新興不揮発性メモリの世界市場- 成長、動向、予測（2023年-2028年）

新興不揮発性メモリ市場は、予測期間（2023年～2028年）に約22.8%のCAGRで推移すると予測されています。

不揮発性メモリの新興市場は、家電、企業、産業など幅広いエンドユーザー産業でメモリデバイスが受け入れられていることから、大きな成長が見込まれています。

主なハイライト

• 高速アクセスかつ低消費電力のメモリデバイスに対する需要の高まりや、コネクテッドデバイスやウェアラブルデバイスにおける不揮発性メモリの需要の増加が、市場の成長を後押しする主な要因の1つとなっています。しかし、不揮発性メモリデバイスの設計や製造は非常に複雑であるため、予測期間中の市場成長の妨げになると予想されます。
• 数年にわたる開発期間を経て、組み込み型不揮発性メモリ技術はかなり成熟してきました。いくつかの組み込み型MRAMベースのデバイスが2021年に量産に入り、その中にはGlobalFoundriesのeMRAM（22nm FDSOI）を搭載したGreenWaveのAIプロセッサやNumenとGyrfalcon（TSMCの22nm ULL）が設計・開発したエッジAI加速器が含まれます。
• この分野での研究活動の活発化が、市場の成長を後押ししています。例えば、Samsungは2021年に、書き込み速度と密度を高めるために設計されたフラッシュ型組み込みMRAMをサポートするために14nmプロセスを進めるとともに、同社のMRAMのMTJ機能の向上を発表しました。さらに、ウェアラブル、マイコン、IoTデバイスなど、新たな不揮発性メモリ用途をターゲットにしています。
• COVID-19のパンデミックとその世界のロックダウンの複合がメモリ市場に影響を与えました。ノートパソコンとデータセンターの需要は伸びたが、スマートフォンと車載は減速に直面しました。その結果、メモリ需要は比較的バランスが取れています。新興不揮発性メモリ市場は、3D XPointを利用したストレージクラスメモリ（SCM）アプリケーションを中心にデータセンター市場で拡大しているため、新興不揮発性メモリ市場全体の進化にマイナスの影響を与えることはありません。2020年前半にパンデミックによるサプライチェーンの混乱が発生したもの、2020年後半初頭にはほぼ解消されました。

新興不揮発性メモリ市場の動向

データセンター向けの需要拡大

• データセンターにおけるメモリへの要求を背景としたメモリデバイスの需要増は、新興不揮発性メモリの需要を牽引すると予想されます。
• このデータセンター向け需要は、ハイパフォーマンスコンピューティング、エッジコンピューティング、ビッグデータ、クラウドアプリケーションの需要増が原動力となっています。機械学習や人工知能の採用が進み、ベンダーはより高速で大容量のデータを選択するようになりました。また、リモートワーク、オンライン教育クラス、パンデミック時のオンライン医療支援などの急速な普及が、成長をさらに補完しています。
• さらに、Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azureによる新しいデータセンター建設プロジェクトに対応して、IntelとAMDはここ数年、新しいサーバープロセッサを発表しています。同様の動向は、市場を牽引するものと期待されます。
• アジア太平洋地域のデータセンター市場は、中国とインドの経済が新興国として発展していることに支えられています。中国のデータセンター市場の成長は、政府の支援策と国際的な投資によって後押しされると予想されます。政府がセキュリティやインテリジェンス用途でAIを推進していることが、新興の不揮発性メモリの需要をさらに強めています。
• NASSCOMによると、インドは現在、80のサードパーティデータセンターをサポートしています。2025年までに年間46億米ドルに触れると予想される国内外のプレーヤーからの投資を示しています。

