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市場調査レポート
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1698417

次世代トランジスタ市場：2025年～2030年の予測

Next Generation Transistors Market - Forecasts from 2025 to 2030

出版日
ページ情報
英文 135 Pages
納期
即日から翌営業日
カスタマイズ可能
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次世代トランジスタ市場：2025年～2030年の予測
出版日: 2025年03月03日
発行: Knowledge Sourcing Intelligence
ページ情報: 英文 135 Pages
納期: 即日から翌営業日
GIIご利用のメリット
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  • 概要
  • 目次
概要

次世代トランジスタ市場はCAGR 6.37%で成長し、市場規模は2025年の258億7,923万4,000米ドルから2030年には352億3,464万3,000米ドルに達すると予測されています。

高出力かつ高効率のトランジスタ開発への投資が大幅に増加しています。トランジスタは、スマートフォン、タブレット、ノートパソコンなど、さまざまな機器に応用されています。しかし、ムーアの法則に比べて微細化が進んでいると言われているにもかかわらず、チップメーカーは、より狭いフィン幅のトランジスタを作るための研究開発への投資を増やしています。

市場動向：

  • 家電部門の拡大

世界の家電需要の高まりは、次世代トランジスタ市場の主要な促進要因です。これらのトランジスタは、デバイスの性能向上とバッテリー効率の改善に重要な役割を果たしています。近年、民生用電子機器市場は、エレクトロニクス技術の進歩と世界の可処分所得の増加に後押しされ、大きな成長を遂げています。

  • 次世代トランジスタを形成する競合戦略

次世代トランジスタの進化は、研究開発活動の活発化、革新的かつ先進的なトランジスタ技術の着実な導入などの競合戦略によって推進されています。

  • 現在の限界を克服する努力

半導体業界のリーディングプレーヤーは、現世代トランジスタの限界を克服するために積極的に取り組んでいます。この取り組みは、現代のコンピューティングで深刻化するエネルギー浪費の問題に取り組むと同時に、処理能力を高め、集積回路（IC）の用途を広げることを目的としています。例えば、窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、シリコンベースのデバイスに比べてより高速で効率的な性能を提供します。また、フォームファクターが改善されたよりコンパクトなデバイスの設計が可能になり、高い電力レベルでのエネルギー効率が向上するため、電力損失が大幅に削減されます。

本レポートで取り上げる主要企業には、Intel Corporation、Qualcomm Technologies, Inc.、NXP Semiconductors N.V.、SK Hynix Inc.、Texas Instruments、Toshiba Corporation、MediaTek, Inc.、Fujitsu、Wolfspeed, Inc.などがあります。

本レポートの主な利点

  • 洞察に満ちた分析：顧客セグメント、政府政策と社会経済要因、消費者嗜好、産業別、その他のサブセグメントに焦点を当て、主要地域および新興地域を網羅した詳細な市場考察を得ることができます。
  • 競合情勢：世界の主要企業が採用する戦略的戦略を理解し、適切な戦略による市場浸透の可能性を理解することができます。
  • 市場動向と促進要因：ダイナミックな要因と極めて重要な市場動向、そしてそれらが今後の市場開拓をどのように形成していくかを探ります。
  • 行動可能な提言：ダイナミックな環境の中で、新たなビジネスストリームと収益を発掘するための戦略的意思決定に洞察を活用します。
  • 幅広い利用者に対応：新興企業、研究機関、コンサルタント、中小企業、大企業にとって有益で費用対効果に優れています。

どのような用途で利用されていますか？

業界および市場考察、事業機会評価、製品需要予測、市場参入戦略、地理的拡大、設備投資の決定、規制の枠組みと影響、新製品開拓、競合の影響

調査範囲

  • 2022年から2024年までの過去データ&2025年から2030年までの予測データ
  • 成長機会、課題、サプライチェーンの展望、規制の枠組み、および動向分析
  • 競合のポジショニング、戦略、および市場シェア分析
  • 収益の成長および予測セグメントおよび各国を含む地域の分析
  • 企業プロファイリング（戦略、製品、財務情報、主要動向など）

