抵抗変化型メモリの市場- 成長、動向、予測（2022年-2027年）

抵抗変化型メモリ市場は、予測期間（2022年～2027年）にCAGR29.9%を記録すると予想されています。

不揮発性メモリである抵抗変化型メモリは、スタティックランダムアクセスメモリやダイナミックランダムアクセスメモリを置き換えることで市場シェアを獲得すると予想されます。抵抗変化型メモリは、記憶容量が大きく、3次元実装が可能であるため、1つのチップに何層ものメモリガジェットを配置でき、高速スイッチングにより情報を素早く交換でき、スイッチングサイクルあたりのエネルギー消費量が少ないなどの利点があるため、この置き換えが可能になると考えられているのです。ReRAMは、携帯電話やMP3プレーヤーなどの家電製品に使用されているフラッシュメモリに取って代わる可能性を秘めています。

主なハイライト

• さらに、多くの地域でウェアラブルデバイスやAI対応デバイスなどのセンサー技術の採用が進み、高速データ転送と高ストレージ密度の需要が高まっており、抵抗ランダムアクセスメモリ市場の成長に大きなチャンスや可能性を与えています。
• 複数のメモリ企業がReRAMに投資しています。例えば、2022年4月、不揮発性メモリ技術を提供するCrossBar Inc.は、リバースエンジニアリングや物理攻撃に対する耐性がシステムの必須要件である安全なストレージや処理に使用するための抵抗変化型メモリ（ReRAM）技術の新しいアプリケーションを発表しました。同社の技術は、より高いレベルのコンテンツ・セキュリティが要求されるメモリ・アプリケーションに提供されることになります。
• 抵抗変化型ランダムアクセスメモリのコスト高騰は、同市場の成長にとって重要な課題の一つとなっています。今後、新材料の開発・実用化によりコストダウンが進み、さまざまな業界で抵抗変化型メモリの需要が高まると予想されます。
• 抵抗ランダムアクセスメモリ（ReRAM）は、不揮発性メモリ（NVM）の代替品として、特に性能とエネルギー効率が絶えず向上しているクラウドやデータセンターで人気を博しています。ビデオストリーミングなどのプレミアムサービスやIoT（Internet of Things）など、ユーザーからのデータ需要が高まる中、ReRAM技術はフラッシュメモリよりも低いリードレイテンシと速い書き込み速度を実証し、NANDに比べて20%向上した64pJ/セルのプログラムエネルギーを達成しました。3次元縦型ReRAMアレイは、データセンター環境において、標準的なDRAMまたはフラッシュベースのSSDを置き換えることができる高性能メモリサブシステムを提供し、より少ない消費電力で、大幅に小さいフォームファクタでより速いデータ処理、保存、検索を可能にします。
• さらに、COVID-19の大流行が市場全体の成長を阻害していると思われます。これは主にサプライチェーンの混乱によるもので、いくつかの企業では製造用のインダクタやコンデンサなどの部品が不足していることが確認されています。

主な市場動向

コンシューマーエレクトロニクス分野におけるコネクテッドデバイスの需要増加がReRAMの需要を促進しています。

• 抵抗変化型メモリは、通常のRAMよりも演算能力が高く、読み取りを多用するアプリケーションに適しており、サーバーのストレージクラスのメモリとして理想的です。さらに、相互接続された機器に対する家電需要の高まりや、ウェアラブルガジェットやAI対応ガジェットなどのセンサー技術の利用拡大が、業界各社の開発とともに、市場成長に寄与することが期待されます。例えば、2022年8月、世界のエネルギー技術事業を展開し、マイクロインバーターベースの太陽光発電および蓄電システムの世界最大のメーカーであるEnphase Energy, Inc.は、多くのメーカーの家電製品を1つのアプリで制御できるアクセス可能なデジタルネットワーク、Home Connectとの新しいコラボレーションを開始しました。
• RRAMは、NANDフラッシュなどの他の不揮発性ストレージ技術に比べ、スイッチング速度が速いことが大きな特長です。また、NAND型フラッシュメモリに比べて消費電力が少ないため、メモリとして最適です。そのため、産業用、車載用、モノのインターネット（IoT）アプリケーション用のセンサーデバイスのメモリに最適です。ニューロモーフィック・コンピューティングもReRAMの潜在的なアプリケーションの一つです。
• ここ数年、ウェアラブル、IoT、AIベースのシステムなど、コネクテッドデバイスに対する大きな需要が見られます。抵抗変化型メモリは、これらのデバイスでストレージ容量を増やすために使用されています。さらに、今後のスマートシティやスマートホームに伴い、接続デバイスは増加することが予想され、その結果、強力なメモリ容量のサーバーの需要が高まると予想されます。
• 新たなコネクテッドIoTの要件に対応するため、複数の企業が遠隔操作を接続・拡張するイノベーションを導入し、リアルタイムで安全かつ帯域幅を必要とするIoTアプリケーションを実現させています。例えば、2022年9月、より良いコネクテッドワールドのためのセキュアでスマートなワイヤレスイノベーションのパイオニアであるシリコンラボは、Amazon Sidewalk、Matter、Wi-SUN、Wi-Fi 6といったモノのインターネットを定義するブレークスルーとパターンを推進する新しいソリューションで相互運用性主導、マルチプロトコル対応、強固なセキュリティの範囲を大きく拡張する革新的なソリューションのポートフォリオを発表しました。