アジア太平洋地域が予測期間中に大きな市場シェアを獲得

• アジア太平洋地域は、不揮発性メモリの新興市場として世界最大級の規模を誇っています。この地域は、ほぼすべてのエンドユーザーアプリケーションから高い需要があり、主に中国、インド、インドネシアなどの複数の新興諸国におけるスマートフォンの需要に牽引されています。
• インドは携帯電話の消費者層が厚いため、携帯電話端末の生産額は、21年度の3,000万米ドルから26年度には1億2,600万米ドルへとさらに増加するとインド政府の国家投資促進・円滑化機関であるInvest in Indiaは発表しています。
• さらに、中国では、オンラインエンターテインメント、在宅勤務、ビデオ・音声通話サービスなどの需要増加を背景に、データセンターを含む新たなインフラ整備が進んでいます。デジタル経済の急速な発展に伴い、同国では大規模なビッグデータセンターの建設が目立ってきています。このようなデータセンターでは、電源障害やシステムクラッシュのイベントによるダウンタイムを短縮し、大きな財務的価値をもたらす不揮発性メモリの利用が新たに増加しています。
• 中国、韓国、シンガポールのような国の半導体製造施設は非常に活発です。複数の多国籍メモリメーカーが膨大な資金を中国市場に投入しており、特に「Made in China 2025」などの中国政府の取り組みが後押ししています。中国政府は、2030年までに半導体生産高を3,050億米ドルに引き上げ、国内半導体需要の約80％を満たすという野心的な目標を掲げています。この要因によって、予測期間中、同国への投資はさらに増加すると予想されます。
• さらに、地域の有力な研究機関や大学では、新興の不揮発性メモリに関連するさまざまな技術開発が行われています。例えば、2022年1月、東京工業大学電気電子工学科のPham Nam Hai准教授が率いる国際研究チームは、カリフォルニア大学の他の研究者とともに、磁気トンネル接合（MTJ）とトポロジカル絶縁体を統合したスピン軌道トルク磁気抵抗RAM（SOT-MRAM）デバイスを作成しました。比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しと、トポロジカル絶縁体による低電流密度を利用した書き込みを実証しました。
• このように、アジア太平洋地域の収益シェアは、他の地域よりも高い伸びを示すと予想されます。

新興不揮発性メモリ市場の競合他社分析

新興不揮発性メモリ市場は、TSMC、Texas Instruments Inc.、Intel Corporation、Microchip Technology Inc.、Infineon Technologies AG、富士通株式会社、GlobalFoundries Inc、CrossBar Incなど複数の主要企業による緩やかな競争が行われています。市場シェアの観点からは、現在少数の主要プレイヤーが市場を独占しています。しかし、イノベーションと技術の進歩により、多くの企業が有機的・無機的な成長戦略や新規市場の開拓を通じて、市場での存在感を高めています。最近の市場の開拓をいくつか紹介します。

その他の特典。

• エクセル形式の市場予測（ME）シート
• アナリストによる3ヶ月間のサポート

目次

第1章 イントロダクション

• 調査の前提および市場の定義
• 調査対象範囲

第2章 調査手法

第3章 エグゼクティブサマリー

第4章 マーケットインサイト

• 市場概要
• 産業の魅力-ポーターのファイブフォース分析
  • 供給企業の交渉力
  • 買い手の交渉力
  • 新規参入業者の脅威
  • 代替品の脅威
  • 競合の激しさライバル企業
• 産業バリューチェーン分析
• COVID-19が市場に与える影響評価

第5章 市場力学

• 促進要因
  • 高速アクセス、低消費電力のメモリデバイスの需要増加
  • コネクテッドデバイスやウェアラブルデバイスにおける不揮発性メモリ需要の増加
• 抑制要因
  • 不揮発性メモリデバイスの設計・製造の複雑化

第6章 市場セグメンテーション

• タイプ
  • スタンドアロン型
  • エンベデッド
• エンドユーザー産業
  • 産業用機器
  • 民生用電子機器
  • 企業
  • その他
• 地域別
  • 北米
  • 欧州
  • アジア太平洋地域
  • 世界のその他の地域

第7章 競合情勢

• 企業プロファイル
  • TSMC
  • Samsung Electronics Co. Ltd.
  • GlobalFoundries Inc.
  • Texas Instruments Inc.
  • Fujitsu Ltd.
  • SK Hynix Inc.
  • Western Digital Corp.
  • CrossBar Inc.
  • Microchip Technology Inc.
  • Intel Corporation
  • Infineon Technologies AG
  • United Microelectronics Corporation（UMC）
  • Toshiba Corp.
  • Nantero Inc.