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 市場スナップショット

  • 市場概要
  • 市場の定義
  • 調査範囲
  • 市場セグメンテーション

第3章 ビジネス情勢

  • 市場促進要因
  • 市場抑制要因
  • 市場機会
  • ポーターのファイブフォース分析
  • 業界バリューチェーン分析
  • ポリシーと規制
  • 戦略的推奨事項

第4章 技術展望

第5章 次世代トランジスタ市場：タイプ別

  • イントロダクション
  • バイポーラ接合トランジスタ（BJT）
  • 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）
  • 高電子移動度トランジスタ（HEMT）
  • その他

第6章 次世代トランジスタ市場：素材の種類別

  • イントロダクション
  • インジウムヒ素（InAs）
  • ガリウムヒ素（GaAs）
  • リン化インジウム（InP）
  • 窒化ガリウム（GaN）

第7章 次世代トランジスタ市場：エンドユーザー業界別

  • イントロダクション
  • 航空宇宙および防衛
  • コンシューマーエレクトロニクス
  • コミュニケーションとテクノロジー
  • 産業

第8章 次世代トランジスタ市場：地域別

  • イントロダクション
  • 北米
    • タイプ別
    • 素材の種類別
    • エンドユーザー業界別
    • 国別
  • 南米
    • タイプ別
    • 素材の種類別
    • エンドユーザー業界別
    • 国別
  • 欧州
    • タイプ別
    • 素材の種類別
    • エンドユーザー業界別
    • 国別
  • 中東・アフリカ
    • タイプ別
    • 素材の種類別
    • エンドユーザー業界別
    • 国別
  • アジア太平洋地域
    • タイプ別
    • 素材の種類別
    • エンドユーザー業界別
    • 国別

第9章 競合環境と分析

  • 主要企業と戦略分析
  • 市場シェア分析
  • 合併、買収、合意およびコラボレーション
  • 競合ダッシュボード

第10章 企業プロファイル

  • Intel Corporation
  • Qualcomm Technologies, Inc.
  • NXP Semiconductors N.V.
  • SK Hynix Inc.
  • Texas Instruments
  • Toshiba Corporation
  • MediaTek, Inc.
  • Fujitsu
  • Wolfspeed, Inc.
  • Renesas Electronics Corporation
  • Infineon Technologies AG
  • ON Semiconductor Corp.
  • STMicroelectronics N.V.

第11章 付録

  • 通貨
  • 前提条件
  • 基準年と予測年のタイムライン
  • 利害関係者にとっての主なメリット
  • 調査手法
  • 略語
目次
Product Code: KSI061610543

The next-generation transistor market is projected to grow at a CAGR of 6.37% to reach a market size of US$35,234.643 million in 2030 from US$25,879.234 million in 2025.

There has been a substantial increase in investment in developing high-powered and more efficient transistors. They find their applications across multiple devices, including but not limited to smartphones, tablets, and notebooks. However, despite the reportedly shrinking scale compared to Moore's Law, chip manufacturers have increased their investments in research and development to create transistors with narrower fin widths.

Market Trends:

  • Expansion of the consumer electronics sector

The rising global demand for consumer electronics is a key driver of the next-generation transistor market. These transistors play a critical role in enhancing device performance and improving battery efficiency. Over recent years, the consumer electronics market has experienced significant growth, fueled by advancements in electronics technology and increasing disposable incomes worldwide.

  • Competitive strategies shaping next-generation transistors

The evolution of next-generation transistors is being driven by competitive strategies, including heightened research and development activities and the steady introduction of innovative and advanced transistor technologies.

