窒化ガリウム（GaN）市場：現状分析と予測（2024-2032年）

窒化ガリウム（GaN）市場は、パワーエレクトロニクス、RFアンプ、高度通信システムなど、さまざまな分野で窒化ガリウム（GaN）の需要が高まっていることから、予測期間中に24.3%という堅調なCAGRで成長する見込みです。窒化ガリウム（GaN）市場は主に、様々な分野での高性能用途を可能にする優れた材料特性によって牽引されています。重要な促進要因の一つは、エネルギー効率の高いハイパワーエレクトロニクスに対する需要の増加です。窒化ガリウム（GaN）の高い電子移動度と熱伝導性は、従来のシリコンベースの部品よりも高い電圧と周波数を扱うことができる、より小型で効率的なパワーデバイスを可能にします。このため、窒化ガリウム（GaN）は、パワーコンバーター、RFアンプ、LEDにとって魅力的な選択肢となり、自動車、通信、民生用電子機器業界で大きな採用につながっています。自動車の電動化の動向は、民生機器における効率的な電源管理ソリューションの必要性と相まって、窒化ガリウム（GaN）ベースの技術に対する需要をさらに押し上げています。

もう一つの重要な推進力は、5Gインフラと高度通信システムへの投資の高まりです。窒化ガリウム（GaN）は、より高い周波数でより高い効率で動作できるため、5G基地局やその他のRF用途に最適です。世界中の通信会社が5Gネットワークを展開する中、高周波動作においてより優れた性能と信頼性を提供できる窒化ガリウム（GaN）コンポーネントの必要性は、より顕著になってきています。さらに、防衛・航空宇宙分野では、レーダーや衛星通信への窒化ガリウム（GaN）技術の採用が進んでいます。このような複合的な要因が、様々なハイテク産業において革新と効率化を推進する窒化ガリウム（GaN）の戦略的重要性を裏付けています。

タイプ別に見ると、市場はP型とN型に分類されます。このうち、N型が大きな市場シェアを占めています。N型窒化ガリウム（GaN）セグメントは、主にその卓越した電子移動度と熱伝導性によって牽引されており、高出力・高周波用途に最適です。N型窒化ガリウム（GaN）は、より高い電圧と電流を扱うことができる、より小型で効率的なパワーデバイスの開発を可能にするためです。このため、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、コンシューマーエレクトロニクス用電源などの用途に非常に適しています。さらに、5Gインフラと高度通信システムの急速な拡大が、従来のシリコンベース半導体よりも高い効率と信頼性で高周波動作をサポートするN型窒化ガリウム（GaN）の需要を押し上げています。防衛および航空宇宙分野もこの需要に貢献しており、N型窒化ガリウム（GaN）は堅牢で高性能なレーダーや衛星通信システムに利用されています。これらの要因から、現代のエレクトロニクス技術の進歩におけるN型窒化ガリウム（GaN）の戦略的重要性が浮き彫りになっています。

窒化ガリウム（GaN）市場は用途別に、自動車・モビリティ、コンシューマーエレクトロニクス、通信・インフラ、産業、その他に分けられます。コンシューマーエレクトロニクス分野は2023年に最も高い売上を記録しました。しかし、自動車・モビリティ分野は予測期間中に最も高い成長率を示すと思われます。窒化ガリウム（GaN）市場における自動車・モビリティ分野の主な促進要因は、自動運転車（自律走行車）の需要増です。新型車のライダー（光距離測距）システムには、窒化ガリウム（GaN）技術が採用されており、同程度のシリコン部品よりも高速でレーザー信号を発射することができます。同様のライダー技術は、拡張現実（AR）ヘッドセットにも採用され、ユーザーに3次元のリアルタイム画像を提供しています。窒化ガリウム（GaN）技術をソースとするライダー技術の応用は、様々な新しいロボットに使用されており、予測期間中に窒化ガリウム（GaN）の需要を増加させるでしょう。

