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市場調査レポート
商品コード
1452903
日本・韓国・中国における第3世代半導体 (SiC) の産業政策Industry Policies of Third-Generation Semiconductors - SiC - in Japan, Korea, and China |
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日本・韓国・中国における第3世代半導体 (SiC) の産業政策 |
出版日: 2024年03月01日
発行: MIC - Market Intelligence & Consulting Institute
ページ情報: 英文 20 Pages
納期: 即納可能
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近年、第3世代半導体、特に炭化ケイ素 (SiC) に対する市場の注目度が著しく高まっています。このような関心の高まりは主に、SiCのユニークな特性 - より高い電圧と温度に耐え、電力変換効率を高め、高周波で優れた伝送効率を達成する能力を含む - に起因しています。こうした特性により、SiCは電気自動車 (EV)、再生可能エネルギー、オプトエレクトロニクス、衛星通信、国防、軍事用途など、さまざまな用途で理想的な選択肢となっています。さらに、SiC材料の獲得が課題となっていることから、一部の国では、上流工程の結晶成長材料を国家半導体戦略における重要な戦略資源として認識しています。
当レポートでは、日本・韓国・中国におけるSiC産業政策について詳細に分析すると共に、米国・欧州連合 (EU)・日本・韓国・中国の主要国におけるSiCの将来の動向について簡潔に考察しております。
In recent years, there has been a notable surge in market attention directed towards third-generation semiconductors, particularly Silicon Carbide (SiC). This heightened interest is primarily attributed to the unique characteristics of SiC, including its capability to withstand higher voltages and temperatures, provide enhanced power conversion efficiency, and achieve superior transmission efficiency at high frequencies. These attributes position SiC as an ideal choice for various applications, including electric vehicles (EV), renewable energy, optoelectronics, satellite communications, national defense, and military applications. Furthermore, the challenging acquisition of SiC materials has prompted several countries to recognize upstream crystal growth materials as crucial strategic resources within their national semiconductor strategies. This report provides an in-depth analysis and overview of SiC industry policies in Japan, Korea, and China, along with a concise examination of SiC's future development trends in major countries: the United States, the European Union (EU), Japan, Korea, and China.