IGBTおよびサイリスタ市場：電圧別、パッケージタイプ別、用途別、2024年～2032年の予測

世界のIGBTおよびサイリスタ市場は、再生可能エネルギー源の急速な拡大により、2024年から2032年にかけてCAGR2%以上で成長します。

国連やIRENAの推計によると、2050年までに再生可能エネルギーの割合は世界の電力の90％に達する可能性があります。世界各国が持続可能性を優先し、化石燃料への依存を減らす努力をする中で、太陽光発電や風力発電などの再生可能エネルギーの利用が大幅に増加しています。

この拡大には、効率的なグリッド統合、エネルギー管理、電力変換のための高度な電子ソリューションが必要です。IGBTおよびサイリスタは再生可能エネルギー・システムで重要な役割を果たし、ソーラー・パネルや風力タービンで生成された直流電流を配電用の交流電流に変換するのを容易にし、市場の成長を促しています。

電気自動車（EV）インフラの拡大は、市場の目に見える動向です。IEAによると、2023年に世界で約1,400万台の電気自動車が新規登録され、電気自動車の総数は4,000万台に達する見込みです。世界の交通の電動化への移行には、増え続ける電気自動車を支える強固な充電インフラが必要です。この動向には、市街地や高速道路沿い、商業地域や住宅地への充電ステーションの設置が含まれます。政府や非公開会社が電気自動車インフラの整備に多額の投資を行うため、充電ステーション、DC-DCコンバータ、電気自動車用パワートレイン・インバータに使用されるIGBTやサイリスタの需要もそれに伴って増加します。

IGBTディスクリート・セグメントは、高電力密度、強力な性能、優れた熱管理能力を提供できるため、2032年まで急速に成長し、IGBTディスクリート・デバイスは、モーター・ドライブ、再生可能エネルギー・インバーター、産業オートメーション・システムなど、多くの電子アプリケーションに最適となります。より高い電圧と電流を可能にする先進パッケージング技術により、IGBTディスクリートデバイスは、電力変換と制御のためのコンパクトで信頼性が高く、効率的なソリューションを求める産業界の変化するニーズに対応する準備が整っています。

中電圧IGBTセグメントは、より高い電圧と電流を扱うことができるため、2032年まで安定した成長を続け、中電圧IGBTは、送電機器、中電圧、モーター・コントローラー、系統連系インバーターなど、強力な電力スイッチング能力を必要とするアプリケーションに適しています。半導体とデバイスアーキテクチャの開発により、中電圧IGBTはより優れた効率、より低いスイッチング損失、より優れた信頼性を提供し、さまざまな産業やアプリケーションでの採用を促進しています。

欧州のIGBTおよびサイリスタ産業は、規制措置、技術進歩、市場力学の組み合わせにより、2032年まで大きな牽引力を発揮します。ドイツ、フランス、イタリアのような国々は、このデジタル革命の最前線にあり、エネルギー効率を改善し、再生可能エネルギーの統合を促進し、産業オートメーションを加速するイニシアチブを主導しています。自動車産業、再生可能エネルギー導入、スマートグリッド構想の中心地である欧州は、先進エレクトロニクス技術の開発と導入に適した土壌を提供し、市場の成長を後押ししています。

目次

第1章 調査手法と調査範囲

第2章 エグゼクティブサマリー

第3章 業界洞察

• エコシステム分析
• 利益率分析
• 技術とイノベーションの展望
• 特許分析
• 主要ニュース＆イニシアチブ
• 規制状況
• 影響要因
• 促進要因
  • 再生可能エネルギーの拡大
  • 電気自動車（EV）とハイブリッド車（HEV）の成長
  • スマートグリッド・インフラ
  • カーエレクトロニクスにおける新たなアプリケーション
  • 都市化とインフラ整備
• 業界の潜在的リスク＆課題
  • 駆動回路の複雑さ
  • 熱管理の課題
• 成長可能性分析
• ポーター分析
• PESTEL分析

