transistor Market Outlook, By Silicon Carbide (SiC) (2024-2032) ($MN)
  • Table 13 Global Power Transistor Market Outlook, By Gallium Nitride (GaN) (2024-2032) ($MN)
  • Table 14 Global Power Transistor Market Outlook, By Other Materials (2024-2032) ($MN)
  • Table 15 Global Power Transistor Market Outlook, By Voltage Range (2024-2032) ($MN)
  • Table 16 Global Power Transistor Market Outlook, By Low Voltage (Below 400V) (2024-2032) ($MN)
  • Table 17 Global Power Transistor Market Outlook, By Medium Voltage (400V - 1,000V) (2024-2032) ($MN)
  • Table 18 Global Power Transistor Market Outlook, By High Voltage (Above 1,000V) (2024-2032) ($MN)
  • Table 19 Global Power Transistor Market Outlook, By Technology (2024-2032) ($MN)
  • Table 20 Global Power Transistor Market Outlook, By Low-voltage FETs (2024-2032) ($MN)
  • Table 21 Global Power Transistor Market Outlook, By RF and Microwave Power (2024-2032) ($MN)
  • Table 22 Global Power Transistor Market Outlook, By High-Voltage FETs (2024-2032) ($MN)
  • Table 23 Global Power Transistor Market Outlook, By IGBT Transistor (2024-2032) ($MN)
  • Table 24 Global Power Transistor Market Outlook, By Application (2024-2032) ($MN)
  • Table 25 Global Power Transistor Market Outlook, By Consumer Electronics (2024-2032) ($MN)
  • Table 26 Global Power Transistor Market Outlook, By Automotive (2024-2032) ($MN)
  • Table 27 Global Power Transistor Market Outlook, By Industrial (2024-2032) ($MN)
  • Table 28 Global Power Transistor Market Outlook, By Communication (2024-2032) ($MN)
  • Table 29 Global Power Transistor Market Outlook, By Energy & Power (2024-2032) ($MN)
  • Table 30 Global Power Transistor Market Outlook, By Aerospace & Defense (2024-2032) ($MN)
  • Table 31 Global Power Transistor Market Outlook, By Other Applications (2024-2032) ($MN)

Note: Tables for North America, Europe, APAC, South America, and Middle East & Africa Regions are also represented in the same manner as above.

目次
Product Code: SMRC29614

According to Stratistics MRC, the Global Power Transistor Market is accounted for $16.6 billion in 2025 and is expected to reach $26.4 billion by 2032 growing at a CAGR of 6.8% during the forecast period. A power transistor is a semiconductor device designed to handle high current and voltage, commonly used in power amplification, switching, and regulation applications. It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, efficiently controlling large amounts of power with minimal energy loss. Power transistors are integral in devices such as power supplies, motor controllers, and audio amplifiers. They are built with robust structures to manage heat and prevent damage during high-power operation. Typical types include bipolar junction transistors (BJTs) and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), each suited to different performance needs based on switching speed, efficiency, and current-handling capabilities.

Market Dynamics:

Driver:

Rising Demand for Energy-Efficient Electronics

The rising demand for energy-efficient electronics is significantly driving growth in the power transistor market. As consumers and industries prioritize lower energy consumption and sustainable technologies, power transistors crucial for managing and optimizing power flow-are becoming essential. Innovations in smart devices, electric vehicles, and renewable energy systems further fuel this trend. Manufacturers are increasingly investing in advanced semiconductor materials and designs to meet efficiency standards, positioning power transistors as key enablers of the global shift toward energy-conscious solutions.

Restraint:

High Cost of Advanced Materials (GaN, SiC)

The high cost of advanced materials like GaN and SiC significantly hinders the power transistor market by limiting widespread adoption, especially in cost-sensitive applications. This price barrier slows innovation, reduces competitiveness against traditional silicon-based transistors, and restricts market growth. Manufacturers face challenges in scaling production economically, leading to fewer affordable options for end-users. Consequently, the overall market expansion and technology penetration are negatively impacted, delaying potential efficiency and performance improvements.

