市場調査レポート

CMP技術、製品および市場に関する分析

CMP Technology: Competition, Products, Markets

発行 Information Network 商品コード 4965
出版日 ページ情報 英文 215 PAGES
納期: 即日から翌営業日
価格
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CMP技術、製品および市場に関する分析 CMP Technology: Competition, Products, Markets
出版日: 2016年08月01日 ページ情報: 英文 215 PAGES
概要

当レポートでは、CMP平坦化技術の概要、用途、消費財、CMP機器のベンダープロファイル、ユーザーの課題や市場に関する予測などを、概略下記の構成でまとめております。

第1章 イントロダクション

第2章 エグゼクティブサマリー

  • 概要
  • 市場機会

第3章 平坦化技術

  • 平坦化の必要性
    • リソグラフィ
    • 蒸着
    • エッチング
  • アプリケーション
    • 誘電体
    • 金属
  • 平坦化技術
    • 局所平坦化
    • 全面平坦化
  • CMP
    • 背景
    • 研究活動
    • 利点と不利点
    • プロセスパラメータ
    • デバイス処理パラメータ

第4章 CMPの消費財

  • スラリー
  • CMP後洗浄装置
  • 研磨パッド

第5章 CMP機器

  • シングルヘッドアプローチ
  • マルチヘッドアプローチ
  • 機器プロファイル
  • クラスターツール
  • CMP機器の競合機器

第6章 ユーザー課題

  • 所有コスト
  • ユーザー要件
  • ベンダーのベンチマーク
  • ユーザー・サプライヤの相互関係
  • 信頼性
  • 機器の保守性

第7章 市場予測

  • 概要
  • 市場予測の前提条件
  • 機器市場
    • CMP研磨装置
    • エンドポイント検出装置
    • 薬品供給/混合装置
    • 膜厚/測定
  • 消費財市場
    • スラリー
    • パッド
目次

Chemical mechanical planarization (CMP) is a very important process in semiconductor manufacturing. The combination of mechanical abrasion and chemical etching enable polishing and flattening of wafers before the photolithography stage. This helps in avoiding the depth of field issues during illumination.

This technology-marketing report examines and projects the technologies involved in the planarization of semiconductor layers. The emphasis is on Chemical Mechanical Polishing (CMP). This report discusses the technology trends, products, applications, and suppliers of materials and equipment. A market forecast for CMP equipment and materials and market shares of vendors is presented.

Table of Contents

Chapter 1 - Introduction

Chapter 2 - Executive Summary

  • 2.1. Introduction
  • 2.2. Market Opportunities

Chapter 3 - Planarization Methods

  • 3.1. Need for Planarity
    • 3.1.1. Lithography
    • 3.1.2. Deposition
    • 3.1.3. Etching
  • 3.2. Applications
    • 3.2.1. Dielectrics
    • 3.2.2. Metals
  • 3.3. Planarization Techniques
    • 3.3.1. Local Planarization
      • 3.3.1.1. Deposition-Etchback
      • 3.3.1.2. ECR
      • 3.3.1.3. Oxide Reflow
      • 3.3.1.4. Spin-on-Glass
      • 3.3.1.5. TEOS-Ozone
      • 3.3.1.6. Laser
    • 3.3.2. Global Planarization
      • 3.3.2.1. Spin-On Polymer
      • 3.3.2.2. Polyimide Coating
      • 3.3.2.3. Isotropic Etch
      • 3.3.2.4. Spin Etch Planarization
      • 3.3.2.5. Electropolishing
  • 3.4. CMP
    • 3.4.1. Background
    • 3.4.2. Research Efforts
    • 3.4.3. Advantages and Disadvantages
    • 3.4.4. Process Parameters
      • 3.4.4.1. STI Planarization
      • 3.4.4.2. Copper CMP
      • 3.4.4.3. Low-K Integration
      • 3.4.4.4. Defect Density
      • 3.4.4.5. Metrology
    • 3.4.5. Device Processing Parameters
      • 3.4.5.1. Memory Devices
      • 3.4.5.2. Logic Devices

