SiC MOSFETチップ（デバイス）およびモジュール：世界市場シェアとランキング、総売上高および需要予測2025-2031年

SiC MOSFETチップ（デバイス）およびモジュールの世界市場規模は、2024年に10億5,400万米ドルと推定され、2025年から2031年の予測期間においてCAGR26.6％で拡大し、2031年までに61億5,300万米ドルに再調整される見込みです。

本レポートでは、SiC MOSFETチップ（デバイス）およびモジュールに関する最近の関税調整と国際的な戦略的対抗措置について、越境的な産業フットプリント、資本配分パターン、地域経済の相互依存性、サプライチェーンの再構築など、包括的な評価を提供します。

SiC MOSFETチップ、すなわち炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタチップは、炭化ケイ素（SiC）材料を用いて製造される新型のパワー半導体チップです。従来のシリコン（Si）材料と比較して、SiCは広いバンドギャップ特性（バンドギャップ幅は約3.26 eV、シリコンは1.12 eV）を有しており、これによりSiC MOSFETチップは一連の優れた性能特性を備えています。

SiC MOSFETデバイスは、SiC MOSFETチップを中核とし、必要なパッケージ材料やリードなどを組み合わせた完全な半導体デバイスです。パッケージングはSiC MOSFETデバイスにとって極めて重要であり、チップに対する物理的な保護（機械的損傷や湿気による腐食の防止）を提供するだけでなく、チップと外部回路間の電気的接続を可能にします。SiC MOSFETデバイスの一般的なパッケージ形態には、TO-247やTO-220などが挙げられます。例えばTO-247パッケージは優れた放熱性能を有し、チップ動作時に発生する熱を迅速に放散できるため、高温環境下でも安定したデバイス動作を保証します。

SiC MOSFETモジュールは、特定の回路トポロジーを通じて複数のSiC MOSFETデバイスやダイオードなどの補助部品を単一のパワーモジュールに集積します。この統合設計には数多くの利点があります。一方で、モジュール内のデバイス間における最適化された回路接続により、高電力密度を実現します。例えば、新エネルギー車のメイン駆動インバーターにおいて、SiC MOSFETモジュールを採用することで、限られたスペース内でより高い出力を達成でき、車両の小型化・軽量化設計に貢献します。他方、モジュールの内部レイアウトと接続は慎重に設計されており、浮遊インダクタンスを効果的に低減することで、システムの安定性と信頼性を高めます。漏れインダクタンスはスイッチング過程で電圧スパイクを発生させ、デバイスの正常動作に影響を及ぼす可能性があります。しかし、SiC MOSFETモジュールは合理的なレイアウトと配線設計により、この影響を軽減します。

新エネルギー車産業の爆発的成長：新エネルギー車市場の急速な発展は、SiC MOSFETチップ、デバイス、モジュール市場の成長を牽引する主要な要因です。世界各国で省エネルギー、排出削減、環境保護がますます重視される中、新エネルギー車は自動車産業発展の主流方向となっています。特に800V高電圧プラットフォームの普及は、パワーデバイスに高い性能要求を課しています。SiC MOSFETは、低オン抵抗、高スイッチング周波数、高耐圧性能といった利点を備えており、800V高電圧プラットフォームにおける主駆動インバータの理想的な選択肢となっております。SiC MOSFETモジュールを採用した主駆動インバータは、新エネルギー車の航続距離を5～10％延長するとともに、充電時間を15～20分に短縮し、ユーザー体験を大幅に向上させます。例えば、テスラ社はModel 3およびModel YにおいてSiC MOSFETモジュールを業界初で採用し、その後多くの自動車メーカーが追随したことで、新エネルギー車業界全体におけるSiC MOSFETの需要が急速に拡大しております。