Opportunity:

Expansion of the Electric Vehicles (EVs)

The growing proliferation of electric vehicles (EVs) is propelling growth in the power transistor market. Power transistors are essential to EVs' effective energy conversion, motor control, and battery management. Wide bandgap semiconductors like SiC and GaN, which have superior efficiency and performance, are being developed and produced more quickly as a result of this growing demand. Power transistors are crucial components that are driving a strong and steady market expansion as the demand for sophisticated power electronics rises along with the global adoption of EVs.

Threat:

Thermal Management Challenges

Thermal management challenges significantly hinder the power transistor market by causing overheating, reduced reliability, and shorter device lifespan. Excess heat leads to performance degradation, increased failure rates, and higher cooling costs, limiting adoption in high-power applications. These issues raise design complexity and manufacturing expenses, deterring innovation and slowing market growth. Consequently, inefficient thermal solutions restrict power transistor efficiency and scalability, impacting industries reliant on robust, high-performance semiconductor components.

Covid-19 Impact

The Covid-19 pandemic disrupted the power transistor market due to supply chain interruptions and reduced industrial demand. Manufacturing slowdowns and logistical challenges caused temporary shortages and delays. However, increased demand for remote work technologies and renewable energy solutions partially offset losses. Post-pandemic recovery has driven market growth, with rising adoption of electric vehicles and smart devices boosting power transistor demand. Overall, the pandemic caused short-term setbacks but accelerated long-term market transformation.

The communication segment is expected to be the largest during the forecast period

The communication segment is expected to account for the largest market share during the forecast period, due to demand for efficient, high-frequency components in devices like smartphones, base stations, and satellite systems. With the rapid expansion of 4G/5G infrastructure, power transistors became crucial for ensuring reliable signal transmission and energy efficiency. This surge in data traffic and connectivity needs has fueled innovation and production, making the communication sector a key contributor to the market's sustained growth and technological advancement.

The darlington transistor segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period

Over the forecast period, the darlington transistor segment is predicted to witness the highest growth rate because it increased demand in the industrial and consumer electronics sectors by handling larger loads with less input current, making it perfect for power amplifiers and control systems. During its peak usage period, the market grew as a result of the integration of two transistors in a single package, which simplified circuit design and decreased the number of components. This encouraged creativity and compact product development.

Region with largest share:

During the forecast period, the Asia Pacific region is expected to hold the largest market share due to expanding consumer electronics demand, and advancements in automotive technologies. Countries like China, Japan, and South Korea lead in semiconductor manufacturing, fueling innovation and supply. Government initiatives supporting renewable energy and electric vehicles further accelerate market expansion. The region's strong manufacturing infrastructure and increasing investments in 5G and IoT technologies continue to positively impact the market, ensuring sustained development and global competitiveness.

Region with highest CAGR:

Over the forecast period, the North America region is anticipated to exhibit the highest CAGR, owing to expanding adoption of electric vehicles, renewable energy systems, and advanced industrial automation. The region's strong technological infrastructure, coupled with government support for clean energy initiatives, is accelerating demand for efficient power management solutions. Additionally, key market players are investing in R&D to enhance transistor performance, fueling innovation and competitiveness. This positive momentum is positioning North America as a pivotal hub for power semiconductor advancements.

Key players in the market

Some of the key players profiled in the Power Transistor Market include Infineon Technologies AG, STMicroelectronics, Texas Instruments Incorporated, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Corporation, NXP Semiconductors N.V., Renesas Electronics Corporation, Vishay Intertechnology, Inc., ROHM Co., Ltd., ON Semiconductor Corporation, Diodes Incorporated, RFMW Ltd., Microchip Technology Inc., Champion Microelectronics Corp., Linear Integrated Systems Inc., Semikron International GmbH, Torex Semiconductor Ltd. and Cuprite Semiconductor.

