パワーディスクリートとモジュールの市場機会と成長促進要因、産業動向分析、2025年～2034年予測

パワーディスクリートとモジュールの世界市場規模は、2024年に298億米ドルとなり、家電、データセンター、5Gインフラなどの高成長産業からの需要増に後押しされ、CAGR 6.1%で成長し、2034年には534億米ドルに達すると推定されます。

これらのアプリケーションでは、効率、小型化、性能をサポートするために、高度なパワーエレクトロニクスの採用が不可欠となっています。デバイスがよりスマートで電力密度が高くなるにつれて、IGBT、MOSFET、パワーモジュールなどのコンポーネントは、エネルギー使用、熱効率、スイッチング速度の管理に不可欠となっています。

トランプ政権下で実施された貿易関税は、重要な材料や部品の輸入コストを引き上げ、米国に拠点を置く半導体メーカーに圧力をかけた。米国市場で事業を展開する多くの企業は、生産の現地化、サプライチェーンの再構築、地域のウエハー製造施設への投資によってこれに対応しました。また、特にアジアの世界・プレーヤーは、海外依存度を下げるため、GaNやSiC技術の研究開発を強化しました。こうした地政学的な変化は、業界全体の調達パターン、価格戦略、技術革新のタイムラインに大きな影響を与えました。さらに、個人用機器からスマート家電に至るまで、民生用電子機器の台頭が続いており、高周波でコンパクトな環境におけるディスクリート・パワー・ソリューションの役割が強化されています。

2024年、パワーモジュール分野の売上高は124億米ドルでした。その高い需要は、優れた放熱性、コンパクトな設計、EV、産業用ドライブ、再生可能エネルギー・システムで重要な電力処理能力に起因します。風力タービン、太陽光発電所、EV充電ネットワークの継続的な開発により、高電圧パワーモジュール、特にSiCをベースとするもの展開が急速に拡大しています。

パワーディスクリートとモジュール市場のMOSFETセグメントは、低～中電力アプリケーションでの高効率と信頼性により、2024年に87億米ドルを占めました。民生機器、自動車制御ユニット、急速充電技術におけるMOSFETの隆盛は、その汎用性と、フォームファクターとスイッチング性能における継続的な技術革新を反映しています。GaNベースの製品は、コンパクトな高速スイッチングを必要とするアプリケーションの成長を後押ししています。

米国のパワーディスクリートとモジュール2024年の市場規模は79億米ドルで、EV需要の増加、太陽光および風力インフラへの大規模投資、防衛および航空宇宙アプリケーションにおけるパワーモジュールの使用増加が牽引しています。産業オートメーションも重要な促進要因であり、ディスクリートコンポーネントが電力効率と応答性に優れたスマート工場システムを実現します。クリーンエネルギーとモビリティの電動化へのシフトは、特にEV充電ステーション、バッテリー管理システム、再生可能インバーターなどのアプリケーションにおいて、高性能パワーデバイスの統合を加速させています。

この業界の主要企業には、パウレック、リテルヒューズ、インフィニオンテクノロジーズ、ダンフォス、STマイクロエレクトロニクス、富士電機、テキサス・インスツルメンツ、ロームセミコンダクター、ルネサスエレクトロニクス、セミクロン、マイクロチップテクノロジー、東芝、オン・セミコンダクター、ヴィシェイ・インターテクノロジー、ウォルフスピード、三菱電機、サンケン電気などがあります。競争力を維持するため、大手企業はワイドバンドギャップ技術（SiC/GaN）を進歩させ、製品の効率と熱性能を高めています。また、垂直統合を強化し、高成長の地域市場に対応するため、製造能力の拡大、サプライチェーン提携、戦略的合併を進めています。

目次

第1章 調査手法と範囲

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 業界考察

• エコシステム分析
• トランプ政権による関税への影響
  • 貿易への影響
    • 貿易量の混乱
    • 報復措置
  • 業界への影響
    • 供給側の影響（原材料）
      • 主要原材料の価格変動
      • サプライチェーンの再構築
      • 生産コストへの影響
    • 需要側の影響（販売価格）
      • 最終市場への価格伝達
      • 市場シェアの動向
      • 消費者の反応パターン
  • 影響を受ける主要企業
  • 戦略的な業界対応
    • サプライチェーンの再構成
    • 価格設定と製品戦略
    • 政策関与
  • 展望と今後の検討事項
• 業界への影響要因
  • 促進要因
    • スマートグリッドとスマートメーターの導入増加
    • 再生可能エネルギーインフラの拡大
    • 5Gインフラとデータセンターの拡張
    • 家電製品の成長
    • ワイドバンドギャップ半導体の進歩
  • 業界の潜在的リスク＆課題
    • ワイドバンドギャップ技術の高コスト
    • 設計の複雑さと統合の問題
• 成長可能性分析
• 規制情勢
• テクノロジーの情勢
• 将来の市場動向
• ギャップ分析
• ポーター分析
• PESTEL分析

