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市場調査レポート

世界のバルクGaN市場(2009年):青色レーザーダイオード、HB-LED、パワーエレクトロニクスなどの用途に対応するバルクGaN自己保持回路基盤市場の分析

Bulk GaN Market 2009

発行 Yole Developpement
出版日 2009年05月 商品コード 87390
ページ情報 英文 128 pages
価格
US$ 5,790 換算 ¥ 454,746 (税抜) PDF by E-mail (Single User License)
US$ 7,190 換算 ¥ 564,702 (税抜) PDF by E-mail (Multi-User Single Site License)
US$ 8,690 換算 ¥ 682,512 (税抜) PDF by E-mail (Multi-User Multi-Site License)


世界のバルクGaN市場(2009年):青色レーザーダイオード、HB-LED、パワーエレクトロニクスなどの用途に対応するバルクGaN自己保持回路基盤市場の分析」は2009年05月にヨール・デベロップメントより発行されました。 当レポートは128 pagesで構成され、税抜¥454,746より販売しています。

概要

現在バルクGaN(窒化ガリウム)自己保持回路基板市場の牽引役となっているのは、青色レーザーダイオード(LD)を利用した高密度データ保存機器であり、ブルーレイディスクプレイヤーやゲーム機器の需要拡大で急成長を遂げつつあります。2インチ回路基板の生産量は、2010年時点でおよそ10万個に達し、2015年までは生産量でLED向けバルクGaNが回路基板市場をリードする見通しです。

当報告書は、さまざまな指標を駆使してバルク自己保持GaN回路基板市場の現状を分析するとともに、今後の見通しを示したもので、主な用途、主要企業、各分野における製品の生産量と関連市場の規模などに加え、エピウェハやELO(選択横方向成長)などの既存技術と比べた強みと弱みなどについても検討し、概略下記の構成でお届けいたします。

エグゼクティブサマリー

最新の主なニュース

  • 各種窒化デバイスに対応するアクティブレイヤの転位密度に対する感度:2015年までのロードマップ
  • 各種用途向けGaN回路基板の市場投入時期

青色LD市場

  • 青色LD市場の要求条件と現状
  • GaN青色LDの主な用途
  • ゲーム機向け青色LD市場
  • 2005〜2015年の各種用途向けGaN青色LDの年間出荷量および関連機器の売上高
  • GaNベースの最新型レーザーダイオード
  • 無極性ベース青色LDの最新開発動向
  • DARPAにおける無極性技術の研究開発プログラム:VIGIL
  • 米国エネルギー省:SSLのコア技術と製品開発予算(ラウンド5)
  • 青色LD事業のサプライチェーン
  • 2008年の青色LDコスト解析モデル
  • 2インチバルクGaNウェハからパッケージLDへ
  • 2インチELO GaNウェハからパッケージLDへ
  • 青色LDの歩留まり
  • 2005〜2015年の青色LD用2インチ回路基板の年間出荷量と関連製品の売上高
  • 2005〜2015年の回路基板データ算出のためのデータ処理作業
  • 2008年の企業1社あたりのタイプ別回路基板利用数
  • 2008年の青色LD市場における市場シェア
  • 結論

超高輝度(UHB)窒化LED市場

  • 各種用途のルーメン数と量産化の時期
  • 市場区分
  • LEDタイプ別の生産量
  • LEDタイプ別の売上高
  • 2001〜2012年のGaN-LED市場、パッケージLEDデバイスの現状と予測
  • 全般照明製品事業の見通し
  • 世界の照明機器市場見通し
  • 全般照明向けGaNベース白色LEDの進化
  • 全般照明向け白色LED市場の見通し
  • 全般照明向けウェハのニーズ
  • 2015年までのGaNベースUHB LED市場
  • 2015年までのUHB LED用バルクGaN回路基板の出荷数と市場規模
  • LEDの性能と関連技術の現状
  • GaNベースLEDの主な製造工程と関連するオプション
  • LEDメーカーの工程フローチャート例(製造と研究開発)
  • LEDの横方向および縦方向の構造
  • LEDの効率
  • メーカー内品質管理の現状
  • 電力消費のメカニズム
  • LEDの平均光学出力と発熱
  • 抽出効率とダイのサイズ
  • 白色LEDの効率向上策
  • 次世代白色LEDの効率
  • 主な4つの効率指標に影響する要因
  • 完全な白色LEDの条件
  • 結論

パワーエレクトロニクス:バルクGaNと炭化ケイ素(SiC)の市場シェア

  • パワーエレクトロニクス分野におけるGaNデバイスの用途
  • GaN対SiCのSWOT分析
  • パワーエレクトロニクス業界上位20社の売上高
  • 2005〜2015年の各主要と向けGaNデバイスの市場見通し
  • 2015年までのGaN用途製品の市場シェア
  • SiCとGaNの主な用途
  • 主なターゲットとしての力率補正機器(PFC)市場
    • PFC市場の主な評価基準
    • PFC回路におけるGaNの主な付加価値
    • PFC効率の比較
    • SiCとGaN製品に関わっている電力供給関連製品OEMメーカー上位15社
    • PFC用GaN機器市場の主な条件
    • 2015年までのハイブリッド車の販売見通し
    • 主なパワーモジュール:DC-DCブーストコンバータとDC-ACインバータ
    • ハイブリッド車用パワートランジスタの5つの主な条件
    • ハイブリッド車にとってのGaN電子機器の付加価値
    • ハイブリッド車用インバータモジュールのコスト解析
    • ハイブリッド車用インバータ用SiC機器とGaN機器のコスト解析
  • ソーラーパネル用インバータ
    • 世界の太陽電池年間生産量
    • 2005〜2019年の光電池インバータの生産量と市場
    • 2005〜2019年の光電池用パックの市場規模
    • 光電池インバータ用機器市場
  • 2015年までのパワーエレクトロニクス向けバルクGaN回路基板の生産量と市場規模
  • 結論

GaNパワーデバイス開発の最新動向

  • 松下MEIとパナソニックの高電圧GaNダイオード
  • トヨタ研究所のAlGaN/GaN HEMT
  • サンケン電気の5インチGaN-on-Si FET
  • 香港大学のGaN-on-Si統合ダイオード+トランジスタ
  • International RectifierのGaNpowIRプラットフォーム
  • GaNベースパワーデバイスの市場規模
    • 自己保持GaNとELO GaN市場の現状
  • GaN素材開発に対する最近の資金拠出
  • 青色レーザー回路基板の2つの選択肢
  • バルク/自己保持GaNの仕様
  • 無極性および半極性GaNの主な利害関係
  • 無極性および半極性GaNの研究開発状況
  • 無極性および半極性GaN回路基板に関する2020年までの暫定的なロードマップ
  • バルク/自己保持GaNウェハの月間生産能力
  • 2015年の各種用途向け自己保持GaNとELO GaNの生産量
  • 2015年の各種用途向け自己保持GaNとELO GaNの市場規模

自己保持GaNおよびELO GaN回路基板事業についての結論

総括

付録

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