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市場調査レポート
商品コード
628048
RFパワー半導体:シリコン・窒化ガリウム&ヒ化ガリウム高出力RFデバイスRF Power Semiconductors: Silicon, Gallium Nitride and Gallium Arsenide High-Power RF Devices |
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RFパワー半導体:シリコン・窒化ガリウム&ヒ化ガリウム高出力RFデバイス |
出版日: 2018年04月19日
発行: ABI Research
ページ情報: 英文 22 Pages, 2 Charts
納期: 即日から翌営業日
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当レポートでは、RFパワー半導体の技術および市場を調査し、技術動向、エンドユーズ別の市場分析、ベンダー環境などをまとめています。
A myriad of products and services utilize RF power amplifiers in their transmitter circuitry: wireless infrastructure for cell phones and other mobile devices; radio and television broadcasting; medical equipment such as MRI machines; materials curing that includes carpet fibers and plywood; radar; space and satellite communications; police and fire radios; and military communications and electronics of all kinds. Most of these transmitters use semiconductors in the RF power amplifier output stages. Even modern, extremely high-power broadcast transmitters that traditionally have used large vacuum tubes in their RF sections have finally begun to use solid-state devices.
This study examines RF power semiconductor devices that have power outputs of greater than three watts and operate at frequencies of up to 4 GHz, which represent the bulk of applications in use today. Both silicon-based and gallium based devices are covered.
This application note is a companion narrative to the market data report MD-RFPS-18.