第4章 競合情勢

• イントロダクション
• 企業の市場シェア分析
• 主要市場企業の競合分析
• 競合ポジショニングマトリックス
• 戦略ダッシュボード

第5章 市場推計・予測：タイプ別、2021年～2034年

• 主要動向
• パワーディスクリート
• パワーモジュール

第6章 市場推計・予測：コンポーネント別、2021年～2034年

• 主要動向
• サイリスタ
• ダイオード
• 整流器
• MOSFET
• IGBT
• その他

第7章 市場推計・予測：材料別、2021年～2034年

• 主要動向
• Si
• SiC
• 窒化ガリウム
• その他

第8章 市場推計・予測：用途別、2021年～2034年

• 主要動向
• 通信およびデータセンター
• 産業
• 自動車
• 再生可能エネルギー
• 家電
• その他

第9章 市場推計・予測：地域別、2021年～2034年

• 主要動向
• 北米
  • 米国
  • カナダ
• 欧州
  • ドイツ
  • 英国
  • フランス
  • スペイン
  • イタリア
  • オランダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • オーストラリア
  • 韓国
• ラテンアメリカ
  • ブラジル
  • メキシコ
  • アルゼンチン
• 中東・アフリカ
  • サウジアラビア
  • 南アフリカ
  • アラブ首長国連邦

第10章 企業プロファイル

• Danfoss
• Fuji Electric
• Infineon Technologies
• Littelfuse
• Microchip Technology
• Mitsubishi Electric
• ON Semiconductor
• Powerex
• Renesas Electronics
• ROHM Semiconductor
• Sanken Electric
• Semikron
• STMicroelectronics
• Texas Instruments
• Toshiba
• Vishay Intertechnology
• Wolfspeed

The Global Power Discrete and Modules Market was valued at USD 29.8 billion in 2024 and is estimated to grow at a CAGR of 6.1% to reach USD 53.4 billion by 2034, fueled by rising demand from high-growth industries such as consumer electronics, data centers, and 5G infrastructure. Adopting advanced power electronics has become critical in these applications to support efficiency, miniaturization, and performance. As devices become smarter and power-dense, components like IGBTs, MOSFETs, and power modules are essential to managing energy use, thermal efficiency, and switching speed.

Trade tariffs enacted during the Trump administration placed pressure on US-based semiconductor manufacturers by raising import costs for critical materials and components. Many companies operating in the US market responded by localizing production, reengineering their supply chains, and investing in regional wafer fabrication facilities. Global players, particularly in Asia, also ramped up R&D around GaN and SiC technologies to reduce foreign dependency. These geopolitical shifts significantly influenced procurement patterns, pricing strategies, and innovation timelines across the industry. Moreover, the continued rise of consumer electronics, from personal devices to smart appliances, reinforces the role of discrete power solutions in high-frequency, compact environments.

In 2024, the power module segment generated USD 12.4 billion. Its high demand stems from superior heat dissipation, compact design, and power-handling capability critical in EVs, industrial drives, and renewable energy systems. With the continued development of wind turbines, solar farms, and EV charging networks, the deployment of high-voltage power modules, especially those based on SiC, is expanding rapidly.

MOSFETs segment in the power discrete and modules market accounted for USD 8.7 billion in 2024 due to their high efficiency and reliability in low- to mid-power applications. Their prominence in consumer gadgets, automotive control units, and fast-charging technologies reflects their versatility and ongoing innovation in form factor and switching performance. GaN-based variants push growth in applications requiring compact high-speed switching.

U.S. Power Discrete and Modules Market was valued at USD 7.9 billion in 2024, driven by rising EV demand, large-scale investments in solar and wind infrastructure, and increased use of power modules in defense and aerospace applications. Industrial automation is another key driver, where discrete components enable power-efficient, responsive smart factory systems. The country's shift toward clean energy and electrified mobility has accelerated the integration of high-performance power devices, particularly in applications like EV charging stations, battery management systems, and renewable inverters.

Key players in the industry include Powerex, Littelfuse, Infineon Technologies, Danfoss, STMicroelectronics, Fuji Electric, Texas Instruments, ROHM Semiconductor, Renesas Electronics, Semikron, Microchip Technology, Toshiba, ON Semiconductor, Vishay Intertechnology, Wolfspeed, Mitsubishi Electric, and Sanken Electric. To maintain a competitive edge, leading firms are advancing wide-bandgap technology (SiC/GaN), enhancing product efficiency and thermal performance. They are also expanding fabrication capacity, forming supply chain alliances, and pursuing strategic mergers to strengthen vertical integration and serve high-growth regional markets.

