炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の世界市場レポート2026年

炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の市場規模は、近年急激に拡大しております。2025年の21億7,000万米ドルから2026年には27億1,000万米ドルへと、CAGR24.9％で成長が見込まれております。過去数年間の成長は、高効率パワーデバイスの需要増加、ワイドバンドギャップ半導体の早期採用、産業オートメーションの進展、電力密度要件の高まり、再生可能エネルギーインフラの拡大に起因すると考えられます。

炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場規模は、今後数年間で急激な成長が見込まれます。2030年には65億6,000万米ドルに達し、CAGRは24.8％となる見込みです。予測期間における成長要因としては、電気自動車（EV）製造の急増、200mmウエハー技術の普及拡大、スマートグリッドの拡張、高電圧充電システムへの投資増加、コンパクトなパワーモジュールへの移行加速などが挙げられます。予測期間の主な動向には、AI駆動型電力最適化、持続可能な高効率パワーデバイス、スマートモビリティ向けパワーエレクトロニクスの進歩、SiC MOSFET生産のためのインテリジェント製造、EVパワートレインの電動化強化などが含まれます。

電気自動車（EV）の普及拡大は、炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場の拡大を牽引すると予想されます。内燃機関の代わりに充電式バッテリーや燃料電池で駆動する電動モーターを採用するEVは、排出ガスの低減と優れたエネルギー効率から支持されています。環境問題への関心の高まり、バッテリー技術の進歩、政府の補助金制度が相まって、従来型車両に比べ持続可能性と入手しやすさを兼ね備えた選択肢として人気が上昇しています。SiC MOSFETは、エネルギー効率の向上、高速スイッチング、電力管理の改善を実現することでEV性能の向上に重要な役割を果たし、高性能EVシステムに最適です。例えば、2024年1月に米国政府機関であるエネルギー省が発表したデータによりますと、2023年12月の軽自動車販売台数に占めるプラグイン電気自動車の割合は9.8％に達し、2022年12月の7.8％から増加しました。2023年を通じて、プラグイン車の月間販売台数に占める割合は常に8％以上を維持しており、2022年の5.5％から7.8％の範囲と比較して顕著な伸びを示しています。したがって、EVの普及拡大はSiC MOSFET市場の成長に直接寄与していると言えます。

SiC MOSFET市場の主要企業は、効率を最大化し電力損失を最小化するため、次世代製品の開発に投資しています。これらの先進的なSiC MOSFETは、導通損失の低減、優れた熱性能、高電力密度、高速スイッチングを実現するよう設計されており、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業機器などの用途に最適です。例えば、2024年9月には、スイスに本拠を置く半導体メーカーであるSTマイクロエレクトロニクスN.V.が、第4世代STPOWER SiC MOSFET技術を発売いたしました。新デバイスは750Vおよび1200Vのバリエーションで提供され、オン抵抗の低減、高速スイッチング、堅牢性の向上を実現しています。これらの改良は特にEVトラクションインバーターに有益であり、400Vおよび800VのEVアーキテクチャの両方をサポートします。効率の向上は充電時間の短縮と車両全体の重量削減に寄与し、EVの普及促進に貢献します。

よくあるご質問

• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の市場規模はどのように予測されていますか？
  • 2025年の21億7,000万米ドルから2026年には27億1,000万米ドルへと成長が見込まれ、2030年には65億6,000万米ドルに達すると予測されています。CAGRは24.9%です。
• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場の成長要因は何ですか？
  • 高効率パワーデバイスの需要増加、ワイドバンドギャップ半導体の早期採用、産業オートメーションの進展、電力密度要件の高まり、再生可能エネルギーインフラの拡大などが挙げられます。
• 電気自動車（EV）の普及拡大がSiC MOSFET市場に与える影響は何ですか？
  • EVの普及拡大はSiC MOSFET市場の成長に直接寄与していると言えます。
• SiC MOSFET市場の主要企業はどこですか？
  • STマイクロエレクトロニクスN.V.などが挙げられます。
• SiC MOSFETの技術的な進展はどのようなものですか？
  • 導通損失の低減、優れた熱性能、高電力密度、高速スイッチングを実現するよう設計されています。

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 市場の特徴

• 市場定義と範囲
• 市場セグメンテーション
• 主要製品・サービスの概要
• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：魅力度スコアと分析
• 成長可能性分析、競合評価、戦略適合性評価、リスクプロファイル評価

