世界の相変化メモリ市場：予測（2025年～2030年）

世界の相変化メモリの市場規模は、2025年の6億9,930万米ドルから2030年には44億9,160万8,000米ドルへと急成長し、CAGRは45.06％に達すると予測されます。

世界の相変化メモリ（PCM）市場は、産業全体における先進的なストレージ技術の採用を背景に、大幅な成長が見込まれています。PCMは、物質の状態変化によってデータを保存する不揮発性メモリであり、従来のフラッシュメモリよりも高速な性能と高い耐久性を提供します。スマートフォン、自動車用マイクロコントローラー、AI駆動システムにおけるその応用が、成長の主要な促進要因となっています。インテル、マイクロン、STマイクロエレクトロニクスなどの主要企業は、革新的なPCMソリューションの開発に向け、研究開発に多額の投資を行っています。しかしながら、高い開発コストと技術的な複雑さが、市場拡大における課題となる可能性があります。

市場促進要因

スマートフォン向け高性能ストレージの需要増加が主要な促進要因です。メーカー各社は、プレミアムデバイスにおける高度な機能をサポートするため、PCMを統合しています。リアルタイム用途向けに信頼性と効率性を兼ね備えたメモリを必要とする電気自動車（EV）および自動車用マイクロコントローラーの台頭が、市場の成長をさらに加速させています。特に自動車安全システムにおいては、PCMが最小限のダウンタイムで無線アップデート（OTA）やシングルビット上書きを可能にする能力が極めて重要です。さらに、低消費電力と高精度が不可欠なAI用途へのPCM統合も需要を牽引しています。フラッシュメモリと比較した優れた速度と耐久性により、次世代デバイスに理想的な技術として、スマートフォン普及が急速に進む中国やインドなどの新興市場での採用が促進されています。

目次

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 市場の概要

• 市場概要
• 市場の定義
• 調査範囲
• 市場セグメンテーション

第3章 ビジネス情勢

• 市場促進要因
• 市場抑制要因
• 市場機会
• ポーターのファイブフォース分析
• 業界バリューチェーン分析
• 政策と規制
• 戦略的提言

第4章 技術展望

第5章 世界の相変化メモリ市場：技術別

• イントロダクション
• DRAMとしてのPCM
• SRAMとしてのPCM
• ストレージクラスメモリとしてのPCM
• フラッシュメモリとしてのPCM

第6章 世界の相変化メモリ市場：用途別

• イントロダクション
• 自動車
• スマートカード
• 携帯電話
• 家電製品
• 産業用途
• その他

第7章 世界の相変化メモリ市場：地域別

• イントロダクション
• 北米
  • 技術別
  • 用途別
  • 国別
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
• 南米
  • 技術別
  • 用途別
  • 国別
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • その他
• 欧州
  • 技術別
  • 用途別
  • 国別
    • 英国
    • ドイツ
    • フランス
    • スペイン
    • その他
• 中東・アフリカ
  • 技術別
  • 用途別
  • 国別
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • その他
• アジア太平洋
  • 技術別
  • 用途別
  • 国別
    • 中国
    • 日本
    • インド
    • 韓国
    • 台湾
    • その他

第8章 競合環境と分析

• 主要企業と戦略分析
• 市場シェア分析
• 合併・買収・協定・協業
• 競合ダッシュボード

第9章 企業プロファイル

• Micron Technology
• IBM
• Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
• STMicroelectronics
• Samsung Electronics
• SK Hynix Inc.
• Fujitsu Ltd.
• Western Digital Corporation

第10章 付録

• 通貨
• 前提条件
• 基準年および予測年のタイムライン
• 利害関係者にとっての主なメリット
• 調査手法
• 略語