Table of Contents

Chapter 1 Methodology and Scope

• 1.1 Market scope and definitions
• 1.2 Research design
  • 1.2.1 Research approach
  • 1.2.2 Data collection methods
• 1.3 Base estimates and calculations
  • 1.3.1 Base year calculation
  • 1.3.2 Key trends for market estimation
• 1.4 Forecast model
• 1.5 Primary research and validation
  • 1.5.1 Primary sources
  • 1.5.2 Data mining sources

Chapter 2 Executive Summary

• 2.1 Industry 360° synopsis

Chapter 3 Industry Insights

• 3.1 Industry ecosystem analysis
• 3.2 Trump administration tariffs
  • 3.2.1 Impact on trade
    • 3.2.1.1 Trade volume disruptions
    • 3.2.1.2 Retaliatory measures
  • 3.2.2 Impact on the industry
    • 3.2.2.1 Supply-side impact (raw materials)
      • 3.2.2.1.1 Price volatility in key materials
      • 3.2.2.1.2 Supply chain restructuring
      • 3.2.2.1.3 Production cost implications
    • 3.2.2.2 Demand-side impact (selling price)
      • 3.2.2.2.1 Price transmission to end markets
      • 3.2.2.2.2 Market share dynamics
      • 3.2.2.2.3 Consumer response patterns
  • 3.2.3 Key companies impacted
  • 3.2.4 Strategic industry responses
    • 3.2.4.1 Supply chain reconfiguration
    • 3.2.4.2 Pricing and product strategies
    • 3.2.4.3 Policy engagement
  • 3.2.5 Outlook and future considerations
• 3.3 Industry impact forces
  • 3.3.1 Growth drivers
    • 3.3.1.1 Rising adoption of smart grids & smart meters
    • 3.3.1.2 Expansion of renewable energy infrastructure
    • 3.3.1.3 Expansion of 5G infrastructure & data centres
    • 3.3.1.4 Growth in consumer electronics
    • 3.3.1.5 Advancements in wide-bandgap semiconductors
  • 3.3.2 Industry pitfalls and challenges
    • 3.3.2.1 High cost of wide-bandgap technologies
    • 3.3.2.2 Design complexity and integration issues
• 3.4 Growth potential analysis
• 3.5 Regulatory landscape
• 3.6 Technology landscape
• 3.7 Future market trends
• 3.8 Gap analysis
• 3.9 Porter's analysis
• 3.10 PESTEL analysis

Chapter 4 Competitive Landscape, 2024

• 4.1 Introduction
• 4.2 Company market share analysis
• 4.3 Competitive analysis of major market players
• 4.4 Competitive positioning matrix
• 4.5 Strategy dashboard

Chapter 5 Market Estimates and Forecast, By Type, 2021 – 2034 (USD Billion & Million Units)

• 5.1 Key trends
• 5.2 Power discrete
• 5.3 Power module

Chapter 6 Market Estimates and Forecast, By Component, 2021 – 2034 (USD Billion & Million Units)

• 6.1 Key trends
• 6.2 Thyristor
• 6.3 Diode
• 6.4 Rectifier
• 6.5 MOSFET
• 6.6 IGBT
• 6.7 Others

Chapter 7 Market Estimates and Forecast, By Material, 2021 – 2034 (USD Billion & Million Units)

• 7.1 Key trends
• 7.2 Si
• 7.3 SiC
• 7.4 GaN
• 7.5 Others

Chapter 8 Market Estimates and Forecast, By Application, 2021 – 2034 (USD Billion & Million Units)

• 8.1 Key trends
• 8.2 Telecom & data centers
• 8.3 Industrial
• 8.4 Automotive
• 8.5 Renewable energy
• 8.6 Consumer electronics
• 8.7 Others

Chapter 9 Market Estimates and Forecast, By Region, 2021 – 2034 (USD Billion & Million Units)

• 9.1 Key trends
• 9.2 North America
  • 9.2.1 U.S.
  • 9.2.2 Canada
• 9.3 Europe
  • 9.3.1 Germany
  • 9.3.2 UK
  • 9.3.3 France
  • 9.3.4 Spain
  • 9.3.5 Italy
  • 9.3.6 Netherlands
• 9.4 Asia Pacific
  • 9.4.1 China
  • 9.4.2 India
  • 9.4.3 Japan
  • 9.4.4 Australia
  • 9.4.5 South Korea
• 9.5 Latin America
  • 9.5.1 Brazil
  • 9.5.2 Mexico
  • 9.5.3 Argentina
• 9.6 Middle East and Africa
  • 9.6.1 Saudi Arabia
  • 9.6.2 South Africa
  • 9.6.3 UAE

Chapter 10 Company Profiles

• 10.1 Danfoss
• 10.2 Fuji Electric
• 10.3 Infineon Technologies
• 10.4 Littelfuse
• 10.5 Microchip Technology
• 10.6 Mitsubishi Electric
• 10.7 ON Semiconductor
• 10.8 Powerex
• 10.9 Renesas Electronics
• 10.10 ROHM Semiconductor
• 10.11 Sanken Electric
• 10.12 Semikron
• 10.13 STMicroelectronics
• 10.14 Texas Instruments
• 10.15 Toshiba
• 10.16 Vishay Intertechnology
• 10.17 Wolfspeed