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市場調査レポート
商品コード
1885895
窒化ガリウム（GaN）電気自動車充電器市場における機会、成長要因、業界動向分析、および2025年から2034年までの予測Gallium Nitride (GaN) EV Charger Market Opportunity, Growth Drivers, Industry Trend Analysis, and Forecast 2025 - 2034 |
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カスタマイズ可能
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| 窒化ガリウム（GaN）電気自動車充電器市場における機会、成長要因、業界動向分析、および2025年から2034年までの予測 |
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出版日: 2025年11月19日
発行: Global Market Insights Inc.
ページ情報: 英文 190 Pages
納期: 2～3営業日
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概要
世界の窒化ガリウム（GaN）電気自動車充電器市場は、2024年に11億4,000万米ドルと評価され、2034年までにCAGR24.3％で成長し、97億7,000万米ドルに達すると予測されています。
市場は、単体のディスクリートデバイスから、GaNスイッチとドライバ、保護機能を組み合わせた集積型ハーフブリッジステージおよびモジュールへと移行しています。この集積化により、レイアウトの感度や電磁干渉（EMI）が低減されると同時に、熱性能が向上します。官民連携による取り組みがワイドバンドギャップ（WBG）技術の商業化を加速させ、車載充電器（OBC）や電気自動車用電源システム向けの集積型GaNソリューションの採用を推進しています。自動車メーカーは、デバイス統合レベルを高める多機能電源ドメインの統合を加速しています。OBCコンバータの実証では、GaNがシリコンベースシステムと比較して電力密度を170%向上させ、重量を79%削減できることが示されており、6.6kWデュアルアクティブブリッジプロトタイプでは99%のピーク効率を達成しています。GaNデバイスはシリコンよりも高い周波数でスイッチングが可能であり、導通損失が低いため、先進的なEVコンバータにおいて損失を60～80％削減しつつ、より小型の磁気部品や冷却システムを実現します。設計チームはまた、コンバータ性能とモーターの寄生損失のバランスを取るため、スイッチング周波数の最適化を進めています。調査によれば、高HfO2ゲート誘電体を用いた1.2kV GaN MOSFETは、極めて低いゲートリーク電流と高い電流密度を達成しています。これにより、基板およびプロセス技術が成熟すれば、垂直型GaNデバイスは1.2kV用途においてSiCと競合する立場にあります。しかしながら、800V以上および150kWのトラクション用途における自動車向け認定は、コストと信頼性の観点から、今世紀末に向けて準備が整う見込みであり、現在も開発段階にあります。
| 市場範囲 | |
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| 開始年 | 2024年 |
| 予測年度 | 2025-2034 |
| 開始時価値 | 11億4,000万米ドル |
| 予測金額 | 97億7,000万米ドル |
| CAGR | 24.3％ |
横型GaNデバイスセグメントは70％のシェアを占めており、2025年から2034年にかけてCAGR 16.1％で成長すると予測されております。横型GaNデバイスは、650VまでのOBC、DC-DCコンバータ、補助システム向けEVパワーエレクトロニクス市場を独占しています。シリコン上のAlGaN/GaN HEMT構造は高い電子移動度と臨界電界強度を提供し、シリコンと比較して高い遮断電圧で低いオン抵抗を実現します。
中電圧セグメント（100～650V）は2024年に67%のシェアを占め、2034年までCAGR16%で成長すると予測されています。中電圧GaNデバイスが広く採用されている背景には、大半のOBC（現在400V、今後800Vへ移行）および多くのDC-DCコンバータがこの電圧範囲に該当することが挙げられます。GaNの高周波性能は、6.6～19.2kWのOBCシステムにおける力率補正（PFC）およびLLC/共振コンバータ段の効率と電力密度を直接向上させます。
中国の窒化ガリウム（GaN）EV充電器市場は、2024年に7,340万米ドルの規模に達しました。世界のEV販売台数の約3分の2を占める中国の規模は、GaNデバイスにとって最大の潜在市場を生み出しています。これは、すべてのEVに車載充電器、DC-DCコンバーター、および互換性のある充電インフラが必要であるためです。この生産量は、日本、韓国、インドなどの他の地域市場を大きく引き離す中国の位置付けを示しています。
よくあるご質問
目次
第1章 調査手法
- 市場範囲と定義
- 調査設計
- 調査アプローチ
- データ収集方法
- データマイニングソース
- 世界
- 地域別／国別
- 基本推定値と計算
- 基準年計算
- 市場推定における主要な動向
- 1次調査と検証
- 一次情報
- 予測
- 調査の前提条件と制限事項
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 業界考察
- エコシステム分析
- サプライヤーの情勢
- 利益率分析
- コスト構造
- 各段階における付加価値
- バリューチェーンに影響を与える要因
- ディスラプション
- 業界への影響要因