第8章 投資分析

第9章 市場機会と将来動向

第10章 米国について

The emerging non-volatile memory market is expected to register a CAGR of approximately 22.8% during the forecast period (2023 - 2028). The emerging non-volatile memory market is anticipated to witness significant growth owing to the acceptance of memory devices across a wide range of end-user industries, including consumer electronics, enterprise, industrial, and others.

Key Highlights

• The rising demand for fast access and low power consuming memory devices, as well as increasing demand for non-volatile memory in connected and wearable devices, are some of the major factors propelling the market growth. However, high complexity in designing and manufacturing emerging non-volatile memory devices is anticipated to hamper the market growth during the forecast period.
• After several years of development, embedded emerging non-volatile memory technologies have gained substantial maturity. Several embedded MRAM-based devices entered volume production in 2021, among which are GreenWave's AI processors with GlobalFoundries' eMRAM (22nm FDSOI) and edge-AI accelerators designed and developed by Numen and Gyrfalcon (22nm ULL at TSMC).
• The increasing research activities in this space are driving the market's growth. For instance, in 2021, Samsung announced the improvement of the MTJ function of its MRAM along with advancing its 14 nm process to support its flash-type embedded MRAM designed to increase the write speed and density. In addition, the company targets the IC's emerging non-volatile memory application in wearables, microcontrollers, and IoT devices.
• COVID-19 pandemic and its global lockdowns combined impacted the memory market. Laptops and Datacentres demand grew, whereas smartphones and automotive faced a slowdown. The net result has been a comparatively balanced memory demand. As the emerging non-volatile memory business is expanding mostly on the datacentre market with storage class memory (SCM) applications facilitated by 3D XPoint, there has not been a negative impact on the overall emerging non-volatile memory market evolution. Though the pandemic created supply-chain disruptions in the first half of 2020, these were mostly cleared by the beginning of the second half of 2020.

Emerging Non-Volatile Memory Market Trends

Growing Demand for Data Centers

• The increasing demand for memory devices, buoyed by the requirement of data centers for memory, is expected to drive the demand for emerging non-volatile memories.
• This demand for data centers is driven by the increasing demand for high-performance computing, edge computing, big data, and cloud applications. The rising adoption of machine learning and artificial intelligence bolsters the vendors to opt for faster and higher data capacities. The rapid adoption of remote work, online educational classes, and online medical assistance during the pandemic further complemented the growth.
• Furthermore, in response to the new data center construction projects by Google, Amazon Web Service, Facebook, and Microsoft Azure, Intel and AMD introduced new server processors in the last few years. Similar trends are expected to drive the market.
• The Asia-Pacific data center market is buoyed by the developing economies of China and India. The growth in the Chinese data center market is expected to be bolstered by supportive government initiatives and international investments. The government push for AI in security and intelligence use further strengthens the demand for emerging non-volatile memories.
• According to NASSCOM, India is currently supporting 80 third-party data centers. It is witnessing investment from local and international players expected to touch USD 4.6 billion per annum by 2025.

Asia-Pacific to Register a Significant Market Share During the Forecast Period

• Asia-Pacific is one of the largest markets for emerging non-volatile memories globally. The region has high demand from almost all end-user applications, primarily led by demand for smartphones in multiple developing countries, such as China, India, Indonesia, etc.
• India has a large consumer base for mobile phones; hence the production of mobile handsets is further slated to increase in value from USD 30 million in FY 21 to USD 126 million in FY 26, as stated by Invest in India, the National Investment Promotion and Facilitation Agency of the Government of India.
• Further, the development of new infrastructure, including data centers, has been growing in China, driven by an increase in demand for online entertainment, telecommuting, and video and voice call services. With the fast development of the digital economy, building large, big data centers in the country is becoming more notable. This has led to the growth of emerging non-volatile memory usage in such data centers, which helps reduce downtime caused by a power failure or system crash event, thereby providing significant financial value.
• The semiconductor fabrication facilities in countries like China, Korea, and Singapore, are highly active. Several multinational memory manufacturers direct an immense amount of capital into the Chinese market, especially boosted by the country's government initiatives, such as Made in China 2025. The country's ambitious goal is to reach a value of USD 305 billion in semiconductor output by the year 2030 and meet about 80% of the domestic demand for semiconductors. This factor is expected to draw more investments into the country over the forecast period.
• Moreover, leading regional research institutes and universities are developing various technologies related to emerging non-volatile memory. For instance, in January 2022, an international research team led by Associate Professor Pham Nam Hai of the Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, along with other researchers from the University of California, created spin-orbit torque magnetoresistive RAM (SOT-MRAM) devices that integrate magnetic tunneling junctions (MTJs) and topological insulators. A readout through a relatively high tunneling magnetoresistance effect and writing utilizing low current density by a topological insulator was demonstrated.
• Thus, owing to the aforementioned factors, the revenue share from Asia-Pacific is anticipated to grow faster than the other geographical regions during the forecast period.

