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市場調査レポート
商品コード
1578265

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場調査レポート：産業分析、規模、シェア、成長、動向、2024年～2032年の予測

Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2024 to 2032
出版日: | 発行: Value Market Research | ページ情報: 英文 170 Pages | 納期: 即日から翌営業日

● お客様のご希望に応じて、既存データの加工や未掲載情報（例：国別セグメント）の追加などの対応が可能です。　 詳細はお問い合わせください。

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場調査レポート：産業分析、規模、シェア、成長、動向、2024年～2032年の予測
出版日: 2024年09月01日
発行: Value Market Research
ページ情報: 英文 170 Pages
納期: 即日から翌営業日
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  • 概要
  • 図表
  • 目次
概要

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）市場の世界需要は、2023年の183億米ドルから2032年には454億7,000万米ドル近くの市場規模に達し、調査期間2024-2032年のCAGRは10.64%になると推定されます。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、MOSFETとBJTの特徴を併せ持つパワー・スイッチング・トランジスタです。金属-酸化膜-半導体（MOS）ゲート構造によって制御される4つの交互層（P-N-P-N）で構成されます。電源、モーター制御回路、インバーターやコンバーターなどのパワーエレクトロニクス・アプリケーションで使用されます。他のトランジスタ・デバイスと比較してIGBTを使用する主な利点は、高電圧能力、低オン抵抗、駆動の容易さ、および比較的速いスイッチング速度です。パルス幅変調（PWM）、可変速制御、数百キロヘルツ範囲で動作する周波数コンバータ・アプリケーション、スイッチモード電源や太陽光発電DC-ACインバータなど、中速で高電圧のアプリケーションに適しています。

市場力学

世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）市場は、予測期間中に大きく成長すると予測されます。スマートホーム、スマートシティの動向の高まり、電気自動車の需要の増加、高電圧動作デバイスのニーズが、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の需要を膨らませると予想されます。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、その優れた特徴により成功したデバイスとなっています。高速スイッチング速度、最適化された電力損失、高電圧での制御の容易さ、効率向上による高周波化が可能であることから、IGBTのグリッド・インフラへの導入が増加しています。スマートグリッドは古いグリッドネットワークに取って代わりつつあり、これは市場にチャンスをもたらすと思われます。しかし、高温での電流リークが市場成長の妨げとなっています。

この調査レポートは、ポーターのファイブフォースモデル、市場の魅力分析、バリューチェーン分析をカバーしています。これらのツールは、業界の構造を明確に把握し、世界レベルでの競合の魅力を評価するのに役立ちます。さらに、これらのツールは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場における各セグメントを包括的に評価することもできます。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）産業の成長と動向は、この研究に全体的なアプローチを提供します。

カスタム要件がある場合は、お問い合わせください。当社の調査チームは、お客様のニーズに応じてカスタマイズしたレポートを提供することができます。

目次

第1章 序文

第2章 エグゼクティブサマリー

  • 市場のハイライト
  • 世界市場スナップショット

第3章 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）-産業分析

  • イントロダクション：市場力学
  • 市場促進要因
  • 市場抑制要因
  • 市場機会
  • 業界動向
  • ポーターのファイブフォース分析
  • 市場の魅力分析

第4章 バリューチェーン分析

  • バリューチェーン分析
  • 原材料分析
    • 原材料リスト
    • 原材料メーカーリスト
    • 主要原材料の価格動向
  • 潜在的バイヤーリスト
  • マーケティングチャネル
    • ダイレクトマーケティング
    • インダイレクトマーケティング
    • マーケティングチャネル発展動向

第5章 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場分析：タイプ別

  • 概要
  • 実績および予測データ分析
  • ディスクリートIGBT
  • IGBTモジュール

第6章 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場分析：定格電力別

  • 概要
  • 実績および予測データ分析
  • 高電力
  • 中電力
  • 低電力

第7章 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場分析：用途別

  • 概要
  • 実績および予測データ分析
  • エネルギー＆電力
  • コンシューマー・エレクトロニクス
  • インバーターとUPS
  • 電気自動車
  • 産業システム
  • その他

第8章 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の世界市場分析：地域別

  • 地域別展望
  • イントロダクション
  • 北米売上分析
    • 概要、実績と予測
    • 北米セグメント別
    • 北米国別
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州売上分析
    • 概要、実績と予測
    • 欧州セグメント別
    • 欧州国別
    • 英国
    • フランス
    • ドイツ
    • イタリア
    • ロシア
    • その他欧州
  • アジア太平洋地域売上分析
    • 概要、実績と予測
    • アジア太平洋地域セグメント別
    • アジア太平洋地域国別
    • 中国
    • インド
    • 日本
    • 韓国
    • オーストラリア
    • 東南アジア
    • その他アジア太平洋地域
  • ラテンアメリカ売上分析
    • 概要、実績と予測
    • ラテンアメリカセグメント別
    • ラテンアメリカ国別
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • ペルー
    • チリ
    • その他ラテンアメリカ
  • 中東・アフリカ売上分析
    • 概要、実績と予測
    • 中東・アフリカセグメント別
    • 中東・アフリカ国別
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • イスラエル
    • 南アフリカ
    • その他中東とアフリカ

