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市場調査レポート
商品コード
1949524

次世代不揮発性メモリ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測：タイプ、ウェハサイズ、組織規模、エンドユーザー、地域別＆競合、2021年～2031年

Next Generation Non-Volatile Memory Market - Global Industry Size, Share, Trends, Opportunity, and Forecast, Segmented By Type, By Wafer Size, By Organization Size, By End-User, By Region & Competition, 2021-2031F

出版日
ページ情報
英文 185 Pages
納期
2～3営業日
カスタマイズ可能
次世代不揮発性メモリ市場- 世界の産業規模、シェア、動向、機会、予測：タイプ、ウェハサイズ、組織規模、エンドユーザー、地域別＆競合、2021年～2031年
出版日: 2026年01月19日
発行: TechSci Research
ページ情報: 英文 185 Pages
納期: 2～3営業日
GIIご利用のメリット

  • 概要

世界の次世代不揮発性メモリ市場は、2025年の53億5,000万米ドルから2031年までに125億4,000万米ドルへと大幅に拡大し、CAGR15.25％で推移すると予測されております。

本市場は、磁気抵抗メモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）、相変化メモリ（PCM）といった最先端ストレージ技術を中核としており、従来のフラッシュメモリと比較して優れた耐久性と速度を提供しながら、電源供給なしでもデータ整合性を維持します。この成長を牽引する主な要因としては、人工知能分野における高性能コンピューティングの需要急増、および拡大を続けるモノのインターネット（IoT）環境全体における省エネルギー型ストレージの必須要件が挙げられます。さらに、従来のDRAMおよびNANDフラッシュの物理的な微細化の限界により、メーカーはより微細なプロセスノードにおいて性能向上を持続させるため、これらの代替アーキテクチャの採用を迫られています。

市場概要
予測期間 2027-2031
市場規模：2025年 53億5,000万米ドル
市場規模：2031年 125億4,000万米ドル
CAGR：2026年～2031年 15.25％
最も成長が速いセグメント 強誘電体ランダムアクセスメモリ
最大の市場 北米

こうした好調な推移にもかかわらず、市場は製造コストの高さや、これらの材料を標準的なCMOSプロセスと統合する複雑さに関連する大きな障壁に直面しています。既存のメモリタイプと経済的に競争するためには、こうした製造上の課題を克服することが、普及の鍵となります。先進的なストレージに対する強い需要は、より広範な業界データからも明らかです。世界半導体貿易統計（WSTS）によると、世界のメモリ集積回路セクターは2024年に81.0％の成長が見込まれており、次世代技術にとって好機となる積極的な拡大環境が浮き彫りになっています。この急速なセクターの成長は、既存のレイテンシや帯域幅のボトルネックを解決できるメモリ技術の革新が極めて重要であることを強調しています。

市場促進要因

ハイパースケールデータセンターにおける高性能ストレージの需要高まりは、サーバーアーキテクチャの根本的な変革を促しています。ハイパースケール施設の運営者は従来型NANDフラッシュの性能限界に直面するケースが増加しており、揮発性システムメモリと長期ストレージ間のレイテンシギャップを埋めるため、ストレージクラスメモリーの採用が進んでいます。この耐久性とスループット向上の推進は、急速な調達動向によって示されています。SK hynixの2025年1月発表の「2024年度決算報告」によれば、データセンターの厳しい要求を背景に、エンタープライズ向けソリッドステートドライブ（eSSD）の売上高は2024年に300％急増しました。このような大幅な成長は、現代のクラウドインフラが生み出す膨大なデータ量を処理する上で、次世代ストレージソリューションが果たす重要な役割を裏付けています。

同時に、リアルタイム分析や人工知能における高帯域幅メモリの需要増加が、次世代不揮発性メモリの統合を加速させています。AIモデルの複雑化に伴い、ストレージと処理ユニット間のデータ移動に伴う遅延やエネルギーコストは持続不可能となり、DRAMに迫る速度を提供する永続メモリ層の必要性が高まっています。この市場の勢いは主要メーカーの財務結果にも反映されています。2025年3月に発表されたマイクロン・テクノロジーの「2025年度第2四半期決算」によれば、強力なAI需要に支えられ、データセンター関連収益は前年比3倍に増加しました。さらに、半導体産業協会（SIA）が2025年2月に発表した報告書によれば、2024年の世界メモリ製品売上高は前年比78.9％増の1,651億米ドルに達し、先進的な不揮発性ソリューションの商用化を推進する大規模な投資環境が浮き彫りとなりました。

市場の課題

世界の次世代不揮発性メモリ市場における主要な障壁は、製造コストの高さと、新規材料を標準CMOSプロセスに統合する際の技術的複雑性にあります。DRAMやNANDフラッシュのような成熟技術が数十年にわたるコスト削減と歩留まり最適化の恩恵を受けてきたのとは異なり、ReRAMやMRAMなどの新興メモリは、特殊な材料や新たな成膜技術の使用を必要とする場合が多くあります。こうした特殊な製造要件は既存の生産ワークフローを中断させ、専用装置への多額の設備投資を必要とします。その結果、初期段階の低歩留まり生産に伴う高ビット単価が大きな参入障壁となり、価格に敏感な大衆市場向けアプリケーションにおいて、これらの先進アーキテクチャが経済的に実現可能な代替手段となることを妨げています。