Emerging Non-Volatile Memory Market Competitor Analysis

The Global Emerging Non-Volatile Memory Market is moderately competitive and consists of several major players such as TSMC, Texas Instruments Inc., Intel Corporation, Microchip Technology Inc., Infineon Technologies AG, Fujitsu Ltd., GlobalFoundries Inc., CrossBar Inc., etc. In terms of market share, few major players currently dominate the market. However, with innovations and technological advancements, many companies are increasing their market presence through organic and inorganic growth strategies and tapping new markets. Some of the recent developments in the market are:

• March 2022 - Fujitsu Ltd. launched a 12Mbit ReRAM (Resistive Random Access Memory), MB85AS12MT, which is the largest density in Fujitsu's ReRAM product family. This novel product is a non-volatile memory having a large memory density of 12Mbit in a very tiny package size of around 2mm x 3mm. Additionally, it is suitable for wearable devices such as smartwatches and hearing aids.
• October 2021 - CrossBar Inc. announced new applications of its Resistive RAM (ReRAM) technology for usage in one-time-programmable (OTP) and few-time programmable (FTP) non-volatile memory (NVM) applications.

Additional Benefits:

• The market estimate (ME) sheet in Excel format
• 3 months of analyst support

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

• 1.1 Study Assumption and Market Definition
• 1.2 Scope Of The Study

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET INSIGHTS

• 4.1 Market Overview
• 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis
  • 4.2.1 Bargaining Power Of Suppliers
  • 4.2.2 Bargaining Power Of Buyers
  • 4.2.3 Threat Of New Entrants
  • 4.2.4 Threat Of Substitute
  • 4.2.5 Intensity Of Competition Rivarly
• 4.3 Industry Value Chain Analysis
• 4.4 Assessment of Impact of COVID-19 on the Market

5 MARKET DYNAMICS

• 5.1 Drivers
  • 5.1.1 Rising demand for fast access and low power consuming memory devices
  • 5.1.2 Increasing demand for non-volatile memory in connected and wearable devices
• 5.2 Restraints
  • 5.2.1 High complexity in designing and manufacturing emerging non-volatile memory devices

6 MARKET SEGMENTATION

• 6.1 Type
  • 6.1.1 Stand-alone
  • 6.1.2 Embedded
• 6.2 End-user Industry
  • 6.2.1 Industrial
  • 6.2.2 Consumer Electronics
  • 6.2.3 Enterprise
  • 6.2.4 Others
• 6.3 Geography
  • 6.3.1 North America
  • 6.3.2 Europe
  • 6.3.3 Asia-Pacific
  • 6.3.4 Rest of the World

7 COMPETITIVE LANDSCAPE

• 7.1 Company Profiles
  • 7.1.1 TSMC
  • 7.1.2 Samsung Electronics Co. Ltd.
  • 7.1.3 GlobalFoundries Inc.
  • 7.1.4 Texas Instruments Inc.
  • 7.1.5 Fujitsu Ltd.
  • 7.1.6 SK Hynix Inc.
  • 7.1.7 Western Digital Corp.
  • 7.1.8 CrossBar Inc.
  • 7.1.9 Microchip Technology Inc.
  • 7.1.10 Intel Corporation
  • 7.1.11 Infineon Technologies AG
  • 7.1.12 United Microelectronics Corporation (UMC)
  • 7.1.13 Toshiba Corp.
  • 7.1.14 Nantero Inc.

8 INVESTMENT ANALYSIS

9 MARKET OPPORTUNITES AND FUTURE TRENDS

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