高選択性リン酸（HSP）－世界市場シェアと順位、総売上高および需要予測2025-2031年

High Selectivity Phosphoric Acid(HSP) - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031

出版日: 2025年10月17日
発行: QYResearch
ページ情報: 英文 82 Pages
納期: 2～3営業日

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概要

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高選択性リン酸（HSP）の世界市場規模は、2024年に3億2,000万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間中にCAGR 7.2％で成長し、2031年までに5億2,600万米ドルに拡大すると予測されております。

本報告書では、高選択性リン酸（HSP）に関する最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築といった観点から包括的な評価を提供します。

2024年、世界の高選択性リン酸（HSP）生産量は約5万356トンに達し、世界平均市場価格は約6,353米ドル/トンでした。3D NAND製造プロセスでは、数十層のSiO2とSiNが堆積され、SiN層は高温リン酸を用いて選択的に除去されます。高選択性リン酸（HSP）はSiO2を残したままSiNを選択的にエッチングできます。このプロセスでは、リン酸溶液の濃度と温度を制御することで所望のエッチング速度を達成できます。通常、HSP溶液の濃度は85％以上です。

3D NANDは、メモリセルを垂直方向に多層積層した不揮発性フラッシュメモリの一種です。3D NANDは最新世代のフラッシュメモリ（フラッシュストレージとも呼ばれます）です。フラッシュメモリは、エンタープライズサーバーストレージ（大企業向けデータストレージ）やネットワーク技術に加え、USBフラッシュドライブ、スマートフォン、デジタルカメラ、タブレット、ノートパソコンなど幅広い民生機器に採用されています。3D NAND技術は急速な発展を遂げています。

3D NANDデバイスにおけるSi3N4層の選択的ウェットエッチングは、約100層の厚さの構造において限界に近づいています。窒化物および酸化物ウエハー全体の結果に基づく標準的な選択性計算は、96層の3D NANDデバイスの複雑な構造にはうまく適用できません。その結果、特別に調合された化学薬品が必要となります。高選択性リン酸は、そのような化学薬品の一つです。高い選択性により、リン酸はSi3N4層を効果的に除去しつつ、シリコン酸化物層を保護します。技術的障壁が高いため、市場に高選択性リン酸を供給できるメーカーはごくわずかです。

世界的に、3D NANDの生産は主に韓国、日本、中国、米国、シンガポールに分布しております。高選択性リン酸は主に3D NANDの生産に使用されるため、その消費地域は3D NANDの生産地域と一致しております。

本レポートは、高選択性リン酸（HSP）の世界市場について、総販売量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

高選択性リン酸（HSP）の市場規模、推定・予測は、販売量（トン）および売上高（百万米ドル）で提示され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的および定性的分析の両方を用いて、読者の皆様がビジネス/成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、および高選択性リン酸（HSP）に関する情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うことを支援します。

市場セグメンテーション

企業別