次世代パワー半導体：市場、材料、技術

Next-Generation Power Semiconductors: Markets Materials, Technologies

発行	The Information Network
出版日	2011年11月	商品コード	223488
ページ情報	英文
価格	US$ 2,495 換算 ¥ 200,772 (税抜) PDF by E-mail US$ 2,595 換算 ¥ 208,819 (税抜) PDF by E-mail and Hard Copy

「次世代パワー半導体：市場、材料、技術」は2011年11月にインフォメーションネットワークより発行されました。当レポートは税抜￥200,772より販売しています。

概要

シリコンをベースにした既存のパワー半導体が理論上の限界に近づくなか、優れた材料特性と大きなバンドギャップを有する炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー半導体が次世代のパワーデバイスとして大きな期待を集めており、なかでもIGBTとパワーMOSFETは、市場拡大の原動力になると見られています。パワー半導体の市場規模は、2011年の142億ドルから2013年には167億ドルに拡大し、この間の年平均成長率は3.7％になる見通しです。また次世代パワー半導体の市場が大きく成長することで、加工設備の業界にも恩恵が及ぶと予想されており、とりわけシリコン基板上でのGaNエピタキシー成長プロセスに関連する機器のメーカーやフリップチップ業界向け設備のメーカーは好業績が見込まれます。

当レポートは、次世代パワー半導体の市場を取り上げ、再生可能エネルギーや電気自動車をはじめとする用途や半導体市場における位置づけ、今後の成長分野などを詳細に分析したもので、SiCやGaNを使用した次世代半導体の製造技術や今後の課題、主要企業のプロファイルなども盛り込み、概略以下の構成でお届しいたします。

第1章イントロダクション

差別化要因は製造プロセス
従来のMOSデバイスと異なる積層構造のデバイス
スーパージャンクションプロセス

第2章パワー半導体の用途

再生可能エネルギー分野のパワー半導体
- 太陽光発電
- 風力発電
ハイブリッド車／電気自動車分野のパワー半導体
- 自動車業界の大きな流れ
- バンドギャップの大きいデバイス
LED照明分野のパワー半導体
産業用モーター駆動装置分野のパワー半導体
スマートホーム市場のパワー半導体

第3章市場分析

半導体市場におけるパワー半導体の位置づけ
IGBTとパワーMOSFETの潜在的な成長性
最終用途市場
バンドギャップの大きいパワー半導体市場

第4章次世代パワー半導体

シリコンの制約克服への期待感
次世代基板としてのSiCとGaNへの期待感
バンドギャップが大きい半導体の利点
SiCとGaNの比較
- 材料特性
- 材料品質
- SiC横型素子
- GaN縦型素子
SiCデバイスの製造
- SiCのバルク単結晶成長とエピタキシャル成長
- 表面処理
- エッチング
- リソグラフィ
- イオン注入
- 表面安定化
- 金属化
GaNデバイスの製造
- GaNの課題
  - 価格
  - 信頼性
  - コンポーネントのパッケージングと熱的信頼性
  - 管理
  - デバイスモデリング
- パッケージング

第5章主要企業のプロファイル

パワー半導体メーカー
- Infineon
- 三菱電機
- 東芝
- STMicroelectronics
- Vishay
- International Rectifier
- Fairchild
- 富士電機
- ルネサス
- Semikron
- NXP Semiconductors
SiCウエハー関連の企業
GaNウエハー関連の企業
次世代パワー半導体の開発を進めている企業のプロファイル
- 三菱電機
- 富士電機ホールディングス
- 東芝
- ローム
- サンケン電気
- 新電元工業
- Infineon
- Microsemi
- Cree
- GeneSiC Semiconductor
- Semisouth Laboratories
- United Silicon Carbide
- MicroGaN
- Powerex
- Fairchild
- International Rectifier
- Nitronix