Key Developments:

In November 2024, GUS Technology has signed a Technical Assistance and License Agreement with Japan's Toshiba Corporation. This partnership aims to commercialize next-generation lithium-ion battery cells using Niobium Titanium Oxide (NTO) as the anode, delivering superior performance, enhanced safety, and cost-effective solutions, with a global market launch.

In May 2021, Toshiba Energy Systems & Solutions and GE Renewable Energy announced a strategic partnership to advance offshore wind energy in Japan. The collaboration focuses on localizing key manufacturing processes for GE's Haliade-X offshore wind turbine, aiming to support its commercialization and enhance competitiveness in Japan's growing offshore wind market.

Types Covered:

  • Bipolar Junction Transistor (BJT)
  • Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
  • Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)
  • Darlington Transistor
  • Field Effect Transistor
  • Heterojunction Bipolar Transistor
  • Other Types

Materials Covered:

  • Silicon
  • Silicon Carbide (SiC)
  • Gallium Nitride (GaN)
  • Other Materials

Voltage Ranges Covered:

  • Low Voltage (Below 400V)
  • Medium Voltage (400V - 1,000V)
  • High Voltage (Above 1,000V)

Technologies Covered:

  • Low-voltage FETs
  • RF and Microwave Power
  • High-Voltage FETs
  • IGBT Transistor

Applications Covered:

  • Consumer Electronics
  • Automotive
  • Industrial
  • Communication
  • Energy & Power
  • Aerospace & Defense
  • Other Applications

Regions Covered:

  • North America
    • US
    • Canada
    • Mexico
  • Europe
    • Germany
    • UK
    • Italy
    • France
    • Spain
    • Rest of Europe
  • Asia Pacific
    • Japan
    • China
    • India
    • Australia
    • New Zealand
    • South Korea
    • Rest of Asia Pacific
  • South America
    • Argentina
    • Brazil
    • Chile
    • Rest of South America
  • Middle East & Africa
    • Saudi Arabia
    • UAE
    • Qatar
    • South Africa
    • Rest of Middle East & Africa

What our report offers:

  • Market share assessments for the regional and country-level segments
  • Strategic recommendations for the new entrants
  • Covers Market data for the years 2022, 2023, 2024, 2026, and 2030
  • Market Trends (Drivers, Constraints, Opportunities, Threats, Challenges, Investment Opportunities, and recommendations)
  • Strategic recommendations in key business segments based on the market estimations
  • Competitive landscaping mapping the key common trends
  • Company profiling with detailed strategies, financials, and recent developments
  • Supply chain trends mapping the latest technological advancements

Free Customization Offerings:

All the customers of this report will be entitled to receive one of the following free customization options:

  • Company Profiling
    • Comprehensive profiling of additional market players (up to 3)
    • SWOT Analysis of key players (up to 3)
  • Regional Segmentation
    • Market estimations, Forecasts and CAGR of any prominent country as per the client's interest (Note: Depends on feasibility check)
  • Competitive Benchmarking
    • Benchmarking of key players based on product portfolio, geographical presence, and strategic alliances

Table of Contents

1 Executive Summary

2 Preface

  • 2.1 Abstract
  • 2.2 Stake Holders
  • 2.3 Research Scope
  • 2.4 Research Methodology
    • 2.4.1 Data Mining
    • 2.4.2 Data Analysis
    • 2.4.3 Data Validation
    • 2.4.4 Research Approach
  • 2.5 Research Sources
    • 2.5.1 Primary Research Sources
    • 2.5.2 Secondary Research Sources
    • 2.5.3 Assumptions

3 Market Trend Analysis

  • 3.1 Introduction
  • 3.2 Drivers
  • 3.3 Restraints
  • 3.4 Opportunities
  • 3.5 Threats
  • 3.6 Technology Analysis
  • 3.7 Application Analysis
  • 3.8 Emerging Markets
  • 3.9 Impact of Covid-19