窒化ガリウム（GaN）業界の市場導入に関する理解を深めるため、市場は北米（米国、カナダ、その他北米地域）、欧州（ドイツ、英国、フランス、スペイン、イタリア、その他欧州地域）、アジア太平洋地域（中国、日本、インド、オーストラリア、その他アジア太平洋地域）、その他の地域における世界のプレゼンスに基づいて分析されています。2023年の窒化ガリウム（GaN）市場では、APACが大きなシェアを獲得しました。アジア太平洋（APAC）地域における窒化ガリウム（GaN）市場の主な促進要因は、中国、日本、韓国などの国々における急速な工業化と技術進歩です。この地域には、製品の効率と性能を高めるために窒化ガリウム（GaN）技術に多額の投資を行っている大手電子機器メーカーや半導体メーカーがあります。APACにおける電気自動車（EV）の普及と再生可能エネルギーインフラの拡大は、高効率パワーエレクトロニクスの需要を大幅に押し上げており、N型窒化ガリウム（GaN）は重要な役割を果たしています。さらに、これらの国々における5Gネットワークの展開と高度通信システムに対する需要の高まりは、高周波、ハイパワーRFコンポーネントの必要性を高め、窒化ガリウム（GaN）市場をさらに促進しています。政府のイニシアティブによる支援や半導体製造・研究への投資も、APAC地域における窒化ガリウム（GaN）市場の堅調な成長に寄与しています。

同市場に参入している主な企業には、Innoscience、Power Integration（PI）、Navitas Semiconductor、EPC、Infineon Technologies、Renesas、Texas Instruments、STMicroelectronics、 Fujitsu Limited、Toshiba Corporationなどがあります。

目次

第1章 市場イントロダクション

• 市場の定義
• 主な目的
• ステークホルダー
• 制限事項

第2章 調査手法または前提条件

• 調査プロセス
• 調査手法
• 回答者プロファイル

第3章 エグゼクティブサマリー

• 業界要約
• セグメント別見通し
  • 市場成長の強さ
• 地域展望

第4章 市場力学

• 促進要因
• 機会
• 抑制要因
• 動向
• PESTEL分析
• 需要側分析
• 供給側分析
  • 分析合併と買収
  • 投資シナリオ
  • 業界考察：大手スタートアップ企業とその独自の戦略

第5章 価格分析

• 地域別価格分析
• 価格に影響を与える要因

第6章 世界の窒化ガリウム（GaN）市場の収益、2022-2032年

第7章 タイプ別の市場分析

• P型
• N型

第8章 用途別の市場分析

• 自動車・モビリティ
• コンシューマーエレクトロニクス
• 通信・インフラ
• 産業
• その他

第9章 地域別の市場分析

• 北米
  • 米国
  • カナダ
  • その他北米
• 欧州
  • ドイツ
  • 英国
  • スペイン
  • フランス
  • イタリア
  • その他欧州
• アジア太平洋
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋
• 世界のその他の地域

第10章 バリューチェーン分析

• 限界分析
• 市場参入企業一覧

第11章 競合情勢

• 競合ダッシュボード
• 競合市場ポジショニング分析
• ポーターのファイブフォース分析

第12章 企業プロファイル

• Innoscience
• Power Integration（PI）
• Navitas Semiconductor
• EPC
• Infineon Technologies
• Renesas
• Texas Instruments
• ST Microelectronics
• Fujitsu Limited
• Toshiba Corporation

第13章 頭字語と前提条件

第14章 付録

Gallium Nitride is rapidly emerging as a critical material in the semiconductor market, renowned for its superior electronic properties compared to traditional silicon. Gallium Nitride is celebrated for its high electron mobility, thermal conductivity, and efficiency, making it ideal for high-power and high-frequency applications. These characteristics have driven its adoption in various industries, including telecommunications, automotive, and consumer electronics. The demand for Gallium Nitride is particularly strong in the development of power electronics, RF amplifiers, and LEDs, where its ability to operate at higher voltages and temperatures without degradation offers significant performance improvements. As industries continue to push the boundaries of technological innovation, Gallium Nitride is poised to play a pivotal role in the next generation of electronic devices, contributing to energy efficiency and enhanced performance.

