市場調査レポート

世界のウエハー市場の将来展望:GaN-on-Si基板が2020年までにサファイア基板を追い抜くことはない

Dimming the Hype: GaN-on-Si Fails to Outshine Sapphire by 2020

発行 Lux Research 商品コード 289747
出版日 ページ情報 英文 21 Pages
納期: 即日から翌営業日
価格
本日の銀行送金レート: 1USD=105.42円で換算しております。
Back to Top
世界のウエハー市場の将来展望:GaN-on-Si基板が2020年までにサファイア基板を追い抜くことはない Dimming the Hype: GaN-on-Si Fails to Outshine Sapphire by 2020
出版日: 2013年06月27日 ページ情報: 英文 21 Pages
概要

現在、GaN-on-SiエピタキシャルウエハーはLED市場の支配権を巡ってサファイア(GaN-on-Sapphire)基板と競合している状態ですが、現在はサファイア基板が90%のシェアを占めています。ウエハーの直径とコストが、LEDのコストや全体的なシステムコストに影響を与えますが、直径を大きくすれば歩留まり率が悪化します。基板のコストを下げながら歩留まり率を上げ、更にはウエハー直径を拡大する、という点ではサファイア基板にまだ優位性があるため、今後の市場においてもサファイア基板が市場シェアの大半を占め続けるものと思われます。

当レポートでは、全世界のLED用ウエハー基板の市場シェアを巡る技術開発・市場拡大競争の状況や今後の見通しについて分析し、ウエハーのコスト・市場シェアの決定要因や、各基板の特性、今後の市場動向の展望などを調査・考察して、その結果を概略以下の構成でお届けします。

エグゼクティブ・サマリー

  • 4インチ型エピタキシャルウエハーが次世代市場の大半を占め、6インチ型が普及し始める:8インチ型Gan-On-Si基板の市場規模は限定的

情勢

  • LED市場が急成長するにつれ、新たな金型素材が登場し、シェアを奪いつつある
    • GaN-on-Si基板がLED用ウエハー市場を制覇し、サファイア基板(GaN-on-Sapphire)を脅かしつつある
  • 新規・既存の素材を用いて、様々なサイズのウエハーを生産するLEDメーカー
    • ウエハーの直径・コスト:LEDの性能・システムの全体的コストの重要指標
    • LEDの選択・コストが、導入意欲に強く影響する
  • 結論

分析

  • コスト節約という宣伝文句にも関わらず、Siは市場の10%を占めるに過ぎない
    • LEDエピタキシャルウエハー市場は2020年に40億米ドルの規模に達する
    • サファイア基板が市場を支配し続け、GaN-on-Si基板は小規模に留まる
  • 今後10年間は、多種多様な素材・サイズのLEDが様々な分野で利用され続ける
    • LEDウエハーの直径:4インチ・6インチが主流となる
    • ウエハー直径の拡大を巡る競争
    • 6インチ型ウエハー市場でのサファイア基板の大幅なシェア拡大

将来展望

Lux Researchについて

脚注

目次
Product Code: LREEI-R-13-2

GaN-on-Si epitaxial wafers vie with GaN-on-sapphire for LED supremacy even as GaN-on-sapphire is the material of choice for 90% of LEDs manufactured today. Even though silicon is cheap and abundant and the mature microelectronics industry has made high-quality eight-inch and 12-inch silicon substrates and compatible facilities readily available, there are challenges to commercializing GaN-on-Si wafers at scale. Wafer diameter and cost are critical metrics for LED performance and overall system costs. While moving to larger diameter wafers will improve die output, it reduces wafer yield. With lowering substrate costs,improving wafer yields, availability of larger substrates and increasing die throughput GaN-on-sapphire wins. As a result, GaN-on-Si with unproven performance and reliability must race to stay relevant as the window of opportunity closes.

Table of Contents

  • Executive Summary
      • Four-inch Epitaxial Wafers Will Dominate the Better Part of the Next Decade, with Six-Inch Getting a Head Start; Meanwhile, the Market for Eight-Inch Gan-On-Si Will Be Limited
  • Landscape
    • As the LED Industry Is Set to Grow at a Rapid Pace, New Die Materials Vie for a Slice of the Pie
      • GaN-on-Si Poses a Threat to GaN-on-Sapphire for LED Wafer Supremacy
    • LED Manufacturers Mull Different Wafer Sizes for Existing and New Materials
      • Wafer Diameter and Cost Are Critical Metrics for LED Performance and Overall System Costs
      • The Choice and Cost of LEDs Will Dictate Appetite for Adoption
    • Landscape Conclusions
  • Analysis
    • Despite Hype and the Promise of Cost Savings, Si Will Comprise Only 10% of the Market in 2020
      • The Total LED Epi Wafer Market Will Reach $4 Billion in 2020
      • GaN-on-Sapphire Will Continue to Dominate the Market, as GaN-on-Si Emerges as a Small Contender in 2020
    • Different Materials and Wafer Sizes Will Find Varied Adoption within the Decade
      • Diameter Trends in the LED Industry Point Towards Four-inch and Six-inch Sizes
      • The Race Is on to Transition to Larger-Diameter Wafers
      • GaN-on-sapphire Templates Could Boost Market Share for Six-inch Wafers Incrementally
  • Outlook
  • Appendix
  • About Lux Research
Back to Top