炭化ケイ素（SiC）の特許情勢の分析（2024年）

SiC産業における最新のIPの進化と動向を解明。

SiCサプライチェーン全体の特許活動を調査。

SiC技術：複雑かつ急速に進化する情勢

2022年の炭化ケイ素（SiC）特許情勢において、KnowMadeはSiCデバイスの知的財産（IP）活動が活発化していることを明らかにしました。歴史的なIP企業の多くは、この時期にSiC発明の保護範囲の拡大を目指しました。電気自動車（EV）がパワーSiC市場の台頭を促進していたため、SiC企業は欧州や中国など、この産業にとって戦略的な地域でより多くの特許を出願するようになっています。これと並行して、EVブームにより多くの新規参入企業がSiC技術の開発を加速させたため、若いSiC市場における早期のリーダーたちは、今後数年間の激しい競合に備え、IP活動を維持、あるいは加速させています。このような状況において、主要SiC企業は、市場シェアを守り、SiC産業への参入に必要な巨額の投資を確保するために、特許を活用する可能性があります。市場競合の激化は、すでにIP情勢に顕著に表れています。

米国と中国の間の地政学的緊張も特許出願の増加を引き起こし、世界各地、特に中国におけるローカルな半導体エコシステムの形成を加速させています。2023年、中国企業がSiCサプライチェーン全体の特許公開の70%超を占め、新規参入企業の数も目覚ましく、その中にはSiCウエハー産業に関わる企業も多いです。このように多くの企業がSiCウエハーの開発に携わる中、中国はすでに供給不足の状況を食い止めることに成功しましたが、熾烈な価格競争により、多くのサプライヤーにとって経済的に不安定な時代が到来しました。このような新たな状況は、SiCウエハーサプライヤー間の特許訴訟に有利に働く可能性があります。

当レポートでは、世界の炭化ケイ素（SiC）産業について調査分析し、1万9,000件を超える特許のExcelデータベースに加え、世界の特許動向の解説や、主要企業のIPプロファイルなどを提供しています。

目次

イントロダクション

• レポートの背景
• レポートの目的
• 調査戦略と調査範囲
• リーディングガイド：レポートから適切な情報を見つける
• 特許検索、選択、分析の手法
• 特許分析の用語

Excelデータベース

• この調査のために選択されたすべての特許と、統計分析からの権利者ごとの完全なデータを含むExcelファイル。

エグゼクティブサマリー

• ハイライト
• SiC基板、SiCパワーデバイス、SiCパッケージング・モジュール、SiC回路の各サプライチェーンセグメントについて
  • 主要IP企業のタイムライン
  • 活動中のIP企業、活動を停止したIP企業、新規参入IP企業
  • 主な特許出願者：サブセグメント別
  • 主なIP企業：国別
  • 特許権者のIPリーダーシップ

特許情勢の分析

特許情勢の概要

• 主要動向
• 主な特許権者
• サプライチェーン全体にわたる主要IP企業のポジショニング
• IP新規参入企業
• 近年のIP提携・特許取引
• 中国のIP企業に注目
  • SiC特許情勢における主な中国企業
  • 中国のIP新規参入企業
  • 近年の中国のIP提携・特許取引
  • 世界的なIP活動を展開する中国企業

SiC基板の特許情勢

• （バルク、エピウエハー、育成装置、仕上げ・スライシングに関する特許を含む）
  • 特許公開の時系列変化：サブセグメント別
  • 主な特許権者のランキング
  • 主な特許権者：サブセグメント別
  • 存続特許の地理的範囲
  • 主な特許権者と特許出願者：国別
  • 特許権者のIPリーダーシップ
    • バルクSiCとベアSiCウエハーに注目
    • SiCエピタキシャルウエハーに注目

SiCパワーデバイスの特許情勢

• （ダイオード、MOSFET、その他のデバイスと技術的側面に関連する特許を含む）
  • 特許公開の時系列変化：サブセグメント別
  • 主な特許権者のランキング
  • 主な特許権者：サブセグメント別
  • 存続特許の地理的範囲
  • 主な特許権者と特許出願者：国別
  • 特許権者のIPリーダーシップ
    • SiCダイオードに注目
    • SiC MOSFET（プレーナー、トレンチMOSFET）に注目

SiCパワーモジュールの特許情勢

• （パッケージング、モジュール、カプセル化、ダイアタッチ、寄生、熱問題などに関連する特許を含む）
  • 主な特許権者のランキング
  • 存続特許の地理的範囲
  • 主な特許権者と特許出願者：国別
  • 特許権者のIPリーダーシップ

SiC回路の特許情勢

• 主な特許権者のランキング
• 存続特許の地理的範囲
• 主な特許権者と特許出願者：国別
• 特許権者のIPリーダーシップ

主なSiC IDMのIPプロファイル

• 主なSiC IDMの比較
  • 特許公開の時系列変化
  • SiCサプライチェーン全体にわたる特許活動のレベルとIPポートフォリオの権利行使可能性
  • SiCサプライチェーン全体にわたる特許権者のIPリーダーシップ
  • SiC MOSFETの特許権者のIPリーダーシップ
  • 有効な特許ポートフォリオの地理的範囲
  • 世界中でのIPリーダーシップ
• IPプロファイル
  • 各企業について：SiC特許ポートフォリオの概要（特許活動、特許の法的ステータス、地理的範囲、技術範囲）、最新のIP開発。
    • Wolfspeed
    • Infineon
    • ROHM
    • STMicroelectronics
    • onsemi
    • SK group
    • Coherent
    • General Electric
    • San'an

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