市場調査レポート

EPC社のGaNトランジスタ(1001, 1009, 1010, 1013, 1014, 1015):ティアダウンおよび技術分析

Teardown and Technology Analysis of six EPC GaN transistors 1001, 1009, 1010, 1013, 1014, 1015

発行 MuAnalysis 商品コード 124135
出版日 ページ情報 英文
納期: 即日から翌営業日
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EPC社のGaNトランジスタ(1001, 1009, 1010, 1013, 1014, 1015):ティアダウンおよび技術分析 Teardown and Technology Analysis of six EPC GaN transistors 1001, 1009, 1010, 1013, 1014, 1015
出版日: 2010年06月30日 ページ情報: 英文

当商品の販売は、2016年07月01日を持ちまして終了しました。

概要

当レポートでは、EPC社のGaNトランジスタ6種のティアダウン分析を行い、製造技術、接続、メタライゼーション、絶縁などの仕様をまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。

第1章 製品について

第2章 外観

第3章 半導体ダイ

  • 平面図分析
  • 横断面分析
    • バックエンドプロセス(光学/SEM)
    • フロントエンドプロセス(SEM/TEM)
    • プロセスパラメーターのサマリー

第4章 デバイスの寸法

  • 1001
  • 1009
  • 1010
  • 1013
  • 1014
  • 1015
  • 一覧表

第5章 DC電流パラメーター

  • Vth
  • IGss
  • IDss

第6章 サマリー

目次

Abstract

MuAnalysis has used a large variety of analytical techniques including, electron microscopy, EDX, Raman and FTIR spectroscopy to probe the insides of these devices and reveal details of their fabrication technology, including interconnect, metallization, isolation and layout.

Table of Contents

1. Product Identification

2. External Appearance

3. Semiconductor Die

  • 3.1 Plan view analysis
  • 3.2 Cross section analysis
    • 3.2.1 Back end process (optical and SEM)
    • 3.2.2 Front end process (SEM and TEM)
    • 3.2.3 Summary of process parameters

4. Device Dimensions

  • 4.1 1001
  • 4.2 1009
  • 4.3 1010
  • 4.4 1013
  • 4.5 1014
  • 4.6 1015
  • 4.7 Summary table

5. DC electrical parameters

  • 5.1 Vth
  • 5.2 IGss
  • 5.3 IDss

6. Summary

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