WBG半導体市場の成長加速要因：2024年

コスト、歩留まり、信頼性の課題を克服するには、基板、プロセス、試験、検査装置の革新が不可欠

ワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、主に炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）ベースのデバイスで構成され、化合物半導体のサブセットです。WBG半導体は商業化の初期段階にあり、今後10年間で大きな成長が見込まれています。

このため、さまざまな集積デバイスメーカー（IDM）やファブレスメーカーが、製品開発にSiCやGaNデバイスを採用しています。これらのメーカーは、車載、産業、通信、民生など、さまざまな業種の顧客と提携し、この高い成長機会を活用しようとしています。とはいえ、今後10年間に予測されるWBG半導体市場の成長は、企業が研究とイノベーションの努力によってコスト、歩留まり、信頼性に関連する課題を克服した場合にのみ起こり得ます。

本調査では、WBG半導体市場が直面する様々な課題を特定し、市場成長に最も影響を与える上位3つの課題を評価しています。これらの課題を克服し、WBG半導体デバイスの市場成長を加速させるWBGエコシステムの主なイノベーション（商業化の段階は異なる）を特定します。イノベーションは、デバイスそのものよりもエコシステムに焦点を当てています。

本調査では、市場実績や定量的側面よりも、市場成長を加速させるレバーを特定することに重点を置いています。市場推計・予測の詳細については、Frost & Sullivanは化合物半導体（KAA8）、パワー半導体（K9EC）、WBG半導体（K877）に関するレポートを発行しています。

目次

戦略的課題

• なぜ成長が難しくなっているのか？
• The Strategic Imperative 8（TM）
• ワイドバンドギャップ（WBG）半導体業界への上位3つの戦略的課題の影響

成長機会分析

• 分析範囲
• セグメンテーション
• シリコン半導体とWBG半導体の差別化
• SiC製造バリューチェーン
• GaN製造バリューチェーン
• 成長指標
• WBG半導体：10年を通じて成長エンジンとして機能する電力市場
• WBG半導体産業の概要
• WBGパワー半導体の情勢：材料、用途、今後の動向（世界、2024年）
• WBG半導体の情勢における課題
• WBG半導体市場におけるコスト、歩留まり、信頼性問題の重要性
• ウエハーサイズ拡大によるコスト課題の克服
• Qromis：エンジニアドサブストレート（QST）
• Infineon：300mm GaN-on-Siウエハー
• KISAB：基底面転位（BPD）フリーSiC基板
• DISCO Corporation：GaNおよびSiC基板用KABRAプロセス
• AIXTRON SE：パワーおよびRFアプリケーション用G10-GaNプラットフォーム
• SiC Innovation Alliance
• Keysight Technologies：4881HVウエハーテストシステム
• Axus Technology：CapstoneA CS200プラットフォーム
• 成長促進要因
• 成長促進要因分析
• 成長抑制要因
• 成長抑制要因分析

WBG市場の成長を加速する主な技術動向

• より高い電力密度と低い伝導抵抗のためのプレーナからトレンチSiCトランジスタ構造への移行
• WBG半導体パワーモジュールのパッケージ動向

成長機会領域

• 成長機会1：パワーGaNにおける進歩
• 成長機会2：エンドユーザー業界全体の電力効率規制
• 成長機会3：次世代パワー半導体材料の開発

付録と次のステップ

• 成長機会の利点と影響
• 次のステップ
• 図表リスト
• 免責事項