太陽光発電・蓄電産業の急速な発展：太陽光発電分野では、再生可能エネルギーに対する世界的な需要が継続的に増加しており、太陽光発電容量の持続的な成長を牽引しています。太陽光発電用インバーターへのSiC MOSFETの応用は、インバーターの変換効率を大幅に向上させ、エネルギー損失を低減することが可能です。従来のシリコンベースのIGBTインバーターは通常96～98％の変換効率を達成しますが、SiC MOSFETを採用したインバーターは99％を超える効率を実現でき、同じ日照条件下でより多くの電力を生成できます。さらに、SiC MOSFETの高周波特性により、インバーター内のインダクターやコンデンサーなどの受動部品の小型化・軽量化が可能となり、システムコストの低減につながります。エネルギー貯蔵分野では、エネルギー貯蔵市場の拡大に伴い、エネルギー貯蔵コンバータ（PCS）へのSiC MOSFETの応用がますます広がっています。これらはエネルギー貯蔵システムの充放電効率を向上させ、電池寿命を延長し、システムの安定性と信頼性を高めます。例えば、大規模なエネルギー貯蔵発電所プロジェクトでは、SiC MOSFETモジュールを採用したエネルギー貯蔵コンバータにより、98％を超える充放電効率を達成でき、エネルギー貯蔵システムの経済的メリットを大幅に改善します。

産業分野における省エネルギーと電力システムの更新ニーズ：産業分野では、モーター駆動装置や電力変換装置など様々な産業機器において、省エネルギーと消費削減が急務となっております。SiC MOSFETの応用により、産業機器のエネルギー消費を大幅に削減し、生産効率を向上させることが可能です。例えば、産業用モーター駆動システムにおいて、従来のシリコンベースのデバイスをSiC MOSFETに置き換えることで、システム効率を3～5％向上させることができ、年間で大幅な節電効果が期待できます。電力システム分野では、スマートグリッド構築の進展に伴い、電力電子デバイスに対する性能・信頼性要求が継続的に高まっています。SiC MOSFETは、高電圧直流送電（HVDC）や柔軟な交流送電システム（FACTS）などの分野で幅広い応用が見込まれ、電力システムの送電効率向上、系統安定性・制御性の強化、高電圧化・大容量化・高度な知能化といった電力システムの進化する要求に応えることが可能です。

本レポートは、SiC MOSFETチップ（デバイス）およびモジュールの世界市場について、総販売数量、売上高、価格、主要企業の市場シェアと順位に焦点を当て、地域・国別、タイプ別、用途別の分析を包括的に提示することを目的としています。

SiC MOSFETチップ（デバイス）およびモジュール市場の規模、推定・予測は、販売数量（千台単位）および売上高（百万米ドル単位）で提示され、2024年を基準年とし、2020年から2031年までの期間における過去データと予測データを含みます。定量的および定性的分析の両方を用いて、読者の皆様がSiC MOSFETチップ（デバイス）およびモジュールに関するビジネス/成長戦略の策定、市場競争の評価、現在のマーケットプレースにおける自社の位置付けの分析、情報に基づいたビジネス上の意思決定を行うお手伝いをいたします。

市場セグメンテーション

企業別

• Wolfspeed
• Infineon Technologies
• STMicroelectronics
• ROHM
• Semiconductor Components Industries, LLC
• Littelfuse
• Microchip
• Mitsubishi Electric
• GeneSiC Semiconductor Inc.
• Shenzhen BASiC Semiconductor LTD

タイプ別セグメント

• SiC MOSFETチップおよびデバイス
• SiC MOSFETモジュール

用途別セグメント

• 自動車
• 産業
• 太陽光発電（PV）
• その他

地域別

• 北米
  • 米国
  • カナダ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韓国
  • 東南アジア
  • インド
  • オーストラリア
  • その他アジア太平洋地域
• 欧州
  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • イタリア
  • オランダ
  • 北欧諸国
  • その他欧州
• ラテンアメリカ
  • メキシコ
  • ブラジル
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • トルコ
  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • その他中東・アフリカ