Chapter 4 - CMP Consumables

  • 4.1. Slurries
    • 4.1.1. Types
    • 4.1.2. pH Effects
    • 4.1.3. Oxidizers
    • 4.1.4. Particle Morphology Effects
    • 4.1.5. Chemical Distribution Management
    • 4.1.6. Slurry Supplier Profiles
    • 4.1.7. Abrasive Suppliers
  • 4.2. Post-CMP Clean
  • 4.3. Polishing Pads
    • 4.3.1. Types
    • 4.3.2. Performance
    • 4.3.3. Slurryless Pads

Chapter 5 - CMP Equipment

  • 5.1. Single-Head Approach
    • 5.1.1. Advantages
    • 5.1.2. Disadvantages
  • 5.2. Multi-Head Approach
    • 5.2.1. Advantages
    • 5.2.2. Disadvantages
  • 5.3. Equipment Profiles
    • 5.3.1. Applied Materials
    • 5.3.2. Ebara
    • 5.3.3. Strasbaugh
    • 5.3.4. Novellus
    • 5.3.5. Nikon
    • 5.3.6. Doosan Mecatec
    • 5.3.7. Other Entrants
  • 5.4. Clustered Tools
  • 5.5. Competitive Non-CMP Tools

Chapter 6 - User Issues

  • 6.1. Cost of Ownership
  • 6.2. User Requirements
  • 6.3. Benchmarking a Vendor
    • 6.3.1. Pricing
    • 6.3.2. Vendor Commitment and Attitudes
    • 6.3.3. Vendor Capabilities
    • 6.3.4. System Capabilities
  • 6.4. User-Supplier Synergy
    • 6.4.1. Feedback During Equipment Evaluation
    • 6.4.2. Feedback During Device Production
  • 6.5. Reliability
  • 6.6. Equipment Maintainability

Chapter 7 - Market Forecast

  • 7.1. Introduction
  • 7.2. Market Forecast Assumptions
  • 7.3. Equipment Market
    • 7.3.1. Introduction
    • 7.3.2. CMP Polisher Market
  • 7.4. Consumable Market
    • 7.4.1. Slurry
    • 7.4.2. Pads

List of Figures

  • 1.1: Process Integration for CMP
  • 3.1: Levels of Integration of Dynamic Rams
  • 3.2: Planarization Lengths of Various Methods
  • 3.3: Normalized Removal Rates
  • 3.4: Reduced Complexity With Copper
  • 3.5: Copper Loss From CMP
  • 3.6: CMP Copper Process Technologies
  • 3.7: CMP Performance Improvements
  • 3.8: Polish Endpoint Control
  • 4.1: Effect of Nitrate Ions on the Cu Removal Rate
  • 4.2: Removal Rate of Ta
  • 4.3: Bulk Chemical Distribution System
  • 4.4: Through The Brush Chemical Delivery
  • 4.5: Megasonics Post-CMP Clean
  • 4.6: Micrograph Of 3M Slurryless Pad
  • 6.1: Effect of Tool MTBF on CMP Cost
  • 6.2: Removal Rate Vs Throughput and CMP Cost
  • 7.1: Worldwide CMP Polisher Market
  • 7.2: Worldwide CMP Slurry Market Forecast
  • 7.3: CMP Slurry Market by Application
  • 7.4: ILD Slurry Market Share
  • 7.5: STI Slurry Market Share
  • 7.6: Copper Barrier Slurry Market Share
  • 7.7: Copper Step 1 Slurry Market Share
  • 7.8: Worldwide CMP Pad Market Forecast
  • 7.9: CMP PAD Market Shares

List of Tables

  • 3.1: Interconnect Levels of Logic Device
  • 3.2: Typical Process Specifications
  • 3.3: Organic Polymers for IMD Applications
  • 3.4: CMP Process Variables
  • 3.5: Optimized CMP and Post-CMP Clean Parameters
  • 3.6: Interconnect Materials by Segment
  • 4.1: CMP Slurry Suppliers
  • 4.2: Abrasive Suppliers and Products
  • 4.2: Oxide CMP Pad Properties and Performance
  • 6.1: Polisher Equipment Targets
  • 6.2: Post-CMP Clean Equipment Targets
  • 7.1: Worldwide CMP Polisher Market Forecast
  • 7.2: Worldwide CMP Polisher Market Shares
  • 7.3: Worldwide CMP Slurry Market Forecast
  • 7.4: Worldwide Slurry Market Shares
  • 7.5: Worldwide CMP Pad Market Forecast
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