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市場調査レポート
商品コード
1274370
GaN基板の世界市場調査レポート-産業分析、規模、シェア、成長、動向、2023年から2030年までの予測Global GaN Substrate Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2023 to 2030 |
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GaN基板の世界市場調査レポート-産業分析、規模、シェア、成長、動向、2023年から2030年までの予測 |
出版日: 2023年05月01日
発行: Value Market Research
ページ情報: 英文 222 Pages
納期: 即日から翌営業日
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GaN基板の世界需要は、2022年の2億2,712万米ドルから2030年には6億4,697万米ドルに達し、2022-2030年の調査期間中に13.98%のCAGRを達成すると予測されています。
窒化ガリウム(GaN)は、高出力、高周波用途に使用される半導体です。GaN材料は、サファイア、シリコン、炭化ケイ素などの他の材料上に生成された薄い層です。GaN基板は、シリコン、炭化ケイ素、アルミニウム、サファイアなど、一般的な半導体材料と比較して明確な利点を持つ半導体材料です。GaNは、構造上の欠陥を取り除き、垂直方向の熱伝導性と電気伝導性を向上させることにより、デバイスの性能を向上させます。
より広いバンドギャップ、より大きな降伏電圧、より大きな臨界電界、より優れた熱伝導性は、シリコン技術からGaN基板に移行し、その市場を拡大するセクターにとって重要な特徴の一部です。LED製造におけるGaN基板の需要の増加や、GaN産業用デバイスの受け入れ拡大が、市場拡大の原動力となっています。電子移動度が高いため、GaN基板はパワーエレクトロニクス分野で高い需要があります。これらのデバイスは、伝導損失やスイッチング損失を低減し、電子システムの効率を向上させるため、これらのGaN基板アプリケーションは、GaN基板市場の拡大を加速させると予想されます。一方、実装コストの高さがGaN基板市場の成長を阻害する可能性があります。
本レポートでは、ポーターのファイブフォースモデル、市場魅力度分析、バリューチェーン分析について解説しています。これらのツールは、業界構造を明確に把握し、世界レベルでの競合の魅力度を評価するのに役立ちます。さらに、これらのツールは、GaN基板の世界市場における各セグメントを包括的に評価することもできます。GaN基板産業の成長と動向は、本調査に全体的なアプローチを提供します。
本セクションでは、国別・地域別にセグメントを分析することで、各セグメントに関する詳細なデータを提供し、各製品・サービスのターゲット層と今後の事業機会を特定するための支援を行っています。
このセクションでは、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカにおけるGaN基板市場の現在および将来の需要に焦点を当てた地域別の展望を説明します。さらに、すべての主要地域における個々のアプリケーションセグメントの需要、推定・予測にも焦点をあてています。
また、この調査レポートは、市場の主要企業の包括的なプロファイルと、世界の競合情勢の詳細な見解もカバーしています。GaN基板市場の主要企業は、Kyma Technologies Inc.、京セラ株式会社、三菱化学株式会社、MTI株式会社、NGK Insulators Ltd.、信越化学工業株式会社、Shin-Etsu Chemical Co.Ltd.、SOITEC、Sumitomo Chemical Co.信越化学工業(株)、住友化学(株)(株)エムティーアイ、住友化学(株)、豊田合成(株)Ltd.、信越化学工業株式会社、住友化学株式会社、豊田合成株式会社、厦門威哥王先進材料有限公司このセクションは、主要なM&A、将来の能力、パートナーシップ、財務概要、コラボレーション、新製品開発、新製品発売など、さまざまな戦略的発展を含む競合情勢の全体像で構成されています。
カスタム要件がある場合、私たちにご連絡ください。当社の調査チームは、お客様のニーズに応じてカスタマイズされたレポートを提供することができます。
注:企業プロファイルの中で、財務の詳細や最近の開発については、入手可能な情報に基づいており、非公開会社の場合、カバーされていない可能性があります。
Kindly note that the above listed are the basic tables and figures of the report and are not limited to the TOC.
The global demand for GaN Substrate Market is presumed to reach the market size of nearly USD 646.97 MN by 2030 from USD 227.12 MN in 2022 with a CAGR of 13.98% under the study period of 2022 - 2030. Regarding volume, the market was calculated XX Million Units in 2022 and forecast to touch XX Million Units by 2030 with a CAGR of XX% during 2023-2030.
Gallium nitride (GaN) is a semiconductor employed in high-power, high-frequency uses. The GaN material is a thin layer produced on other materials such as sapphire, silicon, and silicon carbide. GaN Substrate is a semiconductor material with distinct benefits over other common semiconductor materials such as Silicon, Silicon Carbide, Aluminum, Sapphire, and others. GaN enhances the device's performance by removing structural flaws and improving vertical thermal and electrical conductivity.
Wider band gap, greater break-down voltage, larger critical electric field, and better thermal conductivity are some of the significant features for a sector to move from silicon technology to GaN substrate, expanding its market. Increased demand for GaN substrates in LED production, as well as increased acceptance of GaN industrial devices, are driving market expansion. Because of their high electron mobility, GaN Substrate is in high demand in the power electronics sector. As these devices aid in lowering conduction and switching losses and provide more efficiency in electronic systems, these GaN substrate applications are anticipated to accelerate the expansion of the GaN substrate market. On the contrary, high implementation costs are likely to hamper the growth of the GaN substrate market.
The report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of GaN substrate. The growth and trends of GaN Substrate Industry provide a holistic approach to this study.
This section of the GaN substrate market report provides detailed data on the segments by analyzing them at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the GaN Substrate market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the GaN substrate market include Kyma Technologies Inc., Kyocera Corporation, Mitsubishi Chemical Corporation, MTI Corporation, NGK Insulators Ltd., Shin-Etsu Chemical Co. Ltd., SOITEC, Sumitomo Chemical Co. Ltd., Toyoda Gosei Co. Ltd., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
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