アジア太平洋地域が市場の主要なシェアを占める見込み

• アジア太平洋地域は、予測期間中、世界の抵抗変化型ランダムアクセスメモリ市場で強い地位を占めると予想されます。中国、韓国、インドなどは、アジア太平洋地域の市場成長を牽引する主要国です。アジア太平洋地域では、家電製品や自動車産業が増加しており、抵抗変化型ランダムアクセスメモリの需要に拍車をかけています。
• さらに、多くの企業がこの地域にデータセンターを設立しており、これも抵抗変化型メモリ市場の需要を拡大させるでしょう。インド、中国、日本などの新興国は、企業サーバー、データセンター、AI、コネクテッドインフラの拡大により、この地域の市場成長を牽引するでしょう。
• 中国は国内のIC産業を発展させており、より多くのチップを製造する予定です。この地域におけるメーカーの存在感が大きいことが、市場に大きく寄与しています。中国には、世界の半導体セクターで勢力を伸ばしている世界ファウンドリーが複数あります。
• ReRAM技術に基づくメーカーへの投資の増加が、市場成長率を押し上げています。例えば、ReRAM新メモリ製品および関連派生商品の研究開発に注力する信源半導体は、中国を代表する新メモリ技術企業に成長しました。同社は、2021年4月に1億米ドルの資金調達を受けたと述べています。
• さらに2022年3月、富士通セミコンダクタメモリーソリューション株式会社は、富士通のReRAM製品群の中で最も容量の大きい12Mbit ReRAM「MB85AS12MT」の発売を明らかにしました。この新製品は、約2mm×3mmのコンパクトなパッケージサイズに12Mbitの大記憶容量を持つ不揮発性ストレージです。このように、アジア太平洋地域で活動する市場関係者による開発の増加が、予測期間中の市場成長を促進することが期待されます。

競合情勢

抵抗変化型メモリ市場は、複数の大手企業によって構成されており、競争は緩やかです。ラムバス社、パナソニック社、アデスト・テクノロジー社、富士通社、クロスバー社などが挙げられます。などが挙げられます。これらの大手企業は、市場シェアと収益性を高めるために、生産能力の拡大や戦略的な協業イニシアティブの活用に注力しています。

• 2021年12月-Xinyuan Semiconductorは、画期的なReRAMベースのストレージとコンピューティングの複合デバイスの展開を加速するため、数百万元規模のAラウンドの資金調達が完了したと発表しました。
• 2021年10月- 不揮発性ストレージ技術の重要な開発者であるCrossBar Inc.は、少数回プログラム（FTP）および一回プログラム可能（OTP）不揮発性メモリ（NVM）アプリケーションにおける抵抗RAM（ReRAM）イノベーションの新機能を発表しました。
• 2021年9月- 韓国のSK Hynix社は、STT-MRAM、強誘電体メモリ、ReRAMの3つの新技術が、より大量のデータ処理に役割を果たす可能性があると表明しました。

その他の特典

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• 3ヶ月間のアナリストサポート

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提条件と市場の定義
• 調査対象範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 マーケットインサイト

• 市場概要
• 産業の魅力- ポーターのファイブフォース分析
  • 供給企業の交渉力
  • 消費者の交渉力
  • 新規参入業者の脅威
  • 代替品の脅威
  • 競争企業間の敵対関係

第5章 市場力学

• 市場促進要因
  • IoT、クラウドコンピューティング、ビッグデータへの需要拡大
  • 自動化ロボットの応用需要の急増
• 市場の抑制要因
  • 技術的応用の複雑化

第6章 技術スナップショット

• 材料タイプ
  • OxRRAM
  • CBRAM
  • ナノメタルフィラメント
• ソリューションタイプの概要

第7章 市場セグメンテーション

• アプリケーション
  • エンベデッド（アナログIC, MCU/SoC/ASIC/ASSP,インメモリコンピューティング）
  • スタンドアロン（高速/高信頼性メモリ、コード/データストレージ、低レイテンシストレージ、パーシステントメモリ
• エンドユーザー
  • インダストリアル/IoT/ウェアラブル/オートモーティブ
  • SSD/データセンター/ワークステーション
• 地域
  • 北米
  • 欧州
  • アジア太平洋地域
  • 世界のその他の地域

