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市場調査レポート
VLSI製造における測定、検査および工程管理
Metrology, Inspection, and Process Control in VLSI Manufacturing
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「VLSI製造における測定、検査および工程管理」は2012年05月にインフォメーションネットワークより発行されました。 当レポートは税抜￥201,321より販売しています。
当レポートでは、リソグラフィ、ウエハ検査、薄膜測定をはじめとする様々な測定技術の市場に関する動向分析や今後の予測などについて、概略下記の構成でまとめております。
第1章 イントロダクション
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 測定/検査技術
- 概要
- イメージング技術
- SEM（走査電子顕微鏡）
- TEM（透過電子顕微鏡）
- 走査プローブ顕微鏡
- AFM（原子間力顕微鏡）
- STM（走査トンネル顕微鏡）
- SPM（走査プローブ顕微鏡）
- AFMの種類
- SSPM（表面電位顕微鏡）
- 光技術
- 光波散乱計測
- TXRF（全反射蛍光X線分析）
- EDX（エネルギー分散型蛍光X線分析）
- SIMS（二次イオン質量分析）
- オージェ電子分光分析法
- FIB（集束イオンビーム）
- XRR（X線反射率）
- XPS（X線光電子分光法）
- RBS（ラザフォード後方散乱分析法）
- 光音響測定
- FTIR（フーリエ変換赤外分光光度計）
- TIVA
- フィルムの厚さと粗さ
- 表面検査技術
- 次元技術
- Stylus Profilometer
第4章 欠陥点検/ウエハ検査
- 定義
- 欠陥の解析
- パターン化されたウエハ検査
- パターン化されていないウエハ検査
- マクロ - 欠陥検査
第5章 薄膜測定
第6章 リソグラフィ測定
第7章 市場予測
- 概要
- 市場予測の前提条件
- 市場予測
- プロセスコントロール市場
- リソグラフィ測定市場
- ウエハ検査/欠陥点検市場
- 薄膜測定市場
- その他プロセスコントロールシステム市場
第8章 統合測定/In-situ測定/検査動向
第9章 主な影響因子
- 300mmウエハ/400mmウエハ
- 銅の測定
- 低誘電率（Low-K）絶縁膜
- CMP（化学的機械研磨）
- イオン注入
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