- 促進要因
- 電気自動車の普及拡大
- エネルギー効率と持続可能性
- フリートの電動化
- 政府の政策と優遇措置
- GaN技術の進歩
- 業界の潜在的リスク＆課題
- 初期コストの高さ
- 統合における課題
- 市場機会
- 再生可能エネルギーとの統合
- 高出力産業用フリート充電
- 公共充電ネットワークの拡大
- スマート充電とグリッド管理
- 促進要因
- 成長可能性分析
- 規制情勢
- ポーター分析
- PESTEL分析
- 技術とイノベーションの動向
- 現在の技術動向
- 新興技術
- GaNデバイスのアーキテクチャと技術バリエーション
- 横型GaN HEMTアーキテクチャ（300-650V商用）
- 垂直型GaN開発ロードマップ（目標電圧1.2kV超）
- 双方向GaNスイッチ（BDS）技術
- ワイドバンドギャップ半導体技術の最新動向
- シリコン（Si）の基準性能と限界
- GaN技術の概要と利点
- 炭化ケイ素（SiC）技術概要
- GaNとシリコンの性能比較
- 特許分析
- 価格動向分析
- コンポーネント別
- 地域別
- コスト内訳分析
- 生産統計
- 生産拠点
- 消費拠点
- 輸出と輸入
- 持続可能性と環境面
- 持続可能な取り組み
- 廃棄物削減戦略
- 生産におけるエネルギー効率
- 環境に配慮した取り組み
- カーボンフットプリントに関する考慮事項
- 製造プロセスとコスト構造
- GaNデバイスの製造プロセスフロー
- エピタキシャル成長（MOCVD、MBE）
- ウエハー加工・リソグラフィー
- ダイシング及びパッケージング
- 試験・品質管理
- 製造コスト内訳（$/kW）
- 熱管理に関する考慮事項
- 高スイッチング周波数における放熱課題
- ヒートシンクの設計と最適化
- 液体冷却と空冷の比較
- 熱伝導インターフェース材料
- 接合部温度管理
- 電磁両立性（EMI/EMC）への適合と対策
- 高電圧差（DV/DT）及び高電流差（DI/DT）の課題
- 伝導性エミッション
- 放射エミッション
- GaN充電器向けEMIフィルタ設計
- PCBレイアウトのベストプラクティス
- シールド及び接地対策
- 信頼性及び認証基準
- AEC-Q101（自動車用ディスクリート半導体）
- AEC-Q100（自動車用集積回路）
- 自動車向け認証要件
- 長期信頼性試験
- ゲート酸化膜の信頼性
- 動的オン抵抗劣化
- 貿易分析と輸出入動向
- 世界GaNデバイスの貿易動向
- 主要輸出国（中国、台湾、ドイツ、米国）
- 主要輸入国
- 関税及び貿易障壁
- 貿易政策の影響（米中関係）
- リショアリングおよびニアショアリングの動向
- 事例研究と実世界での導入事例
- ORNL 6.6 kW GaN車載充電器実証試験
- デルタ・エレクトロニクス社によるGaN充電器の導入
- インフィニオン社300mm GaNパイロット生産
- Navitas GaNFast ICの自動車設計採用実績
- チャージポイント社製GaN対応直流急速充電器
第4章 競合情勢
- イントロダクション
- 企業の市場シェア分析
- 北米
- 欧州
- アジア太平洋地域
- ラテンアメリカ
- 中東・アフリカ地域
- 主要市場企業の競合分析
- 競合ポジショニングマトリックス
- 戦略的展望マトリックス
- 主なニュースと取り組み
- 合併・買収
- 提携・協業
- 新製品の発売
- 事業拡大計画と資金調達
第5章 市場推計・予測：製品別、2021-2034
- 主要動向
- 車載充電器
- 車載外充電器
- 住宅用
- 商業用
- 公共／高出力
第6章 市場推計・予測：充電容量別、2021-2034
- 主要動向
- <11 kW
- 11～22 kW
- >22 kW
第7章 市場推計・予測：車両別、2021-2034
- 主要動向
- 乗用車
- ハッチバック
- セダン
- SUV
- 商用車
- LCV
- MCV
- 大型商用車（HCV）
第8章 市場推計・予測：用途別、2021-2034
- 主要動向
- 住宅用
- 商業用
- 公開
- 産業用
第9章 市場推計・予測：流通チャネル別、2021-2034
- 主要動向
- OEM
- アフターマーケット
第10章 市場推計・予測：地域別、2021-2034
- 主要動向
- 北米
- 米国
- カナダ
- 欧州
- ドイツ
- 英国
- フランス
- イタリア
- スペイン
- 北欧諸国
- オランダ
- ロシア
- アジア太平洋地域
- 中国
- インド
- 日本
- ANZ
- シンガポール
- タイ
- ベトナム
- 韓国
- ラテンアメリカ
- ブラジル
- メキシコ
- アルゼンチン
- 中東・アフリカ地域
- 南アフリカ
- サウジアラビア
- アラブ首長国連邦
第11章 企業プロファイル
- 世界プレイヤー
- ABB E-Mobility
- Infineon Technologies
- ON Semiconductor
- Power Integrations
- Renesas Electronics（Transphorm）
- ROHM Semiconductor
- Schneider Electric
- Siemens eMobility
- STMicroelectronics
- Texas Instruments
- 地域プレイヤー
- BTC Power
- ChargePoint
- EVBox（Engie）
- GaN Systems
- Nexperia
- Panasonic
- Tritium
- Wallbox
- VisIC Technologies
- Chanan
- 新興企業およびディスラプター
- Cambridge GaN Devices（CGD）
- EPC
- Innoscience Technology
- Navitas Semiconductor
11.3.5オデッセイ・セミコンダクター・テクノロジーズ
