次世代トランジスタ：市場シェア分析、産業動向・統計、成長予測（2025～2030年）

次世代トランジスタ市場は予測期間中にCAGR 4%を記録する見込み

主要ハイライト

• 半導体材料は、エレクトロニクス産業における重要な技術革新の一つです。これは、その高い電子移動度、広い温度限界、低エネルギー消費に起因しています。SEMIによると、相手先商標製品メーカーによる半導体製造装置の世界売上高は、2022年に過去最高の1,175億米ドルに達し、2021年の1,025億米ドルから14.7%上昇し、2023年には1,208億米ドルの増加が予測されています。
• 消費者向け機器の先進的機能の範囲が広がっていることも、高速でリアルタイムの処理に対するニーズに拍車をかけています。さらに、IoTの出現により、AI、データ分析、リアルタイムデータ転送、処理などの機能は、あらゆる先進的デバイスの基本的な必需品になりつつあり、調査対象市場のベンダーに大きな機会をもたらしています。さらに、TSMCは2022年の北米技術・シンポジウムで今後の製造プロセス技術を披露し、そのハイライトは社内で「N2」と呼ばれる次世代2nmノードの詳細でした。同社は2022年末に3nmノードの生産を開始します。
• さらに2022年4月、科学者たちは、エレクトロニクスの電力効率向上に役立つと思われる初の磁気電気トランジスタを開発しました。同チームの設計は、これを組み込んだマイクロエレクトロニクスのエネルギー消費を抑えるとともに、特定のデータを保存するために必要なトランジスタの数を75％も減らすことができ、デバイスの小型化につながります。また、シャットダウンされたり、突然電源が切れたりした後でも、ユーザーが中断した場所を正確に記憶する「スチール・トラップ・メモリー」をマイクロエレクトロニクスに与えることもできます。
• さらに、市場の多くの参入企業が、製造プロセスでナノシートを採用する方向にシフトしています。例えば、2022年6月、台湾のチップメーカーTSMCは、ナノシート・トランジスタ・アーキテクチャを採用し、3nm技術を強化する、2025年に登場予定の待望の2nm製造プロセスノードの詳細を明らかにしました。同社によると新世代のシリコン半導体チップは高速化が期待されます。プロセスノードが縮小し、技術産業がムーアの法則にしがみつこうと戦い続ける中で、よりエネルギー効率が高くなると考えられます。
• さらに、ポストCOVID-19は、半導体とその他の電子部品産業の生産・製造能力に影響を及ぼしています。例えば、中国紙の情報筋によると、2022年6月、深センのオミクロンのロックアウトにより、世界最大級の電子機器市場である華強北が再び一部閉鎖に追い込まれました。華強北は深セン市福田区に位置し、半導体、携帯電話、その他の電子機器の供給センターです。金融メディア『Cailianshe』によると、深センが感染力の強いCOVID-19の蔓延を抑えるための対策を強化したため、華強北の一部のベンダーが一時的に営業を停止したといいます。これらのベンダーにはHuaqiang Electronics Worldの1号店と2号店が含まれます。

次世代トランジスタ市場動向

高電子移動度トランジスタ（HEMT）の採用増加

• 高電子移動度トランジスタは高い利得を生み出すため、増幅器として非常に有用です。また、高速スイッチングが可能です。また、これらのトランジスタの電流変動は比較的小さいため、ノイズ値は浅いです。
• 多くの企業が、従来のトランジスタよりも高い周波数で動作するHEMTデバイスを開発しています。例えば、ナノサイエンス技術は2022年11月、新しい低RDS（on）650V EモードGaN HEMTデバイスを発表しました。標準的な8x8 DFN包装のINN650D080BSパワートランジスタのオン抵抗は80m（標準60m）で、トーテムポールLLCアーキテクチャや高速バッテリー充電器などの高電力用途を可能にします。
• 例えば、Ampleonは2022年9月、新しいCLL3H0914L-700 GaN-SiC高電子移動度トランジスタを発表しました。この堅牢なGaNトランジスタは、長パルス幅と高デューティサイクルが要求されるレーダー用に最適化されています。このトランジスタは、70％以上の産業をリードする効率で50Vの電圧で動作しながら、1つのトランジスタから700Wを超えるピーク出力電力を達成するように設計されており、また、パルス幅（約2ミリ秒）や20％のデューティ・サイクルなどの長パルス・向けに熱的に開発されています。
• さらに、民生用電子機器の需要の高まりと高電子移動度トランジスタの適用可能性が、市場成長の原動力となっています。IBEFによると、インドの民生用電子機器・民生用電子機器産業は最近98億4,000万米ドルに達し、2025年には2倍以上の14億8,000万インドルピー（211億8,000万米ドル）に達すると予想されています。このような民生用電子機器製品の開発は、調査された市場の成長をさらに促進すると考えられます。
• さらにSTMicroelectronicsは最近、STi2GaN（ST Intelligent and Integrated GaN）と名付けたGaN部品の新ファミリーを発表しました。この部品は、STのボンド・ワイヤ・フリー包装技術を使用しており、堅牢性と信頼性を記載しています。この新製品ファミリは、GaNの高電力密度と高効率を活用して、100Vと650Vの高電子移動度トランジスタ（HEMT）デバイスを提供することを目的としています。

