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市場調査レポート

メモリー技術の変貌:新技術がもたらす新しい市場機会と新たな問題

The Changing Face of Memory Technologies: New Technologies Drive New Opportunities - And Create New Problems

発行 IDC 商品コード 345136
出版日 ページ情報 英文 26 Pages
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メモリー技術の変貌:新技術がもたらす新しい市場機会と新たな問題 The Changing Face of Memory Technologies: New Technologies Drive New Opportunities - And Create New Problems
出版日: 2016年05月06日 ページ情報: 英文 26 Pages
概要

当レポートでは、主要なシステムOEMが扱っているさまざまなメモリー/ストレージ階層の選択肢について検証し、現状と見通しについて、体系的な情報を提供しています。

IDCの見解

調査概要

概況

  • 現状
    • 主流のDRAM部門:製造における著しい変貌
    • LPDDRメモリー:頭角を現す
    • スタックドメモリー:よりスマートなDDRの選択肢
    • NAND:期待は大きいが、NAND独自の問題あり

将来の展望

  • RAMの可能性が広がる新しい世界
    • 抵抗変化型RAM (RRAM、ReRAM)
    • 磁気抵抗RAM (MRAM、T-MRAM、ST-MRAM、STT-MRAM、TAS-MRAM、VMRAM)
    • 相変化RAM (PRAM、PCRAM)
    • 少なくとも1つ以上、形勢を一変させる可能性
    • アーキテクチャーの観点からのメモリーの新しい動向
      • プロセッサーレベルのメモリー開発
      • キャッシングの限界を高める
      • SSD:回転型ディスクに取って代わる勢い

主な提言

  • キャッシュ
  • より深くなるメモリー階層
  • 異種アーキテクチャー
  • マルチプロセッサー
  • 並列プログラミングのパラダイム

参考資料

  • 関連資料
  • 要約

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目次
Product Code: US41212215

This IDC study reviews the different memory and storage options that are being explored by the major system OEMs. Myriad market and technology forces are aligning to bring about some drastic changes in almost every sector of the memory field, and these changes will have a deep and abiding impact on the way that high-performance computing (HPC) systems are designed, built, and used in the coming years. Developments of particular note include the emergence of low-power DRAMs as the dominant DRAM device, looming performance issues in NAND flash development, and the explosion of new architectures to address growing concerns with the continued scaling of electron-charged memory devices. In addition, new technologies such as embedded cache, burst buffers, and SSDs are expanding options for more sophisticated memory/storage hierarchies."The bulk of new or evolving memory/storage developments promise new opportunities for faster, more effective data storage and movement, but almost all carry with them some - and in more than a few cases, significant - design and use complexities," says Bob Sorensen, research VP, Technical Computing.

IDC Opinion

In This Study

Situation Overview

  • Current Status
    • The Mainstream DRAM Sector: A Sea Change in the Making
    • LPDDR Memory: Coming to the Fore
    • Stacked Memory: Options for Smarter DDRs
    • NAND - Lots of Promise, But It Has Issues of Its Own

Future Outlook

  • A New World of RAM Possibilities
    • Resistive RAM (RRAM, ReRAM)
    • Magnetoresistive RAM (MRAM, T-MRAM, ST-MRAM, STT-MRAM, TAS-MRAM, VMRAM)
    • Phase-Change RAM (PRAM, PCRAM, PCM)
    • … And At Least One Potential Game Changer
    • New Trends in Memory from an Architectural Perspective
      • Memory Developments at the Processor Level
      • Raising the Bar on Caching
      • SSD: Looking to Replace Spinning Disk

Essential Guidance

  • Cache
  • Deeper Memory Hierarchies
  • Heterogeneous Architectures
  • Multiprocessors
  • Parallel Programming Paradigms

Learn More

  • Related Research
  • Synopsis
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