第8章 競合情勢

• 企業プロファイル
  • Crossbar Inc.​
  • Panasonic Corporation​
  • Adesto Technology​
  • Fujitsu Limited​
  • Rambus Inc.
  • Global Foundaries​
  • Sony Corporation​
  • Intel Corporation​
  • Weebit-Nano Ltd
  • 4DS Memory Limited​

第9章 投資分析

第10章 市場の将来展望

The Resistive RAM market is expected to register a CAGR of 29.9% over the forecast period (2022 - 2027). Resistive RAM, a non-volatile memory, is anticipated to seize a market share by substituting static random access memory and dynamic random access memory. The replacement will be possible due to numerous benefits given by resistive random access memory, such as large storage density and 3D packing, allowing layers of memory gadgets to be coordinated and organized in one chip, fast switching for quick exchange of information, and using less energy per switching cycle. ReRAM holds the potential to replace Flash memory used in mobile phones and other consumer electronics such as MP3 players.

Key Highlights

• Further, the growing adoption of sensors technology such as wearable and AI-enabled devices in many regions has boosted demand for fast data transfers and high storage density, in turn providing a tremendous chance or possibility for the growth of the resistive random access memory market globally.
• Multiple memory companies are investing in ReRAM. For instance, in April 2022, CrossBar Inc., a non-volatile memory technology provider, announced new applications of its resistive RAM (ReRAM) technology for use in secure storage and processing, where resistance to reverse engineering and physical attacks are essential requirements of the system. The company's technology is now being offered for use in memory applications requiring higher levels of content security.
• The soaring costs of resistive random access memory have become one of the important challenges for the growth of this market. Over the subsequent years, the innovation and implementation of new materials are expected to decrease costs and boost the demand for resistive random access memory in diverse verticals.
• Resistive random-access memory (ReRAM) is gaining traction as non-volatile memory (NVM) alternative, particularly in cloud and data center contexts where performance and energy efficiency are constantly improving. ReRAM technology has demonstrated lower read latency and quicker write version than flash memories while also achieving 64pJ/cell program energy, which is a 20% improvement over NAND, as the demand for data grows from users through premium services such as video streaming and from machines through the Internet of Things (IoT). 3D vertical ReRAM arrays provide high-performance memory subsystems capable of replacing standard DRAM- or Flash-based SSDs in data center environments, allowing faster data processing, storage, and retrieval in significantly smaller form factors with lower energy consumption.
• Moreover, the COVID-19 pandemic is likely impeding the overall anticipated growth of the market, mainly attributed to the supply chain disruption, with several companies witnessing scarcity of components like inductors and capacitors for manufacturing.

Key Market Trends

Increasing Demand of Connected Devices Under Consumer Electronics Segment is Fueling the Demand for ReRAM

• Resistive RAMs have faster computing power than ordinary RAMs, are much better for read-intensive applications, and are ideal for storage-class memory in servers. Further, rising consumer electronics demand for interconnected devices and the increasing usage of sensor technologies, including wearable and AI-enabled gadgets, along with developments by industry players, are expected to contribute to the market growth. For instance, in August 2022, Enphase Energy, Inc., a worldwide energy technology business and the world's largest producer of microinverter-based photovoltaic and storage systems, launched a new collaboration with Home Connect, an accessible digital network that enables home appliances of many manufacturers to be controlled with a single app.
• Higher switching speed constitutes a principal advantage of RRAM over other nonvolatile storage technologies such as NAND flash. ReRAM draws much less power than NAND flash. That makes it best suited for memory in sensor devices for industrial, automotive, and internet of things (IoT) applications. Neuromorphic computing is another potential application for ReRAM.
• Over the past few years, a significant demand for connected devices, such as wearables, IoT, and AI-based systems, has been seen. Resistive RAMs are used in these devices to increase storage capacities. Moreover, with the upcoming smart cities and smart homes, the connected devices are bound to increase, which, in turn, will increase the demand for strong memory capacity servers.
• To serve emerging connected IoT requirements, several companies are introducing innovations to connect and scale remote operations, bringing real-time, secure, and bandwidth-heavy IoT applications to fruition. For instance, in September 2022, Silicon Labs, the pioneer in secure, smart wireless innovation for a better-connected world, unveiled a portfolio of innovative solutions that significantly expanded its interoperability-driven, multiprotocol-supporting, and robustly-secure range with new solutions to advance the breakthroughs and patterns defining the Internet of Things, such as Amazon Sidewalk, Matter, Wi-SUN, and Wi-Fi 6.

