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市場調査レポート
商品コード
1899151
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの市場規模、シェア、および成長分析：タイプ別、電圧範囲別、用途別、地域別－業界予測2026-2033年Silicon Carbide (SiC) Power Devices Market Size, Share, and Growth Analysis, By Type (SiC Discrete Devices, SiC Power Modules), By Voltage Range (Low Voltage, Medium Voltage), By Application, By Region - Industry Forecast 2026-2033 |
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| 炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの市場規模、シェア、および成長分析：タイプ別、電圧範囲別、用途別、地域別－業界予測2026-2033年 |
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出版日: 2025年12月25日
発行: SkyQuest
ページ情報: 英文 182 Pages
納期: 3～5営業日
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概要
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場規模は、2024年に15億3,000万米ドルと評価され、2025年の18億9,000万米ドルから2033年までに103億8,000万米ドルへ成長する見込みです。予測期間（2026-2033年）におけるCAGRは23.7％と予測されています。
シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場は、エネルギー効率の高いソリューションへの需要の高まり、電気自動車の普及拡大、再生可能エネルギー源の統合を背景に、著しい拡大を遂げております。これらのデバイスは、従来のシリコンベースの代替品と比較して導通損失およびスイッチング損失が低く、高周波数・高温環境下での動作を可能とするため、エネルギー効率の向上を実現しております。特に自動車分野では、SiCデバイスは高電圧・高温環境を効果的に管理することで電気自動車の要求に応え、電力変換効率の向上と航続距離の延長を実現します。優れた絶縁破壊電圧、高速スイッチング、優れた熱伝導性といったSiC技術の利点は、電力密度の向上とシステムサイズの縮小につながります。さらに、製造技術の進歩により生産コストが低下し、業界全体での採用拡大が促進されています。
シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の促進要因
シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の拡大を推進する重要な要因は、エネルギー効率の高いパワーエレクトロニクスに対する需要の高まりです。SiCパワーデバイスは、効率の向上、高速スイッチング能力、高温環境での動作能力など、従来のシリコンデバイスに比べて明確な優位性を提供します。自動車、航空宇宙、産業用途など多様な分野におけるエネルギー効率ソリューションへのこの急増する需要が、SiCパワーデバイスの普及を加速させています。さらに、二酸化炭素排出量の削減や再生可能エネルギー利用の促進を目的とした取り組みが、SiCパワーデバイス市場の成長をさらに後押ししております。
シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の抑制要因
世界の炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場が直面する大きな課題は、従来のシリコン製デバイスと比較した際の高コストです。この高価格の主な要因は、SiC材料の製造に必要な複雑なプロセスと、SiCウエハーを生産するサプライヤーの不足にあります。その結果、SiCパワーデバイスの採用は、卓越した効率性と高速スイッチング能力を必要とするハイエンド用途に限定される傾向があります。この高コストは近い将来の市場拡大を妨げる可能性がありますが、市場が発展・成熟するにつれて価格は徐々に低下していくことが期待されています。
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場の動向
世界のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場は、特に電気自動車（EV）アプリケーションにおいて、様々な産業分野でのSiC技術の統合が進んでいるという顕著な動向を見せています。効率性向上、高い熱伝導性、高速スイッチング能力といった優れた特性により、SiCパワーデバイスは従来のシリコン製デバイスに代わる最適なソリューションとして台頭しています。この変化は、エネルギー管理を最適化するための先進材料を必要とするEVや再生可能エネルギーシステムにおける高性能パワーエレクトロニクスの需要増加によって推進されています。産業が持続可能性と性能を優先し続ける中、SiCパワーデバイス市場は大幅な拡大が見込まれています。
よくあるご質問
目次
イントロダクション
- 調査の目的
- 調査範囲
- 定義
調査手法
- 情報調達
- 二次と一次データの方法
- 市場規模予測
- 市場の前提条件と制限
エグゼクティブサマリー
- 世界市場の見通し
- 供給と需要の動向分析
- セグメント別機会分析
市場力学と見通し
- 市場規模
- 市場力学
- 促進要因と機会
- 抑制要因と課題
- ポーターの分析
主な市場の考察
- 重要成功要因
- 競合の程度
- 主な投資機会
- 市場エコシステム
- 市場の魅力指数（2025年）
- PESTEL分析
- マクロ経済指標
- バリューチェーン分析
- 価格分析
- ケーススタディ
- 技術進歩
- 規制情勢
- 特許分析
世界の炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場規模：タイプ別& CAGR（2026-2033）
- SiCディスクリートデバイス
- SiCパワーモジュール
世界の炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場規模：電圧範囲別& CAGR（2026-2033）
- 低電圧
- 中電圧
- 高電圧
世界の炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場規模：用途別& CAGR（2026-2033）
- 自動車
- 産業用
- 民生用電子機器
- 電気通信
- エネルギー・電力
- 航空宇宙・防衛
- 医療機器
世界の炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場規模& CAGR（2026-2033）
- 北米
- 米国
- カナダ
- 欧州
- ドイツ
- スペイン
- フランス
- 英国
- イタリア
- その他欧州地域
- アジア太平洋地域
- 中国
- インド
- 日本
- 韓国
- その他アジア太平洋地域
- ラテンアメリカ
- ブラジル
- その他ラテンアメリカ地域
- 中東・アフリカ
- GCC諸国
- 南アフリカ
- その他中東・アフリカ
競合情報
- 上位5社の比較
- 主要企業の市場ポジショニング（2025年）
- 主な市場企業が採用した戦略
- 最近の市場動向
- 企業の市場シェア分析（2025年）
- 主要企業の企業プロファイル
- 企業の詳細
- 製品ポートフォリオ分析
- 企業のセグメント別シェア分析
- 収益の前年比比較（2023-2025年）
主要企業プロファイル
- STMicroelectronics N.V.（Switzerland）
- Infineon Technologies AG（Germany）
- Wolfspeed, Inc.（USA）
- ROHM Co., Ltd.（Japan）
- ON Semiconductor Corporation（USA）
- Mitsubishi Electric Corporation（Japan）
- Fuji Electric Co., Ltd.（Japan）
- Littelfuse, Inc.（USA）
- Microchip Technology Inc.（USA）
- Texas Instruments Incorporated（USA）
- Toshiba Corporation（Japan）
- Renesas Electronics Corporation（Japan）
- ABB Ltd.（Switzerland）
- Analog Devices, Inc.（USA）
- Semikron（Germany）
- Coherent Corp.（USA）
- GeneSiC Semiconductor Inc.（USA）
- Power Integrations, Inc.（USA）