4 Porters Five Force Analysis

  • 4.1 Bargaining power of suppliers
  • 4.2 Bargaining power of buyers
  • 4.3 Threat of substitutes
  • 4.4 Threat of new entrants
  • 4.5 Competitive rivalry

5 Global Power Transistor Market, By Type

  • 5.1 Introduction
  • 5.2 Bipolar Junction Transistor (BJT)
  • 5.3 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
  • 5.4 Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)
  • 5.5 Darlington Transistor
  • 5.6 Field Effect Transistor
  • 5.7 Heterojunction Bipolar Transistor
  • 5.8 Other Types

6 Global Power Transistor Market, By Material

  • 6.1 Introduction
  • 6.2 Silicon
  • 6.3 Silicon Carbide (SiC)
  • 6.4 Gallium Nitride (GaN)
  • 6.5 Other Materials

7 Global Power Transistor Market, By Voltage Range

  • 7.1 Introduction
  • 7.2 Low Voltage (Below 400V)
  • 7.3 Medium Voltage (400V - 1,000V)
  • 7.4 High Voltage (Above 1,000V)

8 Global Power Transistor Market, By Technology

  • 8.1 Introduction
  • 8.2 Low-voltage FETs
  • 8.3 RF and Microwave Power
  • 8.4 High-Voltage FETs
  • 8.5 IGBT Transistor

9 Global Power Transistor Market, By Application

  • 9.1 Introduction
  • 9.2 Consumer Electronics
  • 9.3 Automotive
  • 9.4 Industrial
  • 9.5 Communication
  • 9.6 Energy & Power
  • 9.7 Aerospace & Defense
  • 9.8 Other Applications

10 Global Power Transistor Market, By Geography

  • 10.1 Introduction
  • 10.2 North America
    • 10.2.1 US
    • 10.2.2 Canada
    • 10.2.3 Mexico
  • 10.3 Europe
    • 10.3.1 Germany
    • 10.3.2 UK
    • 10.3.3 Italy
    • 10.3.4 France
    • 10.3.5 Spain
    • 10.3.6 Rest of Europe
  • 10.4 Asia Pacific
    • 10.4.1 Japan
    • 10.4.2 China
    • 10.4.3 India
    • 10.4.4 Australia
    • 10.4.5 New Zealand
    • 10.4.6 South Korea
    • 10.4.7 Rest of Asia Pacific
  • 10.5 South America
    • 10.5.1 Argentina
    • 10.5.2 Brazil
    • 10.5.3 Chile
    • 10.5.4 Rest of South America
  • 10.6 Middle East & Africa
    • 10.6.1 Saudi Arabia
    • 10.6.2 UAE
    • 10.6.3 Qatar
    • 10.6.4 South Africa
    • 10.6.5 Rest of Middle East & Africa

11 Key Developments

  • 11.1 Agreements, Partnerships, Collaborations and Joint Ventures
  • 11.2 Acquisitions & Mergers
  • 11.3 New Product Launch
  • 11.4 Expansions
  • 11.5 Other Key Strategies

12 Company Profiling

  • 12.1 Infineon Technologies AG
  • 12.2 STMicroelectronics
  • 12.3 Texas Instruments Incorporated
  • 12.4 Mitsubishi Electric Corporation
  • 12.5 Toshiba Corporation
  • 12.6 NXP Semiconductors N.V.
  • 12.7 Renesas Electronics Corporation
  • 12.8 Vishay Intertechnology, Inc.
  • 12.9 ROHM Co., Ltd.
  • 12.10 ON Semiconductor Corporation
  • 12.11 Diodes Incorporated
  • 12.12 RFMW Ltd.
  • 12.13 Microchip Technology Inc.
  • 12.14 Champion Microelectronics Corp.
  • 12.15 Linear Integrated Systems Inc.
  • 12.16 Semikron International GmbH
  • 12.17 Torex Semiconductor Ltd.
  • 12.18 Cuprite Semiconductor