フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術の世界市場レポート 2025年

フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術の市場規模は近年急速に拡大しています。2024年の318億9,000万米ドルから2025年には381億4,000万米ドルに、CAGR19.6％で拡大します。過去の成長は、5Gネットワークとモノのインターネット（IoT）デバイスの増加、ウェアラブルデバイスの需要増加、5G技術の採用拡大、ハイパフォーマンスコンピューティングの導入増加、高度医療用イメージングデバイスの需要急増に起因しています。

フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場規模は、今後数年間で急成長が見込まれます。2029年にはCAGR19.5％で777億2,000万米ドルに成長します。予測期間の成長は、AIと機械学習の台頭、高性能チップの需要増、カーエレクトロニクスでの需要増、研究開発の拡大、スマートフォンの需要増に起因すると考えられます。予測期間の主要動向には、技術の進歩、AIと機械学習の統合、設計自動化ツール、ミックスドシグナル統合、量子コンピューティングなどがあります。

今後5年間の成長率19.5%という予測は、この市場の前回予測から1.8%の小幅な減少を反映しています。この減少は主に米国と他国との間の関税の影響によるものです。主に日本とオランダから調達するフォトリソグラフィ装置とシリコンウエハーに対する関税がFinFET技術開発のコストを引き上げるため、米国の半導体研究開発は後退に直面する可能性があります。また、相互関税や、貿易緊張の高まりと制限による世界経済と貿易への悪影響により、その影響はより広範囲に及ぶと考えられます。

拡大するモバイルエレクトロニクスとコンシューマーエレクトロニクスセグメントが、今後のFinFET技術市場の成長を牽引すると予想されます。民生用電子機器には、個人用、非商用、または業務用として設計された電子製品が含まれます。モバイル機器は、ワイヤレスで動作することを目的とした携帯電子機器です。この産業は、接続性の向上、消費者の嗜好の変化、携帯性と機動性の要求により、継続的に進化しています。FinFET技術は、より強力で効率的、コンパクトで機能豊富なデバイスの開発を可能にすることで、モバイルエレクトロニクスや民生用エレクトロニクスの機能を強化する上で重要な役割を果たしています。例えば、Federal Reserve Economic Dataのデータによると、米国における電子機器・民生用電子機器製品の売上高は、2023年の76億7,800万米ドルから2024年には78億1,400万米ドルに増加しています。さらに、Uswitch Limitedは、英国におけるモバイル接続数の伸びを報告しており、2022年には7,180万に達し、2021年から3.8％（約260万）増加しました。概要をまとめると、モバイルと民生用電子機器製品の成長は、デバイス機能の進歩と消費者需要の増加によって、FinFET技術市場拡大の主要因となっています。

よくあるご質問

• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術の市場規模はどのように予測されていますか？
  • 2024年に318億9,000万米ドル、2025年には381億4,000万米ドル、2029年には777億2,000万米ドルに達すると予測されています。CAGRはそれぞれ19.6%、19.5%です。
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場の成長要因は何ですか？
  • 5GネットワークとIoTデバイスの増加、ウェアラブルデバイスの需要増加、AIと機械学習の台頭、高性能チップの需要増、カーエレクトロニクスでの需要増、研究開発の拡大、スマートフォンの需要増が要因です。
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場の成長に影響を与えるマクロ経済要因は何ですか？
  • 米国と他国との間の関税、貿易緊張の高まり、世界経済と貿易への悪影響が影響を与えています。
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場の主要な動向は何ですか？
  • 技術の進歩、AIと機械学習の統合、設計自動化ツール、ミックスドシグナル統合、量子コンピューティングなどがあります。
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場における主要企業はどこですか？
  • Huawei Technologies Co. Ltd.、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited、Intel Corporation、Qualcomm Technologies Inc.、Broadcom Inc.などです。
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場のセグメンテーションはどのようになっていますか？
  • タイプ別、技術別、用途別、エンドユーザー別にセグメント化されています。