第9章 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）企業の競合情勢

  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）市場競合
  • 提携・協力・合意
  • 合併・買収
  • 新製品発表
  • その他の開発

第10章 企業プロファイル

  • 上位企業の市場シェア分析
  • 市場集中度
  • Infineon Technologies AG
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • NXP Semiconductors
  • ON Semiconductor Corporation
  • Renesas Electronics Corporation
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
図表

LIST OF TABLES

  • Market Snapshot
  • Drivers: Impact Analysis
  • Restraints: Impact Analysis
  • List of Raw Material
  • List of Raw Material Manufactures
  • Analysis By Type (USD MN)
  • Discrete IGBT Market Sales By Geography (USD MN)
  • IGBT Module Market Sales By Geography (USD MN)
  • Analysis By Power Rating (USD MN)
  • High Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Medium Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Low Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Analysis By Application (USD MN)
  • Energy & Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Consumer Electronics Market Sales By Geography (USD MN)
  • Inverter & UPS Market Sales By Geography (USD MN)
  • Electric Vehicle Market Sales By Geography (USD MN)
  • Industrial System Market Sales By Geography (USD MN)
  • Others Market Sales By Geography (USD MN)
  • Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Sales By Geography (USD MN)
  • North America Market Analysis (USD MN)
  • United States Market Analysis (USD MN)
  • Canada Market Analysis (USD MN)
  • Mexico Market Analysis (USD MN)
  • Europe Market Analysis (USD MN)
  • Europe Market Estimate By Country (USD MN)
  • United Kingdom Market Analysis (USD MN)
  • France Market Analysis (USD MN)
  • Germany Market Analysis (USD MN)
  • Italy Market Analysis (USD MN)
  • Russia Market Analysis (USD MN)
  • Spain Market Analysis (USD MN)
  • Rest of Europe Market Analysis (USD MN)
  • Asia Pacific Market Analysis (USD MN)
  • China Market Analysis (USD MN)
  • Japan Market Analysis (USD MN)
  • India Market Analysis (USD MN)
  • South Korea Market Analysis (USD MN)
  • Australia Market Analysis (USD MN)
  • South East Asia Market Analysis (USD MN)
  • Rest of Asia Pacific Market Analysis (USD MN)
  • Latin America Market Analysis (USD MN)
  • Brazil Market Analysis (USD MN)
  • Argentina Market Analysis (USD MN)
  • Peru Market Analysis (USD MN)
  • Chile Market Analysis (USD MN)
  • Rest of Latin America Market Analysis (USD MN)
  • Middle East & Africa Market Analysis (USD MN)
  • Saudi Arabia Market Analysis (USD MN)
  • UAE Market Analysis (USD MN)
  • Israel Market Analysis (USD MN)
  • South Africa Market Analysis (USD MN)
  • Rest of Middle East and Africa Market Analysis (USD MN)
  • Partnership/Collaboration/Agreement
  • Mergers And Acquisition

LIST OF FIGURES

  • Research Scope of Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Report
  • Market Research Process
  • Market Research Methodology
  • Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Size, By Region (USD MN)
  • Porters Five Forces Analysis
  • Market Attractiveness Analysis By Type
  • Market Attractiveness Analysis By Power Rating
  • Market Attractiveness Analysis By Application
  • Market Attractiveness Analysis By Region
  • Value Chain Analysis
  • Global Market Analysis By Type (USD MN)
  • Discrete IGBT Market Sales By Geography (USD MN)
  • IGBT Module Market Sales By Geography (USD MN)
  • Global Market Analysis By Power Rating (USD MN)
  • High Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Medium Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Low Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Global Market Analysis By Application (USD MN)
  • Energy & Power Market Sales By Geography (USD MN)
  • Consumer Electronics Market Sales By Geography (USD MN)
  • Inverter & UPS Market Sales By Geography (USD MN)
  • Electric Vehicle Market Sales By Geography (USD MN)
  • Industrial System Market Sales By Geography (USD MN)
  • Others Market Sales By Geography (USD MN)
  • Global Market Sales (USD MN)
  • North America Market Sales (USD MN)
  • Europe Market Sales (USD MN)
  • Asia Pacific Market Sales (USD MN)
  • Latin America Market Sales (USD MN)
  • Middle East & Africa Market Sales (USD MN)
  • Recent Development in Industry
  • Top Company Market Share Analysis

Kindly note that the above listed are the basic tables and figures of the report and are not limited to the TOC.