第4章 競合情勢

• イントロダクション
• 企業シェア分析
• 競合のポジショニング・マトリックス
• 戦略展望マトリックス

第5章 市場推計・予測：電圧別、2018年～2032年

• 主要動向
• 低電圧IGBT
• 中電圧IGBT
• 高電圧IGBT

第6章 市場推計・予測：パッケージタイプ別、2018年～2032年

• 主要動向
• IGBTディスクリート
• IGBTモジュール

第7章 市場推計・予測：用途別、2018年～2032年

• 主要動向
• 送電システム
• 再生可能エネルギー
• 鉄道牽引システム
• 無停電電源装置（UPS）
• 電気・ハイブリッド電気自動車
• その他

第8章 市場推計・予測：地域別、2018年～2032年

• 主要動向
• 北米
  • 米国
  • カナダ
• 欧州
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • ロシア
  • その他欧州
• アジア太平洋
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • 韓国
  • ニュージーランド
  • その他アジア太平洋地域
• ラテンアメリカ
  • ブラジル
  • メキシコ
  • その他ラテンアメリカ
• 中東・アフリカ
  • UAE
  • サウジアラビア
  • 南アフリカ
  • その他中東・アフリカ

第9章 企業プロファイル

• Renesas Electronics Corporation
• Semikron Danfoss
• Diodes Incorporated
• Dynex Semiconductor Ltd
• Infineon Technologies AG
• Hitachi Energy Ltd.
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Mitsubishi Electric Corporation
• STMicroelectronics
• Toshiba Corporation
• ABB Ltd.
• Danfoss

The Global IGBT and Thyristors market will grow over 2% CAGR from 2024 to 2032 due to the rapid expansion of renewable energy sources. According to the UN, as per IRENA estimates, by 2050, the share of renewable energy could be 90% of the world's electricity. As countries around the world prioritize sustainability and work to reduce their dependence on fossil fuels, the use of renewable energy sources such as solar and wind power has increased significantly.

This expansion requires advanced electronic solutions for efficient grid integration, energy management, and power conversion. IGBTs and thyristors play an important role in renewable energy systems, facilitating the conversion of direct current produced by solar panels and wind turbines into alternating current for distribution, thereby inducing market growth.

The expansion of electric vehicle (EV) infrastructure is a visible trend in the market. According to the IEA, the registration of almost 14 million new electric cars worldwide in 2023 brought the total number of electric cars on track to 40 million. The global transition to electrification of transportation requires a robust charging infrastructure to support the growing fleet of electric vehicles. This trend includes installing charging stations in city centers, along highways, and in commercial and residential areas. As governments and private companies invest heavily in the development of electric vehicle infrastructure, the demand for IGBTs and thyristors used in charging stations, DC-DC converters, and powertrain inverters for electric vehicles will increase accordingly.

The overall IGBT and thyristor industry is classified based on voltage, package type, application, and region.

The IGBT Discrete segment will grow rapidly through 2032 due to the ability to offer high power density, strong performance, and better thermal management capabilities, making IGBT Discrete devices ideal for many electronic applications, including motor drives, renewable energy inverters, and industrial automation systems. With advances in packaging technology that enable higher voltages and currents, IGBT Discrete devices are ready to meet the changing needs of industries seeking compact, reliable, and efficient solutions for power conversion and control.

The medium voltage IGBT segments will continue to grow steadily through 2032 due to their ability to handle higher voltages and currents, making medium voltage IGBTs suitable for applications that require strong power switching capabilities, such as traction power transmission equipment, medium voltage, motor controllers, and grid-connected inverters. Thanks to the development of semiconductors and device architectures, medium voltage IGBTs offer better efficiency, lower switching losses, and better reliability, promoting their adoption in various industries and applications.

Europe IGBT and Thyristor industry will experience significant traction through 2032 due to a combination of regulatory measures, technological advances, and market dynamics. Countries like Germany, France, and Italy are at the forefront of this digital revolution, leading initiatives to improve energy efficiency, promote the integration of renewable energy, and accelerate industrial automation. As a hub for the automotive industry, renewable energy deployment, and smart grid initiatives, Europe offers fertile ground for the development and deployment of advanced electronic technologies, thereby fueling market growth.