The Gallium Nitride Market is expected to grow at a robust CAGR of 24.3% during the forecast period, owing to the growing demand for Gallium Nitride across various sectors, including power electronics, RF amplifiers, and advanced communication systems. The Gallium Nitride market is primarily driven by its superior material properties that enable high-performance applications across various sectors. One significant driver is the increasing demand for energy-efficient and high-power electronics. Gallium Nitride's high electron mobility and thermal conductivity allow for smaller, more efficient power devices that can handle higher voltages and frequencies than traditional silicon-based components. This makes Gallium Nitride an attractive option for power converters, RF amplifiers, and LEDs, leading to significant adoption in the automotive, telecommunications, and consumer electronics industries. The growing trend towards electrification in vehicles, coupled with the need for efficient power management solutions in consumer devices, is further propelling the demand for Gallium Nitride-based technologies.

Another critical driver is the rising investment in 5G infrastructure and advanced communication systems. Gallium Nitride's ability to operate at higher frequencies with greater efficiency makes it ideal for 5G base stations and other RF applications. As telecom companies globally roll out 5G networks, the need for Gallium Nitride components, which can provide better performance and reliability in high-frequency operations, is becoming more pronounced. Additionally, the defense and aerospace sectors are increasingly adopting Gallium Nitride technology for radar and satellite communications due to its robustness and ability to deliver high power density. These combined factors underscore the strategic importance of Gallium Nitride in driving innovation and efficiency across various high-tech industries.

Based on Type, the market is categorized into P-Type and N-Type. Among these, the N-Type has a significant market share. The N-Type Gallium Nitride segment is primarily driven by its exceptional electron mobility and thermal conductivity, which make it ideal for high-power and high-frequency applications. One of the key drivers is the increasing demand for energy-efficient power electronics, as N-Type Gallium Nitride enables the development of smaller, more efficient power devices that can handle higher voltages and currents. This makes it highly suitable for applications in electric vehicles, renewable energy systems, and power supplies for consumer electronics. Additionally, the rapid expansion of 5G infrastructure and advanced communication systems is boosting the demand for N-Type Gallium Nitride, as it supports high-frequency operation with greater efficiency and reliability than traditional silicon-based semiconductors. The defense and aerospace sectors also contribute to this demand, utilizing N-Type Gallium Nitride for robust, high-performance radar and satellite communication systems. These factors collectively underscore the strategic importance of N-Type Gallium Nitride in advancing modern electronic technologies.

Based on Application, the Gallium Nitride market is divided into Automotive & Mobility, Consumer Electronics, Telecom & Infrastructure, Industrial, and Others. The Consumer Electronics segment registered the highest revenue during the year 2023. However, the Automotive & Mobility segment will showcase the highest growth rate during the forecast period. The main driver of the Automotive & Mobility segment in the Gallium Nitride Market is the increasing demand for self-driving, or autonomous, cars. The lidar (light distancing and ranging) system in the newer car models uses Gallium Nitride technology as it enables the laser signal to be fired at higher speeds than a comparable silicon component. Similar lidar technology is being designed into augmented reality headsets, providing users with three-dimensional real-time images. The application of lidar technology with Gallium Nitride technology at its source is used in various new robots which would increase the demand for Gallium Nitride during the forecast period.

For a better understanding of the market adoption of the Gallium Nitride industry, the market is analyzed based on its worldwide presence in countries such as North America (U.S.A., Canada, and Rest of North America), Europe (Germany, United Kingdom, France, Spain, Italy, and Rest of Europe), Asia-Pacific (China, Japan, India, Australia, and Rest of Asia-Pacific), Rest of World. APAC captured a significant share of the Gallium Nitride market in 2023. The primary driver for the Gallium Nitride market in the Asia-Pacific (APAC) region is the rapid industrialization and technological advancements in countries like China, Japan, and South Korea. This region is home to major electronics and semiconductor manufacturers who are investing heavily in Gallium Nitride technology to enhance the efficiency and performance of their products. The increasing adoption of electric vehicles (EVs) and the expansion of renewable energy infrastructure in APAC are significantly boosting the demand for high-efficiency power electronics, where N-Type Gallium Nitride plays a crucial role. Furthermore, the rollout of 5G networks and the rising demand for advanced communication systems in these countries drive the need for high-frequency, high-power RF components, further propelling the Gallium Nitride market. The support from government initiatives and investments in semiconductor manufacturing and research also contribute to the robust growth of the Gallium Nitride market in the APAC region.