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 市場の特徴

第3章 市場動向と戦略

第4章 市場：金利、インフレ、地政学、貿易戦争と関税、コロナ禍と回復が市場に与える影響を含むマクロ経済シナリオ

第5章 世界の成長分析と戦略分析フレームワーク

• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術：PESTEL分析（政治、社会、技術、環境、法的要因、促進要因と抑制要因）
• 最終用途産業の分析
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：成長率分析
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場の実績：規模と成長、2019～2024年
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場の予測：規模と成長、2024～2029年、2034年
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術：総潜在市場規模（TAM）

第6章 市場セグメンテーション

• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：タイプ別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• ショートゲート（S.G.）
• 独立ゲート（I.G.）
• バルクFinFET
• シリコン・オンインシュレータ（SOI）FinFET
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：技術別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• 3nm
• 5nm
• 7nm
• 10nm
• 14nm
• 16nm
• 20nm
• 22nm
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：用途別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• 中央処理装置（CPU）
• システムオンチップ（SoC）
• フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）
• グラフィックスプロセッシングユニット（GPU）
• ネットワークプロセッサ
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：エンドユーザー別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• モバイル
• クラウドサーバーまたはハイエンドネットワーク
• モノのインターネット（IoT）またはコンシューマーエレクトロニクス
• 自動車
• コンピューターとタブレット
• ウェアラブル
• その他
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：ショートゲート（S.G.）のサブセグメンテーション、タイプ別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• シングルゲートFinFET
• マルチゲートFinFET（ゲート短絡）
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：独立ゲート（I.G.）のサブセグメンテーション、タイプ別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• デュアルゲートFinFET
• トリプルゲートFinFET
• マルチゲートFinFET（独立ゲート付き）
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：バルクFinFETのサブセグメンテーション、タイプ別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• バルクシリコンFinFET
• バルクCMOS FinFET
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：シリコンオンインシュレータ（SOI）FinFETのサブセグメンテーション、タイプ別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• 低消費出力向けSOIベースFinFET
• 高性能向けSOI FinFET

第7章 地域別・国別分析

• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：地域別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年
• 世界のフィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：国別、実績と予測、2019～2024年、2024～2029年、2034年

第8章 アジア太平洋市場

第9章 中国市場

第10章 インド市場

第11章 日本市場

第12章 オーストラリア市場

第13章 インドネシア市場

第14章 韓国市場

第15章 西欧市場

第16章 英国市場

第17章 ドイツ市場

第18章 フランス市場

第19章 イタリア市場

第20章 スペイン市場

第21章 東欧市場

第22章 ロシア市場

第23章 北米市場

第24章 米国市場

第25章 カナダ市場

第26章 南米市場

第27章 ブラジル市場

第28章 中東市場

第29章 アフリカ市場

第30章 競合情勢と企業プロファイル

• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：競合情勢
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場：企業プロファイル
  • Huawei Technologies Co. Ltd.
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
  • Intel Corporation
  • Qualcomm Technologies Inc.
  • Broadcom Inc.

第31章 その他の大手企業と革新的企業

• Toshiba Corporation
• Advanced Micro Devices Inc.
• Texas Instruments Incorporated
• MediaTek Inc.
• Infineon Technologies AG
• Analog Devices Inc.
• NXP Semiconductors NV
• United Microelectronics Corporation
• GlobalFoundries Inc.
• Semiconductor Manufacturing International Corporation
• Keysight Technologies Inc.
• Renesas Electronics Corporation
• Xilinx Inc.
• Samsung Electronics Co. Ltd.
• Arm Holdings plc

第32章 世界の市場競合ベンチマーキングとダッシュボード

第33章 主要な合併と買収

第34章 最近の市場動向

第35章 市場の潜在力が高い国、戦略

• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場、2029年：新たな機会を提供する国
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場、2029年：新たな機会を提供するセグメント
• フィン電界効果トランジスタ（FinFET）技術市場、2029年：成長戦略
  • 市場動向による戦略
  • 競合の戦略

第36章 付録