第3章 市場サプライチェーン分析

• サプライチェーンとエコシステムの概要
• 一覧：主要原材料・資源・供給業者
• 一覧：主要な流通業者、チャネルパートナー
• 一覧：主要エンドユーザー

第4章 世界の市場動向と戦略

• 主要技術と将来動向
  • 人工知能と自律知能
  • サステナビリティ、気候技術、循環型経済
  • 自律システム、ロボティクス、スマートモビリティ
  • インダストリー4.0とインテリジェント製造
  • 電気モビリティと輸送の電化
• 主要動向
  • AI駆動型電力最適化
  • 持続可能な高効率パワーデバイス
  • スマートモビリティ向けパワーエレクトロニクスの進展
  • SiC MOSFET生産のためのインテリジェント製造
  • EVパワートレインの電動化強化

第5章 最終用途産業の市場分析

• 自動車
• 産業
• 民生用電子機器
• 電気通信
• 航空宇宙・防衛産業

第6章 市場：金利、インフレ、地政学、貿易戦争と関税の影響、関税戦争と貿易保護主義によるサプライチェーンへの影響、コロナ禍が市場に与える影響を含むマクロ経済シナリオ

第7章 世界の戦略分析フレームワーク、現在の市場規模、市場比較および成長率分析

• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：PESTEL分析（政治、社会、技術、環境、法的要因、促進要因と抑制要因）
• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場規模、比較、成長率分析
• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場の実績：規模と成長, 2020-2025
• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場の予測：規模と成長, 2025-2030, 2035F

第8章 市場における世界の総潜在市場規模（TAM）

第9章 市場セグメンテーション

• タイプ別
• シリコンカーバイド（SiC）MOSFETモジュール、シリコンカーバイド（SiC）MOSFETディスクリート
• 耐圧別
• 650～900ボルト、900～1200ボルト、1200～1700ボルト、1700ボルト以上
• 技術別
• 200ミリメートル（mm）ウエハー技術、150ミリメートル（mm）ウエハー技術
• 用途別
• 電源装置、電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、モーター駆動装置、産業用機器
• 最終用途産業別
• 自動車、産業、民生用電子機器、通信、その他の最終用途産業
• タイプ別：シリコンカーバイド（SiC）MOSFETモジュールのサブセグメンテーション
• ハーフブリッジモジュール、フルブリッジモジュール、シックスパックモジュール、降圧または昇圧コンバータモジュール、パワー統合モジュール、インテリジェントパワーモジュール、カスタムパワーモジュール
• シリコンカーバイド（SiC）MOSFETディスクリートのサブセグメンテーション、タイプ別
• NチャネルMOSFET、PチャネルMOSFET、エンハンスメントモードMOSFET、デプレッションモードMOSFET、低ドレイン・ソース間オン抵抗MOSFET、高電圧MOSFET、自動車グレードMOSFET

第10章 地域別・国別分析

• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：地域別、実績と予測, 2020-2025, 2025-2030F, 2035F
• 世界の炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：国別、実績と予測, 2020-2025, 2025-2030F, 2035F

第11章 アジア太平洋市場

第12章 中国市場

第13章 インド市場

第14章 日本市場

第15章 オーストラリア市場

第16章 インドネシア市場

第17章 韓国市場

第18章 台湾市場

第19章 東南アジア市場

第20章 西欧市場

第21章 英国市場

第22章 ドイツ市場

第23章 フランス市場

第24章 イタリア市場

第25章 スペイン市場

第26章 東欧市場

第27章 ロシア市場

第28章 北米市場

第29章 米国市場

第30章 カナダ市場

第31章 南米市場

第32章 ブラジル市場

第33章 中東市場

第34章 アフリカ市場

第35章 市場規制状況と投資環境

第36章 競合情勢と企業プロファイル

• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：競合情勢と市場シェア、2024年
• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：企業評価マトリクス
• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場：企業プロファイル
  • 3
  • By Type
    • 2
  • SiC MOSFET Modules
  • SiC MOSFET Discretes

第37章 その他の大手企業と革新的企業

• By Application, 5, Power Supplies, Electric Vehicles（EVs）, Renewable Energy Systems, Motor Drives, Industrial Equipment, By End-Use Industry, 5, Automotive, Industrial, Consumer Electronics, Telecommunications, Other End Use Industries, Mitsubishi Electric Corporation

第38章 世界の市場競合ベンチマーキングとダッシュボード

第39章 主要な合併と買収

第40章 市場の潜在力が高い国、セグメント、戦略

• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場2030：新たな機会を提供する国
• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場2030：新たな機会を提供するセグメント
• 炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）市場2030：成長戦略
  • 市場動向に基づく戦略
  • 競合の戦略

第41章 付録