Table of Contents

Chapter 1 Methodology & Scope

• 1.1 Market scope & definitions
• 1.2 Base estimates & calculations
• 1.3 Forecast calculations
• 1.4 Data sources
  • 1.4.1 Primary
  • 1.4.2 Secondary
    • 1.4.2.1 Paid sources
    • 1.4.2.2 Public sources

Chapter 2 Executive Summary

• 2.1 Industry 360 degree synopsis, 2018 - 2032

Chapter 3 Industry Insights

• 3.1 Industry ecosystem analysis
• 3.2 Profit margin analysis
• 3.3 Technology & innovation landscape
• 3.4 Patent analysis
• 3.5 Key news & initiatives
• 3.6 Regulatory landscape
• 3.7 Impact forces
• 3.8 Growth drivers
  • 3.8.1 Renewable energy expansion
  • 3.8.2 Growth of electric vehicles (EVs) and hybrid electric vehicles (HEVs)
  • 3.8.3 Smart grid infrastructure
  • 3.8.4 Emerging applications in automotive electronics
  • 3.8.5 Urbanization and infrastructure development
• 3.9 Industry pitfalls & challenges
  • 3.9.1 Complexity of drive circuitry
  • 3.9.2 Thermal management challenges
• 3.10 Growth potential analysis
• 3.11 Porter's analysis
  • 3.11.1 Supplier power
  • 3.11.2 Buyer power
  • 3.11.3 Threat of new entrants
  • 3.11.4 Threat of substitutes
  • 3.11.5 Industry rivalry
• 3.12 PESTEL analysis

Chapter 4 Competitive Landscape, 2023

• 4.1 Introduction
• 4.2 Company market share analysis
• 4.3 Competitive positioning matrix
• 4.4 Strategic outlook matrix

Chapter 5 Market Estimates & Forecast, By Voltage, 2018 - 2032 (USD Million)

• 5.1 Key trends
• 5.2 Low voltage IGBTs
• 5.3 Medium voltage IGBTs
• 5.4 High voltage IGBTs

Chapter 6 Market Estimates & Forecast, By Packaging Type, 2018 - 2032 (USD Million)

• 6.1 Key trends
• 6.2 IGBT discrete
• 6.3 IGBT module

Chapter 7 Market Estimates & Forecast, By Application, 2018 - 2032 (USD Million & Units)

• 7.1 Key trends
• 7.2 Power transmission systems
• 7.3 Renewable energy
• 7.4 Rail traction systems
• 7.5 Uninterruptible power supply (UPS)
• 7.6 Electric & hybrid electric vehicles
• 7.7 Others

Chapter 8 Market Estimates & Forecast, By Region, 2018 - 2032 (USD Million)

• 8.1 Key trends
• 8.2 North America
  • 8.2.1 U.S.
  • 8.2.2 Canada
• 8.3 Europe
  • 8.3.1 UK
  • 8.3.2 Germany
  • 8.3.3 France
  • 8.3.4 Italy
  • 8.3.5 Spain
  • 8.3.6 Russia
  • 8.3.7 Rest of Europe
• 8.4 Asia Pacific
  • 8.4.1 China
  • 8.4.2 India
  • 8.4.3 Japan
  • 8.4.4 South Korea
  • 8.4.5 ANZ
  • 8.4.6 Rest of Asia Pacific
• 8.5 Latin America
  • 8.5.1 Brazil
  • 8.5.2 Mexico
  • 8.5.3 Rest of Latin America
• 8.6 MEA
  • 8.6.1 UAE
  • 8.6.2 Saudi Arabia
  • 8.6.3 South Africa
  • 8.6.4 Rest of MEA

Chapter 9 Company Profiles

• 9.1 Renesas Electronics Corporation
• 9.2 Semikron Danfoss
• 9.3 Diodes Incorporated
• 9.4 Dynex Semiconductor Ltd
• 9.5 Infineon Technologies AG
• 9.6 Hitachi Energy Ltd.
• 9.7 Fuji Electric Co., Ltd.
• 9.8 Mitsubishi Electric Corporation
• 9.9 STMicroelectronics
• 9.10 Toshiba Corporation
• 9.11 ABB Ltd.
• 9.12 Danfoss