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市場調査レポート
商品コード
1192495
人工知能 (AI) 用メモリの特許情勢の分析 (2023年)Memory for Artificial Intelligence Patent Landscape Analysis 2023 |
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人工知能 (AI) 用メモリの特許情勢の分析 (2023年) |
出版日: 2023年01月23日
発行: KnowMade
ページ情報: 英文 PDF >100 slides, Excel file >1,300 patent families
納期: 即日から翌営業日
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当レポートでは、人工知能 (AI) 向けメモリに関する特許の最新情勢について分析し、人工知能/機械学習 (AI/ML) 用途に適したメモリ技術の概略や、昨今の特許出願・承認の動向、セグメント別の詳細動向、主要IP企業 (特許所有者/出願人) のプロファイルと特許ポートフォリオ、といった情報を取りまとめてお届けいたします。
ニューロモーフィック計算は近年、ムーアの法則以降の時代における有望な技術として浮上しています。ニューロモーフィック計算システムは、高度な接続性と並列性を持ち、消費電力やメモリ内の処理量が比較的少ないのが特徴です。このようなシステムをハードウェアで実現するためには、生物を模倣した人工ニューロンとシナプスが必要です。どちらも電力効率に優れ、スケーラブルで、大規模なニューロモルフィック機能を促進するための関連学習ルールを実装できるものでなければならないです。このため、MRAMやPCM、ReRAM (メモリスター)、CB-RAM、FeRAM、FeFET、シナプストランジスタなどの新しいメモリーを使って人工ニューロンおよびシナプスを作る試みがここ数年間数多く行われています。
そこで、Knowmadeは、人工知能/機械学習 (AI/ML) アプリケーション向けのメモリ技術に関連する特許状況を、材料やデバイスからそれらを使用するシステムや方法まで、メモリ技術 (ReRAM、PCM、MRAM、FRAM/FeFET、フラッシュ、DRAM、SRAMなど) に分類して包括的に把握することを目的に、新しいレポートを発表します。
当レポートでは、以下のような疑問に答えることを目的としています。
特許は、ニューロモルフィック計算のために開発されたメモリ技術によって、抵抗ベースの新興メモリ技術 (ReRAM、PCM、MRAM)、偏光ベースの新興メモリ技術 (FRAM/FeFET)、従来のメモリ技術 (フラッシュ、DRAM、SRAM)、その他のメモリ技術 (シナプティックイオントランジスタ、2Dまたは1D材料に基づくデバイス、ハイブリッド材料、ペロブスカイト、ナノ粒子、量子物理、有機材料、スキルミオンなど)、特定しない (メモリ技術の種類が特定されていない) などに分類されています。
すべての新興メモリが現在調査中であり、近年はFRAMの保護が増加傾向にあります。RRAMは、世界で最も発明が多く、実施可能な特許の数も多い技術です。
IPレポートには、主要IP企業8社のIPプロファイルが含まれています:IBM、Samsung、Applied Materials、TDK、SK hynix、Macronix、HP、TetraMem。
各企業のAI用メモリ技術に関する特許ポートフォリオを分析し、その強み、強化の可能性、IP活動のレベル、主なIP連携、最近の特許活動、主要な発明などの情報を提供しています。
当レポートには、分析対象の1,300以上のパテントファミリー (発明) を収録した広範なエクセルデータベースが含まれています。この有用な特許データベースは、多基準検索が可能で、特許公開番号、最新のオンラインデータベースへのハイパーリンク (原文、法的状況など)、優先日、タイトル、要約、特許譲渡人、特許の現在の法的状況、9セグメント (RRAM、PCM、MRAM、FeRAM/FeFET、フラッシュ、DRAM、SRAM、その他、特定せず) などを収録しています。
Are there specific memory technologies claimed in patents that are more suitable than others for artificial intelligence/machine learning (AI/ML) applications? Who are the key patent owners and the most active patent applicants in the field?
In recent years, neuromorphic computing has emerged as a promising technology in the post-Moore's law era. Neuromorphic computing systems are highly connected and parallel and consume relatively low power and processes in memory. Artificial neurons and synapses that mimic biological ones are needed to implement such a system on hardware. Both must be power-efficient, scalable, and capable of implementing relevant learning rules to facilitate large-scale neuromorphic functions. To this end, numerous efforts have been made over the last few years to create artificial neurons and synapses using emerging memories, including magnetoresistive random-access memory (MRAM), phase-change memory (PCM), resistive random-access memory (ReRAM or memristors), conductive bridging random-access memory (CB-RAM), ferroelectric random-access memory (FeRAM), ferroelectric field-effect transistor (FeFET), synaptic transistors, and others.
In this context, Knowmade is releasing a new report that aims to provide a comprehensive view of the patent landscape related to memory technologies for artificial intelligence/machine learning (AI/ML) applications, from materials and devices to the systems and methods that use them, categorized into memory technologies (ReRAM, PCM, MRAM, FRAM/FeFET, Flash, DRAM, SRAM, etc.).
In this report, we aim to answer the following questions:
Patent landscape analysis is a powerful tool for understanding the competitive and technological environment. It makes it possible to identify new players in emerging industries long before they enter the market while providing a better understanding of their expertise and know-how of a specific technology. Overall, patenting activity (patent filings) reflects the level of R&D investment made by a country or player in a specific technology while providing clues as to the technology readiness level reached by the main IP players. What's more, the technology coverage and the geographical coverage of the patent portfolios are closely related to the business strategy of IP players.
A mix of IC and memory players, universities, and R&D centers are competing for innovation at all stages of the R&D ladder. Industrial companies' patenting activity took off in 2015 after R&D efforts were focused on research and fundamental physics knowledge. American and Korean industrials and Chinese and Korean universities mainly hold patents. Top patent assignees are well-established semiconductor companies, and IBM and Samsung have a leading IP position. New players such as Applied Materials, TSMC, GlobalFoundries, TetraMem, and ICLeague are entering the game, and their intellectual property (IP) may become important in the coming years.
The patents have been categorized according to the memory technologies developed for neuromorphic computation: resistance-based emerging memory technology (ReRAM, PCM, MRAM), polarization-based emerging memory technology (FRAM/FeFET), traditional memory technologies (Flash, DRAM, SRAM), other memory technologies (synaptic ionic transistor, devices based on 2D or 1D materials, hybrid materials, perovskites, nanoparticles, quantum physics, organic materials, skyrmions, etc.), and not specific (type of memory technology not specified).
All emerging memories are currently under investigation, with an upward trend for protecting FRAM in recent years. RRAM is the technology with the most inventions and the most significant number of enforceable patents worldwide.
The IP report includes the IP profile of eight key IP players: IBM, Samsung, Applied Materials, TDK, SK hynix, Macronix, HP, and TetraMem.
Each player's patent portfolio related to memory technologies for AI applications is analyzed to provide an overview of its strengths, potential for reinforcement, level of IP activity, main IP collaborations, recent patenting activity, and inventions that stand out.
This report includes an extensive Excel database with the 1,300+ patent families (inventions) analyzed in this study. This useful patent database allows for multicriteria searches and includes patent publication numbers, hyperlinks to an updated online database (original documents, legal status, etc.), priority date, title, abstract, patent assignees, patent's current legal status, and nine segments (RRAM, PCM, MRAM, FeRAM/FeFET, Flash, DRAM, SRAM, other, not specific).