市場調査レポート
商品コード
1540988
スーパージャンクションMOSFET市場レポート:タイプ、技術、材料、用途、地域別、2024年~2032年Super Junction MOSFET Market Report by Type, Technology, Material, Application, and Region 2024-2032 |
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スーパージャンクションMOSFET市場レポート:タイプ、技術、材料、用途、地域別、2024年~2032年 |
出版日: 2024年08月10日
発行: IMARC
ページ情報: 英文 138 Pages
納期: 2~3営業日
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世界のスーパージャンクションMOSFET市場規模は2023年に32億米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2032年には88億米ドルに達し、2024~2032年の成長率(CAGR)は11.4%になると予測しています。
超接合型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、さまざまなパワー半導体部品であり、高電圧・高周波アプリケーション向けの新技術です。MOSFETは、マルチエピタキシャル成長技術とディープトレンチ技術を用いて製造され、高い電力密度とシステムの信頼性・効率を必要とする電子機器の製造に広く使用されています。こうした電子機器には、サーバー、コンピューティング・デバイス、産業用電源部品、ソーラー・インバーター、照明、家電製品などが含まれます。従来から使用されているプレーナー・シリコンMOSFETに比べ、スーパージャンクションMOSFETは伝導損失とスイッチング損失が著しく低いです。また、住宅や商業施設のグリーン電力管理システムの開発にも利用され、電力損失を抑制しています。
エネルギー効率の高い電気システムに対する需要の高まりは、市場の成長を促す主な要因のひとつです。さらに、自動車用電子部品の製造に製品が広く採用されていることも、市場の成長を後押ししています。自動車用バッテリーにはスーパージャンクションMOSFETが搭載され、燃費の向上、車内空間の拡大、乗員の快適性の向上が図られています。これに伴い、電源アダプターや電源の小型化も製品需要にプラスの影響を与えています。これに加えて、導通損失を最小限に抑え、軽負荷時のワットロスを抑制し、逆回復を改善した第2世代スーパージャンクションMOSFETの開拓など、さまざまな技術進歩も市場に明るい見通しをもたらしています。その他の要因としては、再生可能エネルギー資源に基づく電源の利用が増加していることや、広範な研究開発(R&D)活動が市場をさらに牽引すると予測されています。
The global super junction MOSFET market size reached US$ 3.2 Billion in 2023. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach US$ 8.8 Billion by 2032, exhibiting a growth rate (CAGR) of 11.4% during 2024-2032.
Super junction metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) refer to various power semiconductor components and a new technology for high-voltage and high-frequency applications. They are manufactured using the multi-epitaxial growth and deep trench technologies and are widely used in the production of electronics that require high power density and system reliability and efficiency. These electronics include servers, computing devices, industrial power supply components, solar inverters, lighting and consumer electronics. In comparison to the traditionally used planar silicon MOSFETs, the super junction MOSFETs have significantly lower conduction and switching losses. They are also utilized in the development of green power management systems in residential and commercial complexes to curb power losses.
The rising demand for electrical systems with high energy efficiencies is one of the key factors driving the growth of the market. Furthermore, widespread product adoption for manufacturing automobile electronic components is also providing a boost to the market growth. Automobile batteries are mounted with super junction MOSFET to improve fuel efficiency, create more cabin space and enhance the comfort of passengers. In line with this, the miniaturization of power adaptors and power supplies is also positively impacting the product demand. In addition to this, various technological advancements, such as the development of second-generation super junction MOSFETs with minimal conduction loss, suppressed watt loss under light loads and improved reverse recovery, are also creating a positive outlook for the market. Other factors, including the increasing utilization of renewable energy resource-based power supplies, along with extensive research and development (R&D) activities, are projected to drive the market further.
IMARC Group provides an analysis of the key trends in each sub-segment of the global super junction MOSFET market report, along with forecasts at the global, regional and country level from 2024-2032. Our report has categorized the market based on type, technology, material and application.
High Voltage Super Junction MOSFET
Low Voltage Super Junction MOSFET
Conventional Power MOSFET
Multiple Epitaxy Technology
Deep Trench Technology
Substrate Material
Transition/Oxide Layer
Electrode Material
Others
Lighting Supply
Power Supply
Display Devices
Others
North America
United States
Canada
Asia Pacific
China
Japan
India
South Korea
Australia
Indonesia
Others
Europe
Germany
France
United Kingdom
Italy
Spain
Russia
Others
Latin America
Brazil
Mexico
Others
Middle East and Africa
The report has also analysed the competitive landscape of the market with some of the key players being Alpha and Omega Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd., IceMOS Technology Ltd., Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, On Semiconductor Corporation, Rohm Co Ltd., STMicroelectronics, Toshiba Corporation, Vishay Intertechnology Inc., etc.