目次
Product Code: VMR11215602

The global demand for Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market is presumed to reach the market size of nearly USD 45.47 Billion by 2032 from USD 18.3 Billion in 2023 with a CAGR of 10.64% under the study period 2024-2032.

An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a power switching transistor that combines the features of MOSFETs and BJTs. It consists of four alternating layers (P-N-P-N) controlled by a metal-oxide-semiconductor (MOS) gate structure. It is used in power supply, motor control circuits, and power electronics applications, such as inverters and converters. The main benefit of using the IGBT over other transistor devices is its high voltage capability, low ON-resistance, ease of drive, and relatively fast switching speeds. It's a good choice for moderate speed and high voltage applications such as pulse-width modulated (PWM), variable speed control, frequency converter applications operating in the hundreds of kilohertz range, and switch-mode power supplies or solar-powered DC-AC inverter.

MARKET DYNAMICS

The global insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) market is forecasted to grow considerably during the forecast period. The rising trend of smart homes, smart cities, increasing demand for electric vehicles, and the need for high voltage operating devices are expected to swell demand for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) have become a successful device due to their superior features. High-speed switching rate and optimized power loss, ease-of-control at high voltage, as it enables higher frequency with enhanced efficiency, has caused increased deployment of IGBTs into grid infrastructure. Smart grids are replacing old grid networks; this will create opportunities for the market. However, current leakage at high temperatures hampers the market growth.

The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs). The growth and trends of Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) industry provide a holistic approach to this study.

MARKET SEGMENTATION

This section of the Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.

By Type

  • Discrete IGBT
  • IGBT Module

By Power Rating

  • High Power
  • Medium Power
  • Low Power

By Application

  • Energy & Power
  • Consumer Electronics
  • Inverter & UPS
  • Electric Vehicle
  • Industrial System
  • Others
  • Regional Analysis

This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.

The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) market include Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors, ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.

In case you have any custom requirements, do write to us. Our research team can offer a customized report as per your need.

TABLE OF CONTENTS

1. PREFACE

  • 1.1. Report Description
    • 1.1.1 Objective
    • 1.1.2 Target Audience
    • 1.1.3 Unique Selling Proposition (USP) & offerings
  • 1.2. Research Scope
  • 1.3. Research Methodology
    • 1.3.1 Market Research Process
    • 1.3.2 Market Research Methodology

2. EXECUTIVE SUMMARY

  • 2.1. Highlights of Market
  • 2.2. Global Market Snapshot

3. INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) - INDUSTRY ANALYSIS

  • 3.1. Introduction - Market Dynamics
  • 3.2. Market Drivers
  • 3.3. Market Restraints
  • 3.4. Opportunities
  • 3.5. Industry Trends
  • 3.6. Porter's Five Force Analysis
  • 3.7. Market Attractiveness Analysis
    • 3.7.1 Market Attractiveness Analysis By Type
    • 3.7.2 Market Attractiveness Analysis By Power Rating
    • 3.7.3 Market Attractiveness Analysis By Application
    • 3.7.4 Market Attractiveness Analysis By Region

4. VALUE CHAIN ANALYSIS

  • 4.1. Value Chain Analysis
  • 4.2. Raw Material Analysis
    • 4.2.1 List of Raw Materials
    • 4.2.2 Raw Material Manufactures List
    • 4.2.3 Price Trend of Key Raw Materials
  • 4.3. List of Potential Buyers
  • 4.4. Marketing Channel
    • 4.4.1 Direct Marketing
    • 4.4.2 Indirect Marketing
    • 4.4.3 Marketing Channel Development Trend

5. GLOBAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) MARKET ANALYSIS BY TYPE

  • 5.1. Overview By Type
  • 5.2. Historical and Forecast Data Analysis By Type
  • 5.3. Discrete IGBT Historic and Forecast Sales By Regions
  • 5.4. IGBT Module Historic and Forecast Sales By Regions

6. GLOBAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) MARKET ANALYSIS BY POWER RATING

  • 6.1. Overview By Power Rating
  • 6.2. Historical and Forecast Data Analysis By Power Rating
  • 6.3. High Power Historic and Forecast Sales By Regions
  • 6.4. Medium Power Historic and Forecast Sales By Regions
  • 6.5. Low Power Historic and Forecast Sales By Regions

7. GLOBAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) MARKET ANALYSIS BY APPLICATION

  • 7.1. Overview By Application
  • 7.2. Historical and Forecast Data Analysis By Application
  • 7.3. Energy & Power Historic and Forecast Sales By Regions
  • 7.4. Consumer Electronics Historic and Forecast Sales By Regions
  • 7.5. Inverter & UPS Historic and Forecast Sales By Regions
  • 7.6. Electric Vehicle Historic and Forecast Sales By Regions
  • 7.7. Industrial System Historic and Forecast Sales By Regions
  • 7.8. Others Historic and Forecast Sales By Regions

8. GLOBAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) MARKET ANALYSIS BY GEOGRAPHY

  • 8.1. Regional Outlook
  • 8.2. Introduction
  • 8.3. North America Sales Analysis
    • 8.3.1 Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
    • 8.3.2 North America By Segment Sales Analysis
    • 8.3.3 North America By Country Sales Analysis
    • 8.3.4 United States Sales Analysis
    • 8.3.5 Canada Sales Analysis
    • 8.3.6 Mexico Sales Analysis
  • 8.4. Europe Sales Analysis
    • 8.4.1 Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
    • 8.4.2 Europe By Segment Sales Analysis
    • 8.4.3 Europe By Country Sales Analysis
    • 8.4.4 United Kingdom Sales Analysis
    • 8.4.5 France Sales Analysis
    • 8.4.6 Germany Sales Analysis
    • 8.4.7 Italy Sales Analysis
    • 8.4.8 Russia Sales Analysis
    • 8.4.9 Rest Of Europe Sales Analysis
  • 8.5. Asia Pacific Sales Analysis
    • 8.5.1 Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
    • 8.5.2 Asia Pacific By Segment Sales Analysis
    • 8.5.3 Asia Pacific By Country Sales Analysis
    • 8.5.4 China Sales Analysis
    • 8.5.5 India Sales Analysis
    • 8.5.6 Japan Sales Analysis
    • 8.5.7 South Korea Sales Analysis
    • 8.5.8 Australia Sales Analysis
    • 8.5.9 South East Asia Sales Analysis
    • 8.5.10 Rest Of Asia Pacific Sales Analysis
  • 8.6. Latin America Sales Analysis
    • 8.6.1 Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
    • 8.6.2 Latin America By Segment Sales Analysis
    • 8.6.3 Latin America By Country Sales Analysis
    • 8.6.4 Brazil Sales Analysis
    • 8.6.5 Argentina Sales Analysis
    • 8.6.6 Peru Sales Analysis
    • 8.6.7 Chile Sales Analysis
    • 8.6.8 Rest of Latin America Sales Analysis
  • 8.7. Middle East & Africa Sales Analysis
    • 8.7.1 Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
    • 8.7.2 Middle East & Africa By Segment Sales Analysis
    • 8.7.3 Middle East & Africa By Country Sales Analysis
    • 8.7.4 Saudi Arabia Sales Analysis
    • 8.7.5 UAE Sales Analysis
    • 8.7.6 Israel Sales Analysis
    • 8.7.7 South Africa Sales Analysis
    • 8.7.8 Rest Of Middle East And Africa Sales Analysis

9. COMPETITIVE LANDSCAPE OF THE INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) COMPANIES

  • 9.1. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Competition
  • 9.2. Partnership/Collaboration/Agreement
  • 9.3. Merger And Acquisitions
  • 9.4. New Product Launch
  • 9.5. Other Developments

10. COMPANY PROFILES OF INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBTS) INDUSTRY

  • 10.1. Top Companies Market Share Analysis
  • 10.2. Market Concentration Rate
  • 10.3. Infineon Technologies AG
    • 10.3.1 Company Overview
    • 10.3.2 Company Revenue
    • 10.3.3 Products
    • 10.3.4 Recent Developments
  • 10.4. Mitsubishi Electric Corporation
    • 10.4.1 Company Overview
    • 10.4.2 Company Revenue
    • 10.4.3 Products
    • 10.4.4 Recent Developments
  • 10.5. NXP Semiconductors
    • 10.5.1 Company Overview
    • 10.5.2 Company Revenue
    • 10.5.3 Products
    • 10.5.4 Recent Developments
  • 10.6. ON Semiconductor Corporation
    • 10.6.1 Company Overview
    • 10.6.2 Company Revenue
    • 10.6.3 Products
    • 10.6.4 Recent Developments
  • 10.7. Renesas Electronics Corporation
    • 10.7.1 Company Overview
    • 10.7.2 Company Revenue
    • 10.7.3 Products
    • 10.7.4 Recent Developments
  • 10.8. Texas Instruments Incorporated
    • 10.8.1 Company Overview
    • 10.8.2 Company Revenue
    • 10.8.3 Products
    • 10.8.4 Recent Developments
  • 10.9. Toshiba Corporation
    • 10.9.1 Company Overview
    • 10.9.2 Company Revenue
    • 10.9.3 Products
    • 10.9.4 Recent Developments

Note - In company profiling, financial details and recent developments are subject to availability or might not be covered in the case of private companies