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市場調査レポート

世界のGaN(窒化ガリウム)RFトランジスタ市場

GaN RF Market '08

発行 Yole Developpement
出版日 2008年07月 商品コード 70340
ページ情報 英文 216 pages
価格
US$ 5,790 換算 ¥ 455,673 (税抜) PDF by E-mail (Single User License)
US$ 7,190 換算 ¥ 565,853 (税抜) PDF BY E-mail (Multi-user, single site license)
US$ 8,690 換算 ¥ 683,903 (税抜) PDF By E-mail (Multi-user, multi-site license)


世界のGaN(窒化ガリウム)RFトランジスタ市場」は2008年07月にヨール・デベロップメントより発行されました。 当レポートは216 pagesで構成され、税抜¥455,673より販売しています。

概要

当報告書では、GaN(窒化ガリウム)RFデバイスの産業、技術、アプリケーション別市場などについて調査分析し、アプリケーション別市場の成長牽引因子、製造中・開発中の製品の概要、製品ロードマップ、世界の主要地域におけるR&D動向、サプライチェーン、産業構造などもまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。

エグゼクティブサマリー

GaN RFデバイス市場:市場分析

  • RF電子システム部門におけるGaNの潜在的アプリケーション
  • GaNデバイスアプリケーションロードマップ
  • 技術導入の牽引因子
  • GaNデバイス市場の内訳:2007-2012年
  • GaN RFデバイス市場規模:2005-2012年
  • 4インチエピウエハ、など

GaN HEMT:最新技術

  • GaN・シリコンFET構造比較
  • GaN/SiC/Si/GaAsハイパワーRFトランジスタ比較
  • Si/SiGe/GaAs/InP/GaNの周波数・Vb比較
  • 主要企業・製品の最新動向
  • HEMTのコスト内訳、など

GaN RFデバイス産業の状況

  • フードチェーン・企業
  • 米国のサプライチェーン
  • 欧州のサプライチェーン
  • アジアのサプライチェーン、など

携帯電話インフラ:BTS市場

  • BTS向けGaN:市場牽引因子
  • RRHアンテナ
  • 携帯電話インフラ市場におけるシェア
  • Si LDMOS vs GaAs pHEMT
  • WCDMA BTSの典型的なコスト配分
  • 基地局:バリューチェーン分析、など

防衛市場

  • GaNの防衛部門におけるアプリケーション:市場牽引因子
  • 防衛部門向けRFトランジスタのロードマップ
  • 米国のR&Dプログラム、など

衛星市場

  • SatComでのGaNエレクトロニクス利用:市場牽引因子

V-SAT端末市場

  • V-SATでのGaNエレクトロニクス利用:市場牽引因子
  • V-SAT市場データ
  • GaN HEMTの市場機会

CATV市場

  • CATVでのGaNエレクトロニクス利用:市場牽引因子
  • CATV市場データ
  • GaN HEMTの市場機会

WiMAX vs LTE:4Gに向けた競合の始まり

GaN RFデバイス:欧州における開発

GaN RFデバイス:日本における開発

GaN材料の開発動向

SiC・サファイア基板市場の主要メトリクス

製造・開発中の主要GaN RFデバイス:レビュー

  • デバイス構造
  • 主要仕様
  • 信頼性、など
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