世界のInP産業の現状分析

化合物半導体材料であるInPを採用した部品は、飽和電子のドリフト速度が速く、耐放射線性が強く、熱伝導性に優れ、光電変換効率が高く、高いバンドギャップが得られます。そのため、光通信、データセンター、新世代ディスプレイ、AI、無人運転、航空宇宙などの用途で有望視されています。

InP材料は主にフォトニック部品やマイクロ波RF部品の製造に使用されます。波長1,000m以上の光子の放出と検出に対応し、高速で低ノイズの高周波RFアプリケーションが実現可能です。当レポートでは、InPと最も深く結びついたフォトニックコンポーネント市場について分析しています。

TRIは半導体、テレコミュニケーション、IoT、自動車システム、人工知能、新興技術のアプリケーション、主要地域市場（米国、欧州、日本、韓国、中国、台湾など）の最新動向など、幅広いテーマに取り組んできた調査会社です。1996年に設立され、2015年にTrendForceの一部となりました。TRIのサービスは、新しく形成される技術産業や地域開発に関するトレンドを的確に把握することから、様々なタイプの組織から高い評価を得ています。

当レポートではInPの開発動向についてTRIの見解を提供します。

目次

第1章 データ通信および電気通信市場に導かれるInP産業の発展;　可能性を秘めたコンシューマアプリケーション

第2章 InP基板とエピタキシーの困難なプロセスが高度に集中した市場の原因

第3章 米国と日本のサプライヤーが独占する高速光チップ;　中国、光モジュールの開発を加速

第4章 主要サプライヤーの分析

第5章 TRIの見解

Components adopted with InP, a compound semiconductor material, are higher in drift velocity for saturation electrons, stronger in radiation resistance, better in thermal conductivity, higher in photoelectric conversion efficiency, and higher in band gap. They are thus more promising in applications of optical communication, data centers, new-gen displays, AI, unmanned driving, and aerospace.

InP materials are primarily used for the production of photonic components and microwave RF components. They are capable of emitting and detecting photons at 1,000m and above wavelengths, as well as high-speed and low-noise high frequency RF applications. This report provides an analysis on the photonic component market that is most concatenated with InP.

TABLE OF CONTENTS

1. Development of InP Industry Guided by Data Communication and Telecom Markets; Consumer Applications Equipped with Potentiality

2. Difficult Processes for InP Substrates and Epitaxy Induced a Highly Concentrated Market

3. High-Speed Optical Chips Dominated by US and Japanese Suppliers; China Accelerates in Development for Optical Modules

4. Analysis on Key Suppliers

5. TRI's View