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市場調査レポート
商品コード
1630572
WBG半導体市場の成長加速要因：2024年Growth Accelerators in the WBG Semiconductor Market, 2024 |
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| WBG半導体市場の成長加速要因：2024年 |
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出版日: 2024年12月12日
発行: Frost & Sullivan
ページ情報: 英文 58 Pages
納期: 即日から翌営業日
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- 全表示
- 概要
- 目次
コスト、歩留まり、信頼性の課題を克服するには、基板、プロセス、試験、検査装置の革新が不可欠
ワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、主に炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）ベースのデバイスで構成され、化合物半導体のサブセットです。WBG半導体は商業化の初期段階にあり、今後10年間で大きな成長が見込まれています。
このため、さまざまな集積デバイスメーカー（IDM）やファブレスメーカーが、製品開発にSiCやGaNデバイスを採用しています。これらのメーカーは、車載、産業、通信、民生など、さまざまな業種の顧客と提携し、この高い成長機会を活用しようとしています。とはいえ、今後10年間に予測されるWBG半導体市場の成長は、企業が研究とイノベーションの努力によってコスト、歩留まり、信頼性に関連する課題を克服した場合にのみ起こり得ます。
本調査では、WBG半導体市場が直面する様々な課題を特定し、市場成長に最も影響を与える上位3つの課題を評価しています。これらの課題を克服し、WBG半導体デバイスの市場成長を加速させるWBGエコシステムの主なイノベーション（商業化の段階は異なる）を特定します。イノベーションは、デバイスそのものよりもエコシステムに焦点を当てています。
本調査では、市場実績や定量的側面よりも、市場成長を加速させるレバーを特定することに重点を置いています。市場推計・予測の詳細については、Frost & Sullivanは化合物半導体（KAA8）、パワー半導体（K9EC）、WBG半導体（K877）に関するレポートを発行しています。
目次
戦略的課題
- なぜ成長が難しくなっているのか？
- The Strategic Imperative 8（TM）
- ワイドバンドギャップ（WBG）半導体業界への上位3つの戦略的課題の影響
成長機会分析
- 分析範囲
- セグメンテーション
- シリコン半導体とWBG半導体の差別化
- SiC製造バリューチェーン
- GaN製造バリューチェーン
- 成長指標
- WBG半導体：10年を通じて成長エンジンとして機能する電力市場
- WBG半導体産業の概要
- WBGパワー半導体の情勢：材料、用途、今後の動向（世界、2024年）
- WBG半導体の情勢における課題
- WBG半導体市場におけるコスト、歩留まり、信頼性問題の重要性
- ウエハーサイズ拡大によるコスト課題の克服
- Qromis：エンジニアドサブストレート（QST）
- Infineon：300mm GaN-on-Siウエハー
- KISAB：基底面転位（BPD）フリーSiC基板
- DISCO Corporation：GaNおよびSiC基板用KABRAプロセス
- AIXTRON SE：パワーおよびRFアプリケーション用G10-GaNプラットフォーム
- SiC Innovation Alliance
- Keysight Technologies：4881HVウエハーテストシステム
- Axus Technology：CapstoneA CS200プラットフォーム
- 成長促進要因
- 成長促進要因分析
- 成長抑制要因
- 成長抑制要因分析
WBG市場の成長を加速する主な技術動向
- より高い電力密度と低い伝導抵抗のためのプレーナからトレンチSiCトランジスタ構造への移行
- WBG半導体パワーモジュールのパッケージ動向
成長機会領域
- 成長機会1：パワーGaNにおける進歩
- 成長機会2：エンドユーザー業界全体の電力効率規制
- 成長機会3：次世代パワー半導体材料の開発
付録と次のステップ
- 成長機会の利点と影響
- 次のステップ
- 図表リスト
- 免責事項
Innovations in Substrate, Process, Testing, and Inspection Equipment are Critical to Overcome Cost, Yield, and Reliability Challenges
Wide-bandgap (WBG) semiconductors-primarily consisting of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN)-based devices-are a sub-set of compound semiconductors. WBG semiconductors are at an early stage of commercialization and exhibit significant growth projections over the next 10 years.
For this reason, various integrated device manufacturers (IDMs) and fabless manufacturers are adopting SiC and GaN devices for product development. They are engaging with customers across verticals such as automotive, industrial, communications, and consumer to capitalize on this high-growth opportunity. That said, the projected growth in the WBG semiconductor market during the next 10 years can only happen if companies overcome the challenges associated with cost, yield, and reliability through research and innovation efforts.
This study identifies the spectrum of challenges the WBG semiconductor market faces and rates the top 3 challenges that impact market growth the most. It identifies the main innovations in the WBG ecosystem (which are in different stages of commercialization) that will overcome these challenges and accelerate market growth for WBG semiconductor devices. The innovations are focused more on the ecosystem than the devices themselves.
The study focuses less on market performance and quantitative aspects and more on identifying the levers that will accelerate market growth. For more information on market estimates and forecasts, Frost & Sullivan has published reports on compound semiconductors (KAA8), power semiconductors (K9EC), and WBG semiconductors (K877).
Table of Contents
Strategic Imperatives
- Why is it Increasingly Difficult to Grow?
- The Strategic Imperative 8™
- The Impact of the Top 3 Strategic Imperatives on the Wide-bandgap (WBG) Semiconductor Industry
Growth Opportunity Analysis
- Scope of Analysis
- Segmentation
- Differentiation Between Silicon and WBG Semiconductors
- SiC Manufacturing Value Chain
- GaN Manufacturing Value Chain
- Growth Metrics
- WBG Semiconductors: The Power Market Functioning as a Growth Engine Throughout the Decade
- WBG Semiconductor Industry Overview
- WBG Power Semiconductor Landscape: Materials, Applications, and Future Trends, Global, 2024
- Challenges in the WBG Semiconductor Landscape
- Significance of Cost, Yield, and Reliability Issues in the WBG Semiconductor Market
- Overcoming Cost Challenges with Increased Wafer Size
- Qromis: Engineered Substrate (QST)
- Infineon: 300 mm GaN-on-Si Wafer
- KISAB: Basal Plane Dislocation (BPD)-free SiC Substrates
- DISCO Corporation: KABRA Process for GaN and SiC Substrates
- AIXTRON SE: G10-GaN Platform for Power and RF Applications
- SiC Innovation Alliance
- Keysight Technologies: 4881HV Wafer Test System
- Axus Technology: CapstoneA CS200 Platform
- Growth Drivers
- Growth Driver Analysis
- Growth Restraints
- Growth Restraint Analysis
Key Technology Trends Accelerating WBG Market Growth
- Move from Planar to Trench SiC Transistor Structures for Higher Power Density and Lower Conduction Resistance
- Packaging Trends in WBG Semiconductor Power Modules
Growth Opportunity Universe
- Growth Opportunity 1: Advancements in the Power GaN Landscape
- Growth Opportunity 2: Power Efficiency Legislations Across End-user Industries
- Growth Opportunity 3: Developments in Next-generation Power Semiconductor Materials
Appendix & Next Steps
- Benefits and Impacts of Growth Opportunities
- Next Steps
- List of Exhibits
- Legal Disclaimer
