GaNエピタキシャル：世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測（2025年～2031年）

GaNエピタキシャルの世界市場規模は、2024年に6億4,600万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR 16.3％で拡大し、2031年までに20億2,900万米ドルに再調整される見込みです。

本報告書では、GaNエピタキシャルに関する最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築といった観点から包括的な評価を提供します。

エピタキシャルウエハーとは、単結晶基板上に新たな単結晶層を成長させて形成される製品を指します。エピタキシャルウエハーはデバイスの性能の約70%を決定し、半導体チップの重要な原材料です。半導体原材料として、エピタキシャルウエハーは半導体産業チェーンの上流に位置し、半導体製造産業を支える基盤産業です。エピタキシャルウエハーメーカーは、CVD（化学気相成長）装置、MBE（分子線エピタキシー）装置、HVPE装置などを使用し、基板材料上に結晶エピタキシャル成長を行い、エピタキシャルウエハーを製造します。その後、露光、薄膜堆積、エッチングなどの製造工程を経て、ウエハーが作製されます。ウエハーはさらにベアチップに切断され、ベアチップは基板への固定、保護シェル追加、チップ回路ピンと外部基板のワイヤ接続といったパッケージング工程、および回路テストや性能テストなどの検査工程を経て、最終的にチップとなります。上記のチップ製造工程は、最終製品が設計要件を満たすよう、チップ設計工程と連携する必要があります。

窒化ガリウムの特性に基づき、窒化ガリウムエピタキシャルウエハーは主に高電力・高周波・中低電圧用途に適しており、具体的には以下の点が挙げられます：1、高いバンドギャップ幅：高いバンドギャップ幅により窒化ガリウムデバイスの耐電圧レベルが向上し、砒化ガリウムデバイスよりも高い出力が可能です。特に5G通信基地局や軍事レーダーなどの分野に適しています。2、高い変換効率：窒化ガリウムスイッチング電力電子デバイスのオン抵抗はシリコンデバイスの3桁低く、スイッチング導通損失を大幅に低減できます。3、高い熱伝導率：窒化ガリウムの高い熱伝導率は優れた放熱性能をもたらし、高電力・高温環境下でのデバイス製造に適しています。4、絶縁破壊電界強度：窒化ガリウムの絶縁破壊電界強度は窒化ケイ素に近似しますが、半導体技術や材料格子不整合などの要因の影響を受けます。窒化ガリウムデバイスの耐圧は通常1000V前後であり、安全動作電圧は通常650V以下となります。

GaNデバイスはシリコンデバイスよりも効率的に電子を伝導でき、より高い電界に耐えることができます。速度、温度、電力の面でシリコンデバイスの性能を上回り、電力変換やRFアプリケーションにおいてシリコンベースのデバイスを徐々に置き換えています。GaNベースのシステムは効率が高く、サイズが大幅に縮小され、軽量で放熱性能に優れているため、市場で従来のシリコンデバイスに取って代わり始めており、ライダーやRFエンベロープトラッキングなどの新たな応用を可能にしています。

LEDチップ技術とプロセスの継続的な更新・世代交代により、LED照明製品の光効率、技術性能、製品品質、コストパフォーマンスは大幅に向上しております。これに加え、関連企業の増加や産業チェーンへの投資拡大に伴い、LED光源製造および関連産業の生産・製造技術は絶えず高度化され、最終製品の大規模生産におけるコスト効率はさらに改善されております。現在、LED照明製品は家庭照明、屋外照明、産業照明、商業照明、景観照明、ディスプレイバックライトなどの応用分野において主流の応用製品となっております。従来の照明製品に取って代わるLED照明製品の市場浸透率は継続的に上昇しており、市場需要も拡大を続けております。マイクロLEDディスプレイ技術の開発と産業化には依然として多くの課題が存在します。同時に、マイクロLEDエピタキシーは従来のLEDよりも欠陥や均一性に対してより厳しい要求があります。今後、窒化ガリウム技術がLED光電子分野に浸透する範囲は徐々に拡大していくでしょう。

本レポートは、GaNエピタキシャルの世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

GaNエピタキシャル市場の規模、推定・予測は、販売数量（単位）および売上高（百万米ドル）で提示され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的および定性的分析の両方を用いて、読者の皆様がビジネス／成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、GaNエピタキシャルに関する情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うお手伝いをいたします。

市場セグメンテーション

企業別

• NTT AT
• Wolfspeed
• SCIOCS（Sumitomo）
• EpiGaN（Soitec）
• DOWA Electronics Materials
• IQE
• Enkris Semiconductor Inc
• CorEnergy
• GLC
• Genettice
• Suzhou Nanowin
• Episil-Precision Inc
• Xinguan Technology
• Shanxi Yuteng

タイプ別セグメント

• GaN-on-Sapphire
• GaN-On-Si
• GaN-on-SiC
• GaN-on-GaN
• その他

用途別セグメント

• 光電
• 電子パワー
• 高周波

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