Asia Pacific Expected to Hold a Major Share of the Market

• The Asia Pacific is expected to have a strong position in the global resistive random access memory market over the forecast period. China, South Korea, and India are some of the major countries that drive growth for the market in the Asia Pacific. The increasing consumer electronics and automotive industry fuel the demand for resistive random access memory in Asia Pacific countries.
• Moreover, many organizations are establishing data centers in this region, which will also grow the demand for the resistive RAM market. Developing nations, such as India, China, and Japan, will drive the market's growth in this region owing to the growing enterprise server, data centers, AI, and connected infrastructure.
• China is developing its domestic IC industry and plans to make more of its chips. The significant presence of manufacturers in the region is the major contributing factor to the market. China is home to several global foundries with growing clout in the global semiconductor sector.
• The growing investments in the ReRAM technology-based manufacturers are boosting the market growth rate. For instance, Xinyuan Semiconductor, which focuses on the R&D of ReRAM new memory products and associated derivative goods, has grown into China's leading new memory technology firm. The company stated that it received USD100 million in funding in April 2021.
• Further, in March 2022, Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited revealed the release of the MB85AS12MT, a 12Mbit ReRAM with the highest capacity in Fujitsu's ReRAM product line. This new invention is non-volatile storage with a high memory capacity of 12Mbit in a compact package size of about 2mm x 3mm. Thus, increasing developments by market players operating in the Asia Pacific region are expected to propel market growth over the forecast period.

Competitive Landscape

The Resistive RAM Market is moderately competitive and consists of several major players. Market players such as Rambus Inc., Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd, and Crossbar Inc.​, among others, are some of the major companies operating in the market. These major players are focusing on expanding their production capacity and leveraging strategic collaborative initiatives to increase their market share and profitability.

• December 2021 - Xinyuan Semiconductor announced the completion of the A round of funding in the millions of Yuan to accelerate the deployment of breakthrough ReRAM-based storage and computing combined devices.
• October 2021 - CrossBar Inc., a significant developer of non-volatile storage technology, unveiled new capabilities for its Resistive RAM (ReRAM) innovation in few-time programmed (FTP) and one-time-programmable (OTP) non-volatile memories (NVM) applications.
• September 2021 - SK Hynix, a South Korean firm, stated that three new technologies, STT-MRAM, Ferroelectric Memory, and ReRAM, could play a role in processing larger quantities of data.

Additional Benefits:

• The market estimate (ME) sheet in Excel format
• 3 months of analyst support

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

• 1.1 Study Assumptions and Market Definition
• 1.2 Scope of the Study

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET INSIGHTS

• 4.1 Market Overview
• 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis​
  • 4.2.1 Bargaining Power of Suppliers​
  • 4.2.2 Bargaining Power of Consumers​
  • 4.2.3 Threat of New Entrants​
  • 4.2.4 Threat of Substitute Products​
  • 4.2.5 Intensity of Competitive Rivalry​

5 Market Dynamics

• 5.1 Market Drivers
  • 5.1.1 Increasing Demand for IoT, Cloud Computing, and Big Data​
  • 5.1.2 Surging Demand for Application of Automation Robots
• 5.2 Market Restraints
  • 5.2.1 Complexity in Technological Applications ​

6 TECHNOLOGY SNAPSHOT

• 6.1 Material Type
  • 6.1.1 OxRRAM
  • 6.1.2 CBRAM
  • 6.1.3 Nano Metal Filament
• 6.2 Overview of Solution Types

7 MARKET SEGMENTATION

• 7.1 Application
  • 7.1.1 Embedded (Analog ICs, MCU/SoC/ASIC/ASSPs, In-Memory Computing)
  • 7.1.2 Standalone (Fast/Reliable Memory, Code/Data Storage, Low-latency Storage and Persistent Memory)​
• 7.2 End-user
  • 7.2.1 Industrial/IoT/Wearables/Automotive
  • 7.2.2 SSD/Datacenters/Workstations​
• 7.3 Geography
  • 7.3.1 North America
  • 7.3.2 Europe
  • 7.3.3 Asia Pacific
  • 7.3.4 Rest of the World

8 COMPETITIVE LANDSCAPE

• 8.1 Company Profiles
  • 8.1.1 Crossbar Inc.​
  • 8.1.2 Panasonic Corporation​
  • 8.1.3 Adesto Technology​
  • 8.1.4 Fujitsu Limited​
  • 8.1.5 Rambus Inc.
  • 8.1.6 Global Foundaries​
  • 8.1.7 Sony Corporation​
  • 8.1.8 Intel Corporation​
  • 8.1.9 Weebit-Nano Ltd
  • 8.1.10 4DS Memory Limited​

9 INVESTMENT ANALYSIS

10 FUTURE OUTLOOK OF THE MARKET