Some of the major players operating in the market include Innoscience, Power Integration (PI), Navitas Semiconductor, EPC, Infineon Technologies, Renesas, Texas Instruments, STMicroelectronics, Fujitsu Limited, and Toshiba Corporation.

TABLE OF CONTENTS

1.MARKET INTRODUCTION

• 1.1. Market Definitions
• 1.2. Main Objective
• 1.3. Stakeholders
• 1.4. Limitation

2.RESEARCH METHODOLOGY OR ASSUMPTION

• 2.1. Research Process of the Gallium Nitride Market
• 2.2. Research Methodology of the Gallium Nitride Market
• 2.3. Respondent Profile

3.EXECUTIVE SUMMARY

• 3.1. Industry Synopsis
• 3.2. Segmental Outlook
  • 3.2.1. Market Growth Intensity
• 3.3. Regional Outlook

4.MARKET DYNAMICS

• 4.1. Drivers
• 4.2. Opportunity
• 4.3. Restraints
• 4.4. Trends
• 4.5. PESTEL Analysis
• 4.6. Demand Side Analysis
• 4.7. Supply Side Analysis
  • 4.7.1. Analysis Merger & Acquisition
  • 4.7.2. Investment Scenario
  • 4.7.3. Industry Insights: Leading Startups and Their Unique Strategies

5.Pricing Analysis

• 5.1. Regional Pricing Analysis
• 5.2. Price Influencing Factors

6.GLOBAL GALLIUM NITRIDE MARKET REVENUE (USD MN), 2022-2032F

7.MARKET INSIGHTS BY TYPE

• 7.1. P-Type
• 7.2. N-Type

8.MARKET INSIGHTS BY APPLICATION

• 8.1. Automotive & Mobility
• 8.2. Consumer Electronics
• 8.3. Telecom & Infrastructure
• 8.4. Industrial
• 8.5. Others

9.MARKET INSIGHTS BY REGION

• 9.1. North America
  • 9.1.1. USA
  • 9.1.2. Canada
  • 9.1.3. Rest of NA
• 9.2. Europe
  • 9.2.1. Germany
  • 9.2.2. United Kingdom
  • 9.2.3. Spain
  • 9.2.4. France
  • 9.2.5. Italy
  • 9.2.6. Rest of Europe
• 9.3. Asia Pacific
  • 9.3.1. China
  • 9.3.2. India
  • 9.3.3. Japan
  • 9.3.4. Australia
  • 9.3.5. Rest of APAC
• 9.4. Rest of World

10.VALUE CHAIN ANALYSIS

• 10.1. Marginal Analysis
• 10.2. List of Market Participants

11.COMPETITIVE LANDSCAPE

• 11.1. Competition Dashboard
• 11.2. Competitor Market Positioning Analysis
• 11.3. Porter Five Forces Analysis

12.COMPANY PROFILED

• 12.1. Innoscience
  • 12.1.1. Company Overview
  • 12.1.2. Key Financials
  • 12.1.3. SWOT Analysis
  • 12.1.4. Product Portfolio
  • 12.1.5. Recent Developments
• 12.2. Power Integration (PI)
• 12.3. Navitas Semiconductor
• 12.4. EPC
• 12.5. Infineon Technologies
• 12.6. Renesas
• 12.7. Texas Instruments
• 12.8. ST Microelectronics
• 12.9. Fujitsu Limited
• 12.10. Toshiba Corporation

13.ACRONYMS & ASSUMPTION

14.ANNEXURE