大幅な市場成長を遂げるアジア太平洋

• アジア太平洋はエレクトロニクスの中心地であり、特にこの地域で消費される電子機器は年間数十億個製造されています。しかし、アジア太平洋は、世界中に電子部品を輸出する上で重要な役割を果たしています。この地域における民生用電子機器市場の急速な成長は、世界次世代トランジスタ市場におけるアジア太平洋の主要な成長要因です。
• さらに、中国や日本などの新興経済諸国は大規模な電子機器製造拠点を有しており、トランジスタ市場で重要な参入企業となる可能性を秘めています。さらに、次世代携帯電話は、より優れた仕様で携帯電話の性能を向上させることに全力を注ぐと考えられます。より多くのトランジスターを集積することで、消費者のニーズに完璧に応える、より高速な処理を備えた小型の携帯電話になると予想されます。IBEFによると、2022年第1四半期の「インド製」スマートフォンの出荷台数は前年同期比7％増の4,800万台超に達し、インド製スマートフォンの出荷台数は1億9,000万台超となりました。
• IBEFによると、「エレクトロニクスに関する国家施策2019」は、2025年までに10億台（1,900億米ドル相当）の携帯電話端末の生産を目標としており、そのうち6億台（1,000億米ドル相当）が輸出される見込みです。
• さらに中国は、この状況を変えるため、半導体産業の成長を「メイド・イン・チャイナ2025」の主要なコンポーネントに据えています。中国は、14億人の国民が毎日使用する多数のスマートフォン、PC、その他のデバイスの国内需要の80％を国産チップ生産で賄いながら、電子機器の市場シェアを拡大する意向です。これらの要素はすべて、市場拡大を支えるものと予想されます。
• さらに、この地域にはSamsung、Intel、TSMCといった半導体市場の参入企業がいます。これらの企業は、2023年以降、3nmまたは2nm技術世代を使用するロジックデバイスの生産が、主力であるFinFETトランジスタ・アーキテクチャからナノシートのようなアーキテクチャに徐々に切り替わっていくことを認めています。
• さらに2022年4月には、韓国第3位のコングロマリットであるSK Groupが、バッテリー関連事業の強化の一環として、電気自動車の主要部品として台頭しつつあるシリコンとカーバイド（SiC）を成分とするパワー半導体の国内唯一のメーカーであるYes Powertechnixを買収します。SKは、Yes Powertechnixの95.8％を取得するために、経営権とさらに1,200億ウォン（9,500万米ドル）を購入すると発表しました。さらにSKは最近、268億ウォンを投資し、Yes Powertechnixの株式33.6％を取得しました。このような開発は、この地域の需要を促進する可能性があります。

次世代トランジスタ産業概要

次世代トランジスタ市場は競争が激しいです。半導体産業そのものが専門化の局面を迎えています。歴史的に半導体産業は、いくつかの一般化された機能を実行できるコンピューター・チップの生産に集中してきました。これらのチップはある程度互いに関連していました。しかし今日、半導体の用途はより微妙で差別化されたものとなり、その結果、さまざまな業種にわたって専門知識を持つニッチ・参入企業が急増しています。さらに、この産業では、半導体製品の設計、製造、製造を行うIntelのような一部の大手参入企業を除き、多くの参入企業がその機能をアウトソーシングしています。このため、この産業は世界のサプライチェーンと深く結びついており、激しい競争と深い協力関係にあります。

• 2022年6月-GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の多国籍企業であるGaN Systemsは、産業で最も幅広いGaNパワートランジスタのポートフォリオに新しいトランジスタを発表しました。GS-065-018-2-Lは、GaN Systemsの高性能、低コスト・トランジスタ・ポートフォリオを拡大し、オン抵抗の低減、堅牢性と熱性能の向上、850VのVDS（過渡）定格を特長としています。

その他の特典

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストサポート

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の成果
• 調査の前提
• 調査範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 市場力学

• 市場概要
• 市場力学の採用
• 市場促進要因
  • デバイスの高密度化需要につながる技術の進歩
  • コンシューマーエレクトロニクスの普及
• 市場抑制要因
  • ムーアの法則を維持するためのコストは高くなりつつあり、リターンは低い
• 産業バリューチェーン分析
• 産業の魅力-ポーターのファイブフォース分析
  • 新規参入業者の脅威
  • 買い手の交渉力
  • 供給企業の交渉力
  • 代替品の脅威
  • 競争企業間の敵対関係の強さ

第5章 市場セグメンテーション

• タイプ別
  • 高電子移動度トランジスタ（HEMT）
  • バイポーラ接合型トランジスタ（BJT）
  • 電界効果トランジスタ（FET）
  • マルチエミッタ・トランジスタ（MET）
  • デュアルゲート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
• エンドユーザー産業別
  • 航空宇宙・防衛
  • 産業用
  • 通信
  • 民生用電子機器
• 地域別
  • 北米
  • 欧州
  • アジア太平洋
  • ラテンアメリカ
  • 中東・アフリカ

第6章 競合情勢

• 企業プロファイル
  • NXP Semiconductors N.V.
  • Infineon Technologies AG
  • STMicroelectronics N.V.
  • Fairchild Semiconductor International, Inc.（ON Semiconductor Corp.）
  • Texas Instruments Incorporated
  • Intel Corporation
  • GLOBALFOUNDRIES Inc.
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
  • Samsung Electronics Co., Ltd
  • Microchip Technology Inc.

第7章 投資分析

第8章 市場の将来