  • Efforts to overcome current limitations

Leading players in the semiconductor industry are actively working to address the limitations of current-generation transistors. This initiative aims to tackle the growing issue of energy waste in modern computing while simultaneously boosting processing capabilities and broadening the applications of integrated circuits (ICs). Gallium nitride (GaN) transistors, for instance, offer faster and more efficient performance compared to silicon-based devices. They also enable the design of more compact devices with improved form factors and greater energy efficiency at higher power levels, significantly reducing power losses.

Some of the major players covered in this report include Intel Corporation, Qualcomm Technologies, Inc., NXP Semiconductors N.V., SK Hynix Inc., Texas Instruments, Toshiba Corporation, MediaTek, Inc., Fujitsu, Wolfspeed, Inc., among others.

Key Benefits of this Report:

  • Insightful Analysis: Gain detailed market insights covering major as well as emerging geographical regions, focusing on customer segments, government policies and socio-economic factors, consumer preferences, industry verticals, and other sub-segments.
  • Competitive Landscape: Understand the strategic maneuvers employed by key players globally to understand possible market penetration with the correct strategy.
  • Market Drivers & Future Trends: Explore the dynamic factors and pivotal market trends and how they will shape future market developments.
  • Actionable Recommendations: Utilize the insights to exercise strategic decisions to uncover new business streams and revenues in a dynamic environment.
  • Caters to a Wide Audience: Beneficial and cost-effective for startups, research institutions, consultants, SMEs, and large enterprises.

What do businesses use our reports for?

Industry and Market Insights, Opportunity Assessment, Product Demand Forecasting, Market Entry Strategy, Geographical Expansion, Capital Investment Decisions, Regulatory Framework & Implications, New Product Development, Competitive Intelligence

Report Coverage:

  • Historical data from 2022 to 2024 & forecast data from 2025 to 2030
  • Growth Opportunities, Challenges, Supply Chain Outlook, Regulatory Framework, and Trend Analysis
  • Competitive Positioning, Strategies, and Market Share Analysis
  • Revenue Growth and Forecast Assessment of segments and regions including countries
  • Company Profiling (Strategies, Products, Financial Information, and Key Developments among others)

The Next Generation Transistors Market is analyzed into the following segments:

By Type

  • Bipolar Junction Transistor (BJT)
  • Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
  • High Electron Mobility Transistor (HEMT)
  • Others

By Type of Material

  • Indium Arsenide (InAs)
  • Gallium Arsenide (GaAs)
  • Indium Phosphide (InP)
  • Gallium Nitride (GaN)

By End-user Industry

  • Aerospace and Defense
  • Consumer Electronics
  • Communication and Technology
  • Industrial

By Geography

  • North America
  • USA
  • Canada
  • Mexico
  • Others
  • South America
  • Brazil
  • Argentina
  • Others
  • Europe
  • Germany
  • France
  • United Kingdom
  • Spain
  • Others
  • Middle East and Africa
  • Saudi Arabia
  • UAE
  • South Africa
  • Israel
  • Others
  • Asia Pacific
  • China
  • Japan
  • South Korea
  • India
  • Thailand
  • Indonesia
  • Taiwan
  • Others

TABLE OF CONTENTS

1. EXECUTIVE SUMMARY

2. MARKET SNAPSHOT

  • 2.1. Market Overview
  • 2.2. Market Definition
  • 2.3. Scope of the Study
  • 2.4. Market Segmentation

3. BUSINESS LANDSCAPE

  • 3.1. Market Drivers
  • 3.2. Market Restraints
  • 3.3. Market Opportunities
  • 3.4. Porter's Five Forces Analysis
  • 3.5. Industry Value Chain Analysis
  • 3.6. Policies and Regulations
  • 3.7. Strategic Recommendations

4. TECHNOLOGICAL OUTLOOK

5. NEXT GENERATION TRANSISTORS MARKET BY TYPE

  • 5.1. Introduction
  • 5.2. Bipolar Junction Transistor (BJT)
  • 5.3. Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
  • 5.4. High Electron Mobility Transistor (HEMT)
  • 5.5. Others

