市場調査レポート
商品コード
1541698
高電圧MOSFET市場レポート:製品タイプ、用途、地域別、2024~2032年High Voltage MOSFET Market Report by Product Type (Junction Tube, Insulated Gate, and Others), Application (Consumer Electronics, Automotive Electronics, Power Systems, and Others), and Region 2024-2032 |
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高電圧MOSFET市場レポート:製品タイプ、用途、地域別、2024~2032年 |
出版日: 2024年08月10日
発行: IMARC
ページ情報: 英文 136 Pages
納期: 2~3営業日
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世界の高電圧MOSFET市場規模は2023年に45億米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、市場は2032年までに74億米ドルに達し、2024~2032年の成長率(CAGR)は5.5%になると予測しています。
高電圧金属-酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、高電圧で動作するスーパージャンクションMOSFETの一種を指します。電子信号のスイッチングや増幅に使われるさまざまなシリコンベースの半導体部品と、電圧変換のためのソース、ゲート、ドレインの3つの絶縁端子で構成されています。従来から使用されているMOSFETと比較すると、ゲート酸化物リークの最小化、高電力密度、出力抵抗の向上など、さまざまな利点があります。その結果、産業用電源、エレクトロニクス、自動車など、さまざまな産業で幅広く使用されています。
産業オートメーションの増加と、エネルギー効率の高い電気システムへの需要の高まりが、市場に好影響を与える主要要因となっています。さらに、自動車用電子部品の製造に広く採用されていることも、市場の成長を後押ししています。これらのMOSFETは、放熱と半導体モジュールのサイズを縮小し、自動車の燃費を改善するために、ハイブリッド車や電気自動車(H/EV)に広く使用されています。これに伴い、高電圧MOSFETは、太陽光発電や風力発電パネルからのサステイナブルエネルギーの生成と分配にも利用されています。さらに、コネクテッドデバイスのIoT(モノのインターネット)やクラウドコンピューティングソリューションとの統合など、さまざまな技術的進歩が他の成長促進要因として作用しています。このため、伝導損失を最小限に抑え、軽負荷時のワット損失を抑制し、逆回復を改善したMOSFETへの要求が高まっています。その他の要因としては、再生可能エネルギー資源別の電源の利用が増加していることや、広範な研究開発(R&D)活動などがあり、市場をさらに牽引すると予想されます。
The global high voltage MOSFET market size reached US$ 4.5 Billion in 2023. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach US$ 7.4 Billion by 2032, exhibiting a growth rate (CAGR) of 5.5% during 2024-2032.
High voltage metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) refer to a kind of super junction MOSFET that operates at higher voltages. It consists of various silicon-based semiconductor components used for switching or amplifying electronic signals and three insulated terminals, namely source, gate and drain, for voltage conversion. In comparison to the traditionally used MOSFETs, these variants offer various benefits, such as minimal gate-oxide leakage, high power density and enhanced output resistance. As a result, it finds extensive applications across various industries, such as industrial power, electronics and automotive.
Increasing industrial automation and the growing demand for electrical systems with high energy efficiencies, represent as the key factors creating a positive impact on the market. Furthermore, the widespread product adoption for manufacturing automobile electronic components is also driving the market growth. These MOSFETs are extensively used in hybrid and electronic vehicles (H/EVs) to reduce heat dissipation and semiconductor module size, and an improved fuel efficiency of the vehicle. In line with this, high-voltage MOSFETs are also utilized for generating and distributing sustainable energy from solar and wind energy panels. Additionally, various technological advancements, such as the integration of connected devices with the internet-of-things (IoT) and cloud computing solutions, are acting as other growth-inducing factors. This has increased the requirement for MOSFETs with minimal conduction loss, suppressed watt loss under light loads and improved reverse recovery. Other factors, including the increasing utilization of renewable energy resource-based power supplies, along with extensive research and development (R&D) activities, are anticipated to drive the market further.
IMARC Group provides an analysis of the key trends in each segment of the global high voltage MOSFET market report, along with forecasts at the global, regional and country levels from 2024-2032. Our report has categorized the market based on product type and application.
Junction Tube
Insulated Gate
Others
Consumer Electronics
Automotive Electronics
Power Systems
Others
North America
United States
Canada
Asia Pacific
China
Japan
India
South Korea
Australia
Indonesia
Others
Europe
Germany
France
United Kingdom
Italy
Spain
Russia
Others
Latin America
Brazil
Mexico
Others
Middle East and Africa
The report has also analysed the competitive landscape of the market with some of the key players being Alpha and Omega Semiconductor Limited, Diodes Incorporated, Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors N.V., ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, Rohm Co. Ltd., STMicroelectronics N.V., Toshiba Corporation and Vishay Intertechnology Inc.