金属有機化学気相成長法（MOCVD）－世界市場シェアと順位、総売上高および需要予測2025-2031年

金属有機化学気相成長（MOCVD）の世界市場規模は、2024年に6億8,700万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR 7.4％で成長し、2031年までに11億5,100万米ドルに拡大すると予測されております。

本報告書は、金属有機化学気相成長（MOCVD）技術における最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業基盤、資本配分パターン、地域経済の相互依存関係、サプライチェーンの再構築を包括的に評価します。

金属有機化学気相成長法（MOCVD）は、真空チャンバー内で金属有機前駆体（例：トリメチルガリウム）と反応ガス（例：アンモニア）を制御された熱分解により、化合物半導体薄膜を原子レベルで精密に堆積させる先進的なエピタキシャル成長技術です。組成・厚みの精密制御、優れた均一性・再現性、複雑なヘテロ構造成長能力を特徴とする本技術は、産業規模の量産に最適です。第三世代半導体製造の中核プロセスとして、MOCVDは主にGaN、GaAsその他の化合物半導体材料のエピタキシャル成長に用いられ、LED、パワーエレクトロニクス、RF部品、光電子デバイスなどのハイエンド半導体デバイス製造における重要設備として機能します。5G通信、新エネルギー車、スマート照明などの新興分野において不可欠な役割を果たしています。最先端のMOCVDシステムは、温度制御精度±0.5℃、厚み均一性±1%未満を実現し、直径8インチまでのウエハー量産に対応、1回のバッチ処理で60枚以上のウエハーを処理可能です。

MOCVD装置市場の主な成長要因は、下流需要の急増と技術革新に起因します。LED分野では、Mini/Micro LEDディスプレイ技術の商用化が進み、特に高精度・大面積エピタキシャルウエハー生産に向けた装置更新の必要性が高まっています。従来のLED照明市場は飽和状態に近づいていますが、新興用途（UV LED、自動車照明など）が着実な成長を継続しています。パワーエレクトロニクス分野では、新エネルギー車（NEV）、太陽光発電、エネルギー貯蔵の急速な拡大がSiC/GaNパワーデバイスの需要を牽引しています。第三世代半導体エピタキシャル層の製造における基幹技術として、MOCVDは業界のワイドバンドギャップ材料への移行から恩恵を受けています。さらに、5G基地局や防衛用高周波デバイス向け高性能GaN-on-SiCエピタキシャルウエハーの需要が、設備投資をさらに促進しています。政策支援（例：中国の半導体第14次五カ年計画、世界的なカーボンニュートラル目標）も生産能力拡大を加速させ、長期的な促進要因として機能しています。

今後のMOCVD装置は、より高い技術的障壁と専門化に向けて進化していくでしょう：

装置メーカーは、生産能力の向上、エピタキシャルウエハーコストの削減、均一性と歩留まりの改善を目的として、大型チャンバー・マルチウエハー設計に注力しています（例：8インチSiCエピタキシャル装置）。

スマート製造とプロセス最適化（ガス流量・温度等のパラメータをリアルタイム監視するAI活用）により、材料廃棄を最小化します。

市場力学においては、LED中心からSiC/GaNなどのハイエンド用途へ移行しており、装置サプライヤーは差別化された要求（例：パワーエレクトロニクス向けAIXTRON社G10-SiCモデル）への適応が求められます。地域的には、政策支援と現地サプライチェーン優位性（例：AMEC、NAURA）を背景に、中国が欧米メーカーの独占状態を徐々に打破しつつあります。長期的な成長は、ペロブスカイト太陽電池や量子ドットなどの新興技術から生まれる可能性がありますが、材料とプロセスのブレークスルーが依然として必要です。

本レポートは、金属有機化学気相成長法（MOCVD）の世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアおよび順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

金属有機化学気相成長（MOCVD）市場の規模、推定・予測は、販売数量（台数）および売上高（百万米ドル）の観点から提供され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的・定性的分析の両面から、読者の皆様がMOCVDに関する事業戦略・成長戦略の策定、市場競争状況の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、情報に基づいた事業判断を行うことを支援します。

市場セグメンテーション

企業別

• AIXTRON Technologies
• Veeco
• Advanced Micro-Fabrication Equipment

タイプ別セグメント

• GaNベースのMOCVD
• GaAsベースのMOCVD
• SiCベースのMOCVD
• その他

用途別セグメント

• LED照明
• 先進パッケージングおよびMEMS
• 半導体
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