6. NEXT GENERATION TRANSISTORS MARKET BY TYPE OF MATERIAL

  • 6.1. Introduction
  • 6.2. Indium Arsenide (InAs)
  • 6.3. Gallium Arsenide (GaAs)
  • 6.4. Indium Phosphide (InP)
  • 6.5. Gallium Nitride (GaN)

7. NEXT GENERATION TRANSISTORS MARKET BY END-USER INDUSTRY

  • 7.1. Introduction
  • 7.2. Aerospace and Defense
  • 7.3. Consumer Electronics
  • 7.4. Communication and Technology
  • 7.5. Industrial

8. NEXT GENERATION TRANSISTORS MARKET BY GEOGRAPHY

  • 8.1. Introduction
  • 8.2. North America
    • 8.2.1. By Type
    • 8.2.2. By Type of Material
    • 8.2.3. By End-user industry
    • 8.2.4. By Country
      • 8.2.4.1. USA
      • 8.2.4.2. Canada
      • 8.2.4.3. Mexico
      • 8.2.4.4. Others
  • 8.3. South America
    • 8.3.1. By Type
    • 8.3.2. By Type of Material
    • 8.3.3. By End-user industry
    • 8.3.4. By Country
      • 8.3.4.1. Brazil
      • 8.3.4.2. Argentina
      • 8.3.4.3. Others
  • 8.4. Europe
    • 8.4.1. By Type
    • 8.4.2. By Type of Material
    • 8.4.3. By End-user industry
    • 8.4.4. By Country
      • 8.4.4.1. Germany
      • 8.4.4.2. France
      • 8.4.4.3. United Kingdom
      • 8.4.4.4. Spain
      • 8.4.4.5. Others
  • 8.5. Middle East and Africa
    • 8.5.1. By Type
    • 8.5.2. By Type of Material
    • 8.5.3. By End-user industry
    • 8.5.4. By Country
      • 8.5.4.1. Saudi Arabia
      • 8.5.4.2. UAE
      • 8.5.4.3. South Africa
      • 8.5.4.4. Israel
      • 8.5.4.5. Others
  • 8.6. Asia Pacific
    • 8.6.1. By Type
    • 8.6.2. By Type of Material
    • 8.6.3. By End-user industry
    • 8.6.4. By Country
      • 8.6.4.1. China
      • 8.6.4.2. Japan
      • 8.6.4.3. South Korea
      • 8.6.4.4. India
      • 8.6.4.5. Thailand
      • 8.6.4.6. Indonesia
      • 8.6.4.7. Taiwan
      • 8.6.4.8. Others

9. COMPETITIVE ENVIRONMENT AND ANALYSIS

  • 9.1. Major Players and Strategy Analysis
  • 9.2. Market Share Analysis
  • 9.3. Mergers, Acquisitions, Agreements, and Collaborations
  • 9.4. Competitive Dashboard

10. COMPANY PROFILES

  • 10.1. Intel Corporation
  • 10.2. Qualcomm Technologies, Inc.
  • 10.3. NXP Semiconductors N.V.
  • 10.4. SK Hynix Inc.
  • 10.5. Texas Instruments
  • 10.6. Toshiba Corporation
  • 10.7. MediaTek, Inc.
  • 10.8. Fujitsu
  • 10.9. Wolfspeed, Inc.
  • 10.10. Renesas Electronics Corporation
  • 10.11. Infineon Technologies AG
  • 10.12. ON Semiconductor Corp.
  • 10.13. STMicroelectronics N.V.

11. APPENDIX

  • 11.1. Currency
  • 11.2. Assumptions
  • 11.3. Base and Forecast Years Timeline
  • 11.4. Key Benefits for the Stakeholders
  • 11.5. Research Methodology
  • 11.6. Abbreviations