現代の半導体製造が資本集約的である性質上、こうした製造上の課題がもたらす財務的負担はさらに増大します。複雑な統合タスクを管理するための先進装置の必要性は、次世代メモリ開発の拡張性と収益性に直接影響を及ぼします。SEMIのデータが示すように、2025年には世界の半導体製造装置総売上高が過去最高の1,255億米ドルに達すると予測されており、生産コスト上昇の環境が浮き彫りとなっています。この巨額の投資要件は、メーカーが効率的な事業拡大において直面する困難を浮き彫りにしています。したがって、こうした統合の複雑さが解消されない限り、高い生産間接費が継続し、次世代不揮発性メモリソリューションの広範な商業的普及を事実上制限することになります。

市場動向

磁気抵抗メモリ（MRAM）が自動車の先進運転支援システム（ADAS）に急速に統合されることで、従来のフラッシュメモリに代わる耐久性・高速性を兼ね備えた代替技術が頻繁な無線更新に対応可能となり、車両制御アーキテクチャが変革されつつあります。自動車業界がゾーン別アーキテクチャへ移行する中、高温耐久性と高速書き込み速度を保証する組み込み不揮発性メモリの需要が高まっており、主要半導体サプライヤーはMRAMベースのマイクロコントローラーの商用化を進めています。この戦略的転換は、業界全体の変動性にもかかわらず、自動車分野における財務的安定性をもたらしています。2025年2月に発表されたルネサスエレクトロニクスの「2024年12月期連結決算報告書」によれば、自動車事業セグメントの収益は前年比6.4％増加し、次世代自動車用シリコンソリューションの強い需要拡大が浮き彫りとなりました。

同時に、先進プロセスノードにおける組み込みフラッシュメモリからeReRAMおよびeMRAMへの移行は、製造環境を変容させています。28nm以下の微細化制約により、従来の組み込みフラッシュメモリは経済的に非現実的となったためです。ファウンダリ各社は、複雑なIoTやエッジAIアプリケーションに必要な密度と電力効率を実現するため、FinFETやFD-SOIなどのプラットフォーム上でこれらの新興メモリ技術を積極的に導入しています。この変化は、ファウンダリ業界が新たな材料需要に適応する中で、生産量の大幅な安定化を促進しています。2025年2月に発表された世界のファウンダリの「2024年度第4四半期および通期決算報告」によれば、同社は通期で総純売上高67億5,000万米ドルを記録し、これらの先進的組み込みメモリ技術を支える基盤となる製造プラットフォームに対する持続的な市場需要を確認しました。

よくあるご質問

  • 世界の次世代不揮発性メモリ市場の市場規模はどのように予測されていますか？
  • 次世代不揮発性メモリ市場の最も成長が速いセグメントは何ですか？
  • 次世代不揮発性メモリ市場で最大の市場はどこですか？
  • 次世代不揮発性メモリ市場の主な促進要因は何ですか？
  • 次世代不揮発性メモリ市場の主要な課題は何ですか？
  • 次世代不揮発性メモリ市場の動向はどのようなものですか？
  • 次世代不揮発性メモリ市場における主要企業はどこですか？

目次

第1章 概要

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 顧客の声

第5章 世界の次世代不揮発性メモリ市場展望

  • 市場規模・予測
    • 金額別
  • 市場シェア・予測
    • 種類別（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ、強誘電体ランダムアクセスメモリ、抵抗ランダムアクセスメモリ、ナノランダムアクセスメモリ、スピントランスファートルクRAM、その他）
    • ウエハーサイズ別（200 mm、300 mm、その他）
    • 企業規模別（大企業、中小企業）
    • エンドユーザー別（IT・通信、メディア・エンターテインメント、医療、自動車・輸送、航空宇宙・防衛、BFSI、その他）
    • 地域別
    • 企業別（2025）
  • 市場マップ

第6章 北米の次世代不揮発性メモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 北米：国別分析
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ

第7章 欧州の次世代不揮発性メモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 欧州：国別分析
    • ドイツ
    • フランス
    • 英国
    • イタリア
    • スペイン

第8章 アジア太平洋地域の次世代不揮発性メモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • アジア太平洋地域：国別分析
    • 中国
    • インド
    • 日本
    • 韓国
    • オーストラリア

第9章 中東・アフリカの次世代不揮発性メモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 中東・アフリカ：国別分析
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • 南アフリカ

第10章 南米の次世代不揮発性メモリ市場展望

  • 市場規模・予測
  • 市場シェア・予測
  • 南米：国別分析
    • ブラジル
    • コロンビア
    • アルゼンチン

第11章 市場力学

  • 促進要因
  • 課題

第12章 市場動向と発展

  • 合併と買収
  • 製品上市
  • 最近の動向

第13章 世界の次世代不揮発性メモリ市場：SWOT分析

第14章 ポーターのファイブフォース分析

  • 業界内の競合
  • 新規参入の可能性
  • サプライヤーの力
  • 顧客の力
  • 代替品の脅威

第15章 競合情勢

  • Intel Corporation
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
  • Sony Corporation
  • Toshiba Corporation
  • IBM Corporation
  • STMicroelectronics International N.V.
  • SK Hynix Inc.
  • NXP Semiconductors N.V.
  • Renesas Electronics Corporation
  • Infineon Technologies AG

第16章 戦略的提言